SiTime凭借Titan Platform进入40亿美元规模的谐振器市场
SiTime凭借TitanPlatform™进入40亿美元规模的谐振器市场
谐振器市场剖析
(一)规模与增长,石英晶体谐振器市场在电子产业中占据着举足轻重的地位,其规模已达40亿美元.近年来,谐振器市场呈现出稳健的增长态势,年复合增长率保持在一定水平.推动这一增长的主要因素包括5G通信技术的快速普及.物联网设备的爆发式增长以及汽车智能化程度的不断提高.5G网络的建设需要大量高性能的谐振器来确保信号的稳定传输和精准同步,物联网设备的广泛应用使得对小型化.低功耗谐振器的需求激增,而汽车电子系统中如自动驾驶辅助.智能座舱等功能的发展,也极大地拉动了谐振器的市场需求.
(二)应用领域,谐振器的应用领域极为广泛,涵盖了汽车.电信.可穿戴设备等多个关键行业.在汽车领域,谐振器被应用于发动机控制系统.车载通信系统以及安全气囊触发装置等,对汽车的性能和安全性起着关键作用.在电信行业,从基站设备到手机终端,谐振器都是实现信号频率稳定.保障通信质量的核心元件.在可穿戴设备中,如智能手表.手环等,谐振器为设备的计时.数据传输等功能提供稳定的频率基准,其小型化和低功耗特性满足了可穿戴设备对尺寸和续航的严格要求.此外,在工业控制.航空航天晶振等领域,谐振器也发挥着不可或缺的作用,确保各种复杂电子系统的稳定运行.
(三)竞争格局,全球谐振器市场竞争激烈,汇聚了众多实力强劲的参与者.Murata.TXC.Epson.NDK等企业凭借其在传统石英谐振器领域的深厚技术积累和广泛的市场布局,占据了相当大的市场份额.这些企业在技术研发.生产工艺以及客户资源方面都具有显著优势,长期以来主导着谐振器市场的发展.
SiTime作为MEMS技术领域的佼佼者,携TitanPlatform进入谐振器市场,为行业带来了新的竞争活力.与传统竞争对手相比,SiTime的优势在于其先进的MEMS技术,能够实现谐振器的小型化.高性能以及更高的可靠性.TitanPlatform基于SiTime第六代FujiMEMS技术和第七代模拟电路打造,具有体积小.老化稳定性高.抗冲击和抗振性能强等特点,在尺寸和性能上对传统石英谐振器形成了有力挑战.然而,SiTime也面临着一些挑战,如市场对MEMS谐振器的认知度和接受度仍有待提高,传统石英谐振器在某些应用场景中根深蒂固的地位难以在短时间内撼动,以及来自其他潜在竞争对手的技术追赶和市场争夺压力.但随着技术的不断进步和市场需求的演变,SiTime有望凭借TitanPlatform在谐振器市场中开辟出一片新的天地,逐步扩大市场份额,重塑行业竞争格局.
TitanPlatform的独特优势
(一)尺寸突破,TitanPlatform采用0.46x0.46毫米的芯片级封装,在尺寸上实现了重大突破.这一尺寸相比传统的1210石英晶体器件,其PCB尺寸足足小七倍,与1008石英晶体器件相比,也小了四倍之多.对于可穿戴设备晶振而言,这种程度的微型化具有革命性的意义.以智能手表为例,以往受限于石英谐振器较大的体积,手表的表盘难以做到极致轻薄,而TitanPlatform的出现,让设计师可以彻底摆脱空间限制,将表盘做得更加轻薄,使其能更贴合手腕,提升佩戴的舒适度.同时,节省出的空间还可用于集成更多新功能,如AI健康监测功能,通过内置的生物传感器,结合Titan提供的稳定时钟信号,实现对血压.血糖等健康指标的连续监测,并在异常时及时主动预警.在运动手环设计中,TitanPlatform使得手环的造型可以更加精巧,满足用户对于时尚和便携的追求.
(二)性能卓越,在性能方面,TitanPlatform基于SiTime第六代FujiMEMS技术和第七代模拟电路打造,展现出了卓越的特性.其老化稳定性比石英提高了5倍,在最高额定温度下可稳定使用5年.这意味着使用Titan谐振器的设备,在长时间使用过程中,频率漂移现象得到了极大的改善,能够始终保持精准的计时.在-40°C至+125°C的极端工作温度范围内,Titan也能提供更严格的稳定性,而传统石英谐振器在这样的高低温环境下,极易出现频率漂移,导致设备计时误差甚至系统崩溃.
Titan的机械弹性也大幅提升,其抗冲击性能比石英提高了50倍,抗振性能提高了30倍.在日常使用中,电子设备难免会受到各种外力的冲击和振动,比如手机不慎从高处跌落,运动手环在跑步时会随着手臂剧烈晃动.在这些情况下,Titan依然能保持精准计时,确保设备的正常运行,避免因谐振器故障而出现“抽风断联”等问题,大大提高了设备的可靠性和稳定性.
(三)功耗与效率优势,功率效率是TitanPlatform的又一显著优势,体现在直接和间接两个方面.直接方面,与石英解决方案相比,Titan谐振器可将振荡器电路功耗降低高达50%,并将启动能耗降低三倍.这对于依赖电池供电的设备来说,无疑是一个重大利好.以智能手表为例,降低的功耗意味着更长的续航时间,搭载Titan后,续航时间可延长大半天,减少了用户频繁充电的困扰.对于物联网传感器等设备,更低的功耗使其无需频繁更换电池,降低了维护成本,同时也提高了设备在户外等难以频繁更换电池场景下的使用稳定性.间接方面,MEMS振荡器的启动时间比石英振荡器更快,Titan的启动速度最高可达石英振荡器的三倍.通过更精确地控制射频子系统的占空比,可以节省系统能耗.在实际应用中,例如在无线通信晶振中,Titan能够更快速地开启和关闭射频,避免了不必要的能耗,进一步提升了设备的能源利用效率,实现了系统能耗的有效控制.
(四)兼容性创新,TitanPlatform在兼容性方面具有创新性.SiTime的MEMS振荡器以往采用专有谐振器搭配针对MEMS性能优化的内部电路,而Titan的设计则使其能够与半导体供应商最初为石英设计的振荡器接口兼容.这一特性为工程师的设计工作带来了极大的便利,他们可以使用Titan作为石英的直接替代品,而无需重新设计振荡器级,从而节省了大量的设计时间和成本.通常情况下,重新设计振荡器级可能需要多年的验证和新的硅片流片,这一过程不仅复杂,而且成本高昂.
工程师还可以将Titan作为已知良好裸片与SoC或MCU共同封装,从而获得集成优势.当Titan与主机设备一起嵌入塑料封装中时,可以完全省去外部谐振器,简化了电路板布局,最大限度地减少了长走线带来的寄生效应.这种封装方法还释放了原本用于谐振器连接的通用I/O引脚,为引脚数量受限的微控制器创造了额外价值,增加了设计的灵活性,使得工程师能够在有限的空间内实现更多的功能设计.
(一)对SiTime自身发展TitanPlatform的推出,对SiTime自身发展而言,无疑是一个具有里程碑意义的战略举措,为其带来了广阔的业务拓展空间.凭借Titan在尺寸.性能.功耗和兼容性等多方面的独特优势,SiTime能够迅速切入多个热门应用领域.在可穿戴设备市场,Titan的微型化特性使其成为智能手表.手环等设备的理想选择,随着这些设备市场需求的持续增长,SiTime有望在该领域获得大量订单,从而显著扩大市场份额.在物联网领域,众多传感器和终端设备对小型化.低功耗谐振器的需求巨大,Titan正好契合这一需求趋势,助力SiTime在物联网市场中分得一杯羹.市场份额的扩大必然会带动营收的增长.以2025年上半年为例,在TitanPlatform推出后的短短几个月内,SiTime来自可穿戴设备和物联网应用领域的营收就实现了显著增长.随着Titan在市场上的进一步推广和应用,预计未来几年SiTime的营收将保持高速增长态势,进一步巩固其在MEMS技术领域的领先地位,并为其后续的技术研发和市场拓展提供坚实的资金保障.
(二)对传统石英谐振器的冲击,TitanPlatform凭借其多方面的优势,对传统石英谐振器市场造成了强有力的冲击.在尺寸方面,Titan的超小型封装使其在空间受限的应用场景中具有明显优势,可穿戴设备和物联网设备制造商为了实现产品的小型化和多功能化,纷纷开始考虑采用Titan替代传统石英谐振器.在性能上,Titan的老化稳定性.抗冲击和抗振性能以及在极端温度下的稳定性都远超传统石英谐振器,这使得对设备性能要求较高的汽车电子.工业控制等领域也开始对Titan产生浓厚兴趣.据市场研究机构的数据显示,自Titan推出以来,传统石英谐振器在可穿戴设备市场的份额已经出现了明显下滑,预计在未来几年内,这一趋势还将继续加剧.传统石英谐振器制造商在技术地位上也面临着严峻挑战,他们不得不加大研发投入,试图在尺寸缩小.性能提升等方面追赶Titan,但由于技术路径和材料特性的限制,短期内难以实现突破.传统石英谐振器在市场份额和技术地位上的双重挑战,使其市场竞争压力剧增,行业格局面临重塑.
(三)推动行业技术发展,TitanPlatform的出现,犹如在平静的湖面投下一颗巨石,激起千层浪,促使行业内其他企业纷纷加大研发投入,推动谐振器技术朝着小型化.高性能.低功耗方向加速发展.面对Titan在尺寸上的巨大优势,传统石英谐振器制造商开始探索新的封装技术和材料,力求减小产品尺寸.一些企业尝试采用新型的纳米材料,通过优化材料结构和工艺,试图实现石英谐振器的微型化,但目前仍处于实验阶段,距离大规模商业化应用还有一定距离.在性能提升方面,企业们也在积极探索新的技术路径.针对Titan老化稳定性高的特点,其他企业开始研究新的频率稳定技术,如采用更先进的温度补偿算法和电路设计,以提高石英谐振器在不同环境下的频率稳定性.为了提升抗冲击和抗振性能,一些企业研发出了新型的缓冲结构和材料,能够有效减少外力对谐振器的影响.在功耗降低方面,企业们通过改进电路设计和优化谐振器的工作模式,努力降低产品的功耗,以满足日益增长的低功耗需求.Titan的出现,推动了整个谐振器行业的技术创新和发展,促使行业技术水平迈向新的台阶.
SiTime凭借TitanPlatform™进入40亿美元规模的谐振器市场
ECS-2333-160-BN-TR | ECS晶振 | ECS-2333 | XO | 16 MHz | HCMOS | 3.3V | ±50ppm |
ECS-2033-250-BN | ECS晶振 | ECS-2033 | XO | 25 MHz | CMOS | 3.3V | ±50ppm |
ECS-2333-500-BN-TR | ECS晶振 | ECS-2333 | XO | 50 MHz | HCMOS | 3.3V | ±50ppm |
ECS-2018-270-BN | ECS晶振 | ECS-2018 | XO | 27 MHz | HCMOS | 1.8V | ±50ppm |
ECS-2018-240-BN-TR3 | ECS晶振 | ECS-2018 | XO | 24 MHz | HCMOS | 1.8V | ±50ppm |
ECS-2033-500-BN | ECS晶振 | ECS-2033 | XO | 50 MHz | CMOS | 3.3V | ±50ppm |
ECS-3963-250-BN-TR | ECS晶振 | ECS-3963-BN | XO | 25 MHz | HCMOS | 3.3V | ±50ppm |
ECS-2033-240-BN | ECS晶振 | ECS-2033 | XO | 24 MHz | CMOS | 3.3V | ±50ppm |
ECS-2033-120-BN | ECS晶振 | ECS-2033 | XO | 12 MHz | CMOS | 3.3V | ±50ppm |
ECS-327MVATX-2-CN-TR3 | ECS晶振 | ECS-327MVATX | XO | 32.768 kHz | CMOS | 1.6V ~ 3.6V | ±25ppm |
ECS-327MVATX-3-CN-TR | ECS晶振 | ECS-327MVATX | XO | 32.768 kHz | CMOS | 1.6V ~ 3.6V | ±25ppm |
ECS-3225MV-260-CN-TR | ECS晶振 | ECS-3225MV | XO | 26 MHz | HCMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±25ppm |
ECS-3225MV-240-BN-TR | ECS晶振 | ECS-3225MV | XO | 24 MHz | HCMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
ECS-2018-250-BN | ECS晶振 | ECS-2018 | XO | 25 MHz | HCMOS | 1.8V | ±50ppm |
ECS-3225MV-500-CN-TR | ECS晶振 | ECS-3225MV | XO | 50 MHz | HCMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±25ppm |
ECS-3225MV-120-BN-TR | ECS晶振 | ECS-3225MV | XO | 12 MHz | HCMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
ECS-3225MV-250-CN-TR3 | ECS晶振 | ECS-3225MV | XO | 25 MHz | HCMOS | 1.8V ~ 3.3V | ±25ppm |
ECS-3225MV-160-BN-TR | ECS晶振 | ECS-3225MV | XO | 16 MHz | HCMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
ECS-3225MV-500-BN-TR | ECS晶振 | ECS-3225MV | XO | 50 MHz | HCMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
ECS-3225MV-160-CN-TR | ECS晶振 | ECS-3225MV | XO | 16 MHz | HCMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±25ppm |
ECS-2520MV-160-CN-TR | ECS晶振 | ECS-2520MV | XO | 16 MHz | HCMOS | 1.6V ~ 3.6V | ±25ppm |
ECS-2520MV-250-CN-TR | ECS晶振 | ECS-2520MV | XO | 25 MHz | HCMOS | 1.6V ~ 3.6V | ±25ppm |
ECS-2520MV-250-BN-TR | ECS晶振 | ECS-2520MV | XO | 25 MHz | HCMOS | 1.6V ~ 3.6V | ±50ppm |
ECS-2520MV-240-BN-TR | ECS晶振 | ECS-2520MV | XO | 24 MHz | HCMOS | 1.6V ~ 3.6V | ±50ppm |
ECS-2520MV-120-BL-TR | ECS晶振 | ECS-2520MV | XO | 12 MHz | HCMOS | 1.6V ~ 3.6V | ±50ppm |
ECS-5032MV-250-CN-TR | ECS晶振 | ECS-5032MV | XO | 25 MHz | HCMOS | 1.6V ~ 3.6V | ±25ppm |
ECS-2520MV-480-BN-TR | ECS晶振 | ECS-2520MV | XO | 48 MHz | HCMOS | 1.6V ~ 3.6V | ±50ppm |
ECS-2520MV-080-CN-TR | ECS晶振 | ECS-2520MV | XO | 8 MHz | HCMOS | 1.6V ~ 3.6V | ±25ppm |
ECS-2033-240-BN-TR3 | ECS晶振 | ECS-2033 | XO | 24 MHz | CMOS | 3.3V | ±50ppm |
ECS-2033-250-BN-TR3 | ECS晶振 | ECS-2033 | XO | 25 MHz | CMOS | 3.3V | ±50ppm |
ECS-2520MV-500-BL-TR | ECS晶振 | ECS-2520MV | XO | 50 MHz | HCMOS | 1.6V ~ 3.6V | ±50ppm |
ECS-2520MV-480-CN-TR | ECS晶振 | ECS-2520MV | XO | 48 MHz | HCMOS | 1.6V ~ 3.6V | ±25ppm |
ECS-3225MV-250-CN-TR | ECS晶振 | ECS-3225MV | XO | 25 MHz | HCMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±25ppm |
ECS-5032MV-240-CN-TR | ECS晶振 | ECS-5032MV | XO | 24 MHz | HCMOS | 1.6V ~ 3.6V | ±25ppm |
ECS-3953M-480-B-TR | ECS晶振 | ECS-3953M | XO | 48 MHz | HCMOS | 3.3V | ±50ppm |
ECS-5032MV-200-CN-TR | ECS晶振 | ECS-5032MV | XO | 20 MHz | HCMOS | 1.6V ~ 3.6V | ±25ppm |
ECS-2520MVQ-250-CN-TR | ECS晶振 | ECS-2520MVQ | XO | 25 MHz | HCMOS | 1.6V ~ 3.6V | ±25ppm |
ECS-5032MV-500-CN-TR | ECS晶振 | ECS-5032MV | XO | 50 MHz | HCMOS | 1.6V ~ 3.6V | ±25ppm |
ECS-3963-040-BN-TR | ECS晶振 | ECS-3963-BN | XO | 4 MHz | HCMOS | 3.3V | ±50ppm |
ECS-2520MVLC-075-BN-TR | ECS晶振 | ECS-2520MVLC | XO | 7.5728 MHz | CMOS | 1.6V ~ 3.6V | ±50ppm |
ECS-2520MVLC-081.92-BN-TR | ECS晶振 | ECS-2520MVLC | XO | 8.192 MHz | CMOS | 1.6V ~ 3.6V | ±50ppm |
ECS-2520MVLC-120-CN-TR | ECS晶振 | ECS-2520MVLC | XO | 12 MHz | CMOS | 1.6V ~ 3.6V | ±25ppm |
ECS-2520MVLC-271.2-BN-TR | ECS晶振 | ECS-2520MVLC | XO | 27.12 MHz | CMOS | 1.6V ~ 3.6V | ±50ppm |
ECS-2520MVLC-049-BN-TR | ECS晶振 | ECS-2520MVLC | XO | 4.9152 MHz | CMOS | 1.6V ~ 3.6V | ±50ppm |
ECS-2520MVLC-250-CN-TR | ECS晶振 | ECS-2520MVLC | XO | 25 MHz | CMOS | 1.6V ~ 3.6V | ±25ppm |
ECS-3951M-160-B-TR | ECS晶振 | ECS-3951M | XO | 16 MHz | HCMOS | 5V | ±50ppm |
ECS-5032MV-122.8-CN-TR | ECS晶振 | ECS-5032MV | XO | 12.288 MHz | HCMOS | 1.6V ~ 3.6V | ±25ppm |
ECS-327MVATX-7-CN-TR | ECS晶振 | ECS-327MVATX | XO | 32.768 kHz | CMOS | 1.6V ~ 3.6V | ±25ppm |
ECS-5032MV-1250-CN-TR | ECS晶振 | ECS-5032MV | XO | 125 MHz | HCMOS | 1.6V ~ 3.6V | ±25ppm |
ECS-2018-143-BN | ECS晶振 | ECS-2018 | XO | 14.31818 MHz | HCMOS | 1.8V | ±50ppm |
ECS-327ATQMV-AS-TR | ECS晶振 | ECS-327ATQMV | XO | 32.768 kHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±100ppm |
ECS-3963-120-BN-TR | ECS晶振 | ECS-3963-BN | XO | 12 MHz | HCMOS | 3.3V | ±50ppm |
ECS-3225MVQ-1000-CN-TR | ECS晶振 | ECS-3225MVQ | XO | 100 MHz | HCMOS | 1.7V ~ 3.6V | ±25ppm |
ECS-3953M-250-B-TR | ECS晶振 | ECS-3953M | XO | 25 MHz | HCMOS | 3.3V | ±50ppm |
ECS-3963-250-AU-TR | ECS晶振 | ECS-3963 | XO | 25 MHz | HCMOS | 3.3V | ±100ppm |
ECS-3953M-500-BN-TR | ECS晶振 | ECS-3953M-BN | XO | 50 MHz | HCMOS | 3.3V | ±50ppm |
ECS-3951M-160-BN-TR | ECS晶振 | ECS-3951M-BN | XO | 16 MHz | HCMOS | 5V | ±50ppm |
ECS-3953M-250-BN-TR | ECS晶振 | ECS-3953M-BN | XO | 25 MHz | HCMOS | 3.3V | ±50ppm |
ECS-3953M-120-BN-TR | ECS晶振 | ECS-3953M-BN | XO | 12 MHz | HCMOS | 3.3V | ±50ppm |
ECS-3953M-018-BN-TR | ECS晶振 | ECS-3953M-BN | XO | 1.8432 MHz | HCMOS | 3.3V | ±50ppm |
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