ECS数据中心与晶体振荡器重塑网络架构的黄金搭档
ECS数据中心与晶体振荡器重塑网络架构的黄金搭档
在数字化浪潮汹涌澎湃的当下,ECS数据中心正逐渐成为推动网络架构变革的核心力量.ECS,即弹性计算服务(ElasticComputeService),是一种基于云计算技术的虚拟化计算资源服务.它在数据中心内,通过对物理服务器的CPU,内存,存储,网络等硬件资源进行虚拟化抽象,为用户提供灵活,可扩展的虚拟服务器.用户只需上传自己的操作系统镜像,就能快速拥有属于自己的服务器系统晶振,如同在云计算的"大工厂"中定制生产个性化的计算单元.从诞生之初,ECS数据中心就被赋予了打破传统网络架构束缚的使命.传统网络架构,如同精心规划但略显陈旧的城市交通系统,各个节点和链路的功能与连接方式相对固定,扩展和调整起来困难重重,如同在老城区狭窄的街道上拓宽道路一般复杂.而ECS数据中心则像是一座现代化的智慧城市交通枢纽,具备高度的灵活性和可扩展性,能根据业务流量的变化实时调整计算资源的分配,如同智能交通系统根据车流量实时调整信号灯时长和道路通行规则.以电商行业为例,在促销活动期间,如"双十一""618"等,网站访问量会呈指数级增长.在传统网络架构下,为了应对这些短暂的流量高峰,企业需要提前购置大量物理服务器,活动结束后,这些服务器又会处于闲置状态,造成资源的极大浪费.而ECS数据中心则可以在活动前自动增加计算资源,活动结束后迅速回收,实现资源的高效利用.这不仅降低了企业的运营成本,还提高了服务的稳定性和用户体验.在2023年"双十一"期间,某电商平台基于ECS数据中心,成功应对了每秒数千万的访问峰值,交易处理速度比上一年提升了30%,订单处理成功率达到99.99%,充分展示了ECS数据中心在应对大规模,高并发业务场景时的卓越性能.在内容分发网络(CDN)领域,ECS数据中心同样发挥着关键作用.CDN的核心在于将内容缓存到离用户更近的节点,以加快内容的传输速度.ECS数据中心能够根据用户的地理位置和实时网络状况,动态地分配和调整缓存节点的计算资源,确保用户能够快速获取所需内容.比如,当某地区突然出现热点新闻或热门视频时,ECS数据中心可以迅速感知并将相关内容缓存到该地区的节点,使本地用户能够流畅地观看视频,避免因网络拥堵导致的卡顿现象.
ECS数据中心推动网络架构变革的体现
(一)性能提升,ECS数据中心在性能提升方面表现卓越.在硬件层面,它广泛采用高性能晶体振荡器网卡,如以太网网卡,InfiniBand网卡等,这些网卡具备高速度,低延迟,高带宽的显著特点.以InfiniBand网卡为例,其数据传输速率可轻松达到每秒数10GB,相比传统网卡,传输速度提升了数倍,能为数据传输提供强大的底层支持.在网络配置优化上,ECS数据中心也下足了功夫.通过合理调整网络参数,如最大传输单元(MTU)大小,接收窗口大小等,有效提升了网络性能.当MTU值设置为合适大小时,可减少数据包的分片和重组,从而提高数据传输效率.在某大型科研机构的分布式计算项目中,基于ECS数据中心搭建的计算平台,在调整MTU值后,数据传输速度提升了20%,使得原本需要数小时的计算任务,如今可在更短时间内完成.在驱动程序优化方面,不断改进的网卡驱动程序,能够更高效地处理数据包,减少中断处理时间,进一步提升了数据处理能力和传输效率.在应用层,采用TCP协议优化,压缩技术,数据缓存等手段,进一步加快了数据传输速度.如通过对TCP协议的拥塞控制算法进行优化,可在网络拥塞时,更合理地调整数据发送速率,避免数据丢失和重传,从而保障数据传输的稳定性和高效性.
(二)灵活性增强,ECS数据中心借助虚拟化技术,实现了物理资源的逻辑抽象和隔离,为用户提供了灵活的虚拟计算资源.用户可根据自身业务需求,在ECS晶振数据中心中快速创建,调整和销毁虚拟机实例,实现计算资源的按需分配.一家初创的互联网企业,在业务起步阶段,只需租赁少量的虚拟机资源用于网站搭建和简单业务运营,随着业务的快速发展,用户量和业务量急剧增加,企业可在短时间内通过ECS数据中心快速增加虚拟机实例数量,扩展内存和存储容量,以满足业务增长的需求;而当业务进入平稳期或收缩期时,又能及时减少资源配置,降低运营成本.软件定义网络(SDN)技术的应用,更是让ECS数据中心的网络管理如虎添翼.SDN将网络控制平面与数据平面分离,通过集中式的控制器对网络流量进行灵活控制.在一个跨地域的企业网络中,不同分支机构和业务部门对网络带宽,访问权限等有着不同的需求.借助SDN技术,企业可以根据实际业务情况,为不同分支机构和业务部门动态分配网络带宽,设置个性化的访问策略,实现网络资源的精准分配和管理.对于电商企业的促销活动,可在活动期间为负责订单处理和支付的服务器节点分配更多的网络带宽,保障交易的顺畅进行;而在活动结束后,再将带宽资源重新分配给其他业务模块.
(三)可靠性保障,在硬件层面,ECS数据中心采用冗余设计,关键组件如电源,网络设备晶振,存储设备等都配备了冗余备份.当某个组件发生故障时,冗余组件能立即接管工作,确保系统的正常运行.以服务器电源为例,通常采用双电源模块设计,当一个电源出现故障时,另一个电源可继续为服务器供电,保障服务器的持续运行.在网络架构方面,采用冗余链路和备份机制,如多链路备份,环网结构等,确保在单点故障时网络通信的连续性.在多链路备份中,当主链路出现故障时,备用链路能在极短时间内自动切换,保障数据传输的稳定.同时,ECS数据中心还配备了完善的监控和故障检测系统,实时监测网络设备和服务器的运行状态,一旦发现异常,能及时发出警报并启动相应的故障处理机制.通过定期的数据备份和恢复策略,可确保在数据丢失或损坏时,能够快速恢复数据,保障业务的正常开展.在金融行业,ECS数据中心为银行的核心业务系统提供支持,通过这些可靠性保障措施,确保了银行交易系统的高可用性,即使在面对突发的硬件故障或网络问题时,也能保障交易的连续性和数据的完整性,有效降低了因故障导致的业务中断风险和经济损失.
在电子设备的复杂世界里,晶体振荡器宛如一位低调却至关重要的幕后英雄,默默发挥着不可或缺的作用.从我们日常使用的手机,电脑,到支撑现代通信网络的基站,服务器,晶体振荡器无处不在,为这些设备提供稳定的频率源,就如同心脏为人体持续输送血液一般.晶体振荡器的工作原理基于石英晶体的压电效应和谐振特性.石英晶体是其核心部件,当晶体受到机械应力作用时,会在其表面产生电荷,这便是压电效应;而谐振特性则让晶体在特定频率下能够发生振动.晶体振荡器主要由石英晶体,放大器和反馈网络三部分构成.工作时,放大器向石英晶体提供交流电压,基于压电效应,晶体在交流电压作用下产生机械振动.当交流电压的频率与晶体的谐振频率匹配时,晶体发生共振,振动幅度达到最大.此时,反馈网络将放大后的信号反馈回放大器,维持振荡的稳定,如此一来,晶体振荡器便产生了稳定,精确的振荡信号.以常见的皮尔斯振荡器为例,它是基于晶体谐振器的负阻抗振荡器,利用晶体谐振器的负阻抗特性补偿放大器的损耗,进而实现稳定振荡.由于结构简单,频率稳定度高,皮尔斯振荡器在电子设备中得到广泛应用.在电子设备中,晶体振荡器提供稳定频率源的作用举足轻重.在计算机系统里,CPU的运行速度,内存的读写操作等,都依赖于晶体振荡器产生的稳定时钟信号.若时钟信号不稳定,CPU可能出现运算错误,内存数据读写也会紊乱,整个计算机系统的性能将大幅下降,甚至无法正常工作.在通信设备中,如手机基站和卫星通信系统,晶体振荡器为信号的调制,解调,传输提供精确的频率基准.以5G通信基站为例,其对频率稳定性要求极高,晶体振荡器的频率偏差需控制在极小范围内,否则会导致信号干扰,通信质量下降,影响大量用户的通信体验.在高精度的测量设备晶振,如原子钟,频率计等设备中,晶体振荡器的稳定频率源是确保测量结果准确性的关键.原子钟作为目前最精确的计时仪器,其精度依赖于超高稳定度的晶体振荡器,为科学研究,全球定位系统(GPS)等提供高精度的时间基准,对现代科技的发展起着基础性的支撑作用.
晶体振荡器为ECS数据中心网络架构变革做准备的方式
(一)满足高速数据传输需求,在ECS数据中心,数据如同汹涌的潮水般高速流动,石英晶体振荡器则是保障这股潮水平稳,有序前行的关键力量.其高精度特性是确保数据准确同步和传输的基石.在数据传输过程中,发送端和接收端需要精确的时钟信号来协调数据的发送和接收时间,晶体振荡器凭借其高精度,能够产生极其稳定的频率信号,使得发送端和接收端的时钟误差被控制在极小范围内,从而保证数据的准确同步.以100G以太网的数据传输为例,数据传输速率高达每秒100Gb,如此高速的数据传输对时钟信号的精度和稳定性提出了极高要求.晶体振荡器的频率精度通常可达±1ppm(百万分之一)甚至更高,这意味着在100G以太网的传输中,由于时钟信号偏差导致的数据传输错误概率极低,几乎可以忽略不计,从而保障了数据的准确传输.低相位噪声也是晶体振荡器的重要优势.相位噪声是指信号在传输过程中由于各种干扰因素导致的相位抖动,它会严重影响数据传输的准确性和稳定性.在高速数据传输中,如光通信系统,低相位噪声的晶体振荡器能够减少信号的相位抖动,使信号更加纯净,降低误码率,提高数据传输的可靠性.在长距离的光纤通信中,信号经过多次放大和转发,相位噪声会不断积累,如果晶体振荡器的相位噪声较高,信号在传输过程中就会发生严重的失真和误码,导致通信中断.而低相位噪声的晶体振荡器则能有效抑制这种相位噪声的积累,确保信号在长距离传输中的稳定性和准确性.
(二)适应复杂环境要求,ECS数据中心的运行环境复杂多变,温度,湿度,振动,冲击等因素都会对设备的正常运行产生影响,而晶体振荡器凭借其出色的性能优势,能够在这样的复杂环境中稳定工作.在温度适应性方面,晶体振荡器表现出色.数据中心的服务器在长时间运行过程中会产生大量热量,导致机房温度升高,而在一些特殊地区,数据中心还可能面临极端低温的环境.晶体振荡器能够在较宽的温度范围内保持稳定的频率输出.普通的晶体振荡器工作温度范围通常为-40℃至+85℃,而一些高性能的晶体振荡器,如采用特殊温补技术的温补晶体振荡器(TCXO晶振),其工作温度范围可进一步扩大,且在整个温度范围内频率漂移极小.在某位于高寒地区的数据中心,冬季室外温度可达-30℃以下,机房内的温补晶体振荡器通过内部的温度补偿电路,自动调整频率,确保在低温环境下仍能为服务器提供稳定的时钟信号,保障数据中心的正常运行.晶体振荡器在抗冲击和振动方面也毫不逊色.在数据中心的建设和维护过程中,设备可能会受到一定程度的振动和冲击,如运输过程中的颠簸,设备安装时的碰撞等.晶体振荡器采用特殊的封装材料和结构设计,能够有效抵抗这些外部的冲击和振动.一些晶体振荡器采用金属封装,内部的晶体元件通过特殊的固定方式与封装外壳连接,减少了振动对晶体振荡的影响.在数据中心的服务器升级过程中,工作人员在拆卸和安装服务器部件时,可能会对服务器内部的晶体振荡器产生一定的振动和冲击,但由于晶体振荡器良好的抗冲击和振动性能,其仍能保持稳定的工作状态,不会因这些外部因素而导致频率偏差或工作异常.
(三)支持未来技术发展,随着科技的飞速发展,ECS数据中心也在不断进行技术升级和拓展,而晶体振荡器在技术研发上的新进展,为其未来的发展提供了有力支持.小型化是晶体振荡器的重要发展趋势之一.随着数据中心设备的集成度越来越高,对晶体振荡器的体积要求也越来越小.晶圆级封装技术(WLP)的应用,使得晶体振荡器的尺寸大幅缩小.传统的晶体振荡器封装尺寸较大,而采用WLP技术的晶体振荡器,能够将晶体元件,电路和封装集成在一个微小的晶圆上,封装尺寸可缩小至传统封装的几分之一甚至更小.这种小型化的晶体振荡器不仅节省了电路板的空间,还提高了设备的集成度和可靠性,非常适合在未来高密度,小型化的数据中心设备中使用.低功耗也是晶体振荡器技术研发的重点方向.在数据中心,大量的设备持续运行需要消耗巨大的电能,降低设备的功耗对于节能减排和降低运营成本具有重要意义.新型的晶体振荡器通过优化电路设计和采用低功耗材料,有效降低了功耗.一些基于MEMS(微机电系统)技术的晶体振荡器,相比传统晶体振荡器,功耗降低了50%以上.在大规模的数据中心中,使用低功耗的晶体振荡器,每年可节省大量的电能,减少碳排放,同时也降低了数据中心的散热成本,提高了能源利用效率.除了小型化和低功耗,晶体振荡器在频率稳定性,相位噪声等性能指标上也在不断提升.未来,随着5G,6G通信技术的普及,以及人工智能,大数据,云计算等技术的深入发展,ECS数据中心对晶体振荡器的性能要求将越来越高.晶体振荡器将不断创新和发展,以满足这些未来技术发展的需求,为ECS数据中心的持续演进提供坚实的技术保障. 案例分析:成功应用的典范
(一)阿里云某大型数据中心,阿里云作为全球领先的云计算服务提供商,其旗下的众多ECS数据中心在全球范围内承载着海量的业务.以位于华东地区的某大型阿里云ECS数据中心为例,该数据中心为众多互联网企业,金融机构,政府部门等提供云计算服务,每日处理的数据量高达数PB,支撑着数以亿计的用户访问.在这个数据中心中,晶体振荡器发挥着至关重要的作用.数据中心内的服务器采用了高精度,低相位噪声的晶体振荡器,确保了服务器内部各个组件之间的时钟同步精度达到皮秒级.在服务器的CPU与内存之间的数据传输过程中,晶体振荡器提供的稳定时钟信号使得数据读写操作能够精准同步,大大提高了数据传输效率.在处理大规模的数据库查询任务时,由于晶体振荡器的高精度时钟保障,服务器能够在短时间内快速响应,平均查询响应时间缩短了30%,大大提升了业务处理效率.该数据中心的网络设备,如核心交换机和路由器,同样依赖晶体振荡器来实现精确的时钟同步和数据转发.在数据中心的网络架构中,不同区域的网络设备需要保持高度的时钟一致性,以确保数据包能够准确,快速地转发.晶体振荡器的高精度和稳定性,使得网络设备之间的时钟偏差控制在极小范围内,有效避免了因时钟不同步导致的数据传输错误和延迟.在应对突发的网络流量高峰时,数据中心的网络设备能够在晶体振荡器的支持下,快速调整数据转发策略,保障网络通信的顺畅.在某电商促销活动期间,该数据中心的网络流量瞬间增长了数倍,由于晶体振荡器的稳定工作,网络设备成功应对了流量冲击,保障了电商平台的正常运营,订单处理成功率达到了99.9%以上.
(二)腾讯云某数据中心,腾讯云的某数据中心主要服务于社交网络,游戏机设备晶振,视频等业务领域,其业务特点是数据流量巨大,实时性要求极高.在该数据中心的ECS架构中,晶体振荡器同样是不可或缺的关键组件.为了满足业务的高速数据传输需求,数据中心采用了低相位噪声的晶体振荡器,在视频直播业务中,视频数据需要实时,稳定地传输到用户终端,晶体振荡器的低相位噪声特性确保了视频流的稳定传输,有效降低了视频卡顿和花屏现象的发生.据统计,在采用了低相位噪声晶体振荡器后,该数据中心所服务的视频直播平台的卡顿率降低了50%,用户观看体验得到了极大提升.在应对复杂环境方面,该数据中心的晶体振荡器表现出色.数据中心所在地区夏季气温较高,机房内的温度时常接近40℃,晶体振荡器凭借其良好的温度适应性,在高温环境下依然能够保持稳定的频率输出,为服务器和网络设备提供可靠的时钟信号.在一次机房空调系统故障的紧急情况下,机房温度在短时间内迅速上升,但由于晶体振荡器的稳定工作,数据中心的关键业务系统在空调故障后的数小时内仍能正常运行,为技术人员修复空调系统争取了宝贵时间,避免了因机房温度过高导致的业务中断.这些成功案例充分展示了晶体振荡器在ECS数据中心网络架构变革中的关键作用,以及它们共同实现的网络架构优化成果和带来的巨大业务价值.
ECS数据中心与晶体振荡器重塑网络架构的黄金搭档
| ECS-2333-160-BN-TR | ECS晶振 | ECS-2333 | XO | 16 MHz | HCMOS | 3.3V | ±50ppm |
| ECS-2033-250-BN | ECS晶振 | ECS-2033 | XO | 25 MHz | CMOS | 3.3V | ±50ppm |
| ECS-2333-500-BN-TR | ECS晶振 | ECS-2333 | XO | 50 MHz | HCMOS | 3.3V | ±50ppm |
| ECS-2018-270-BN | ECS晶振 | ECS-2018 | XO | 27 MHz | HCMOS | 1.8V | ±50ppm |
| ECS-2018-240-BN-TR3 | ECS晶振 | ECS-2018 | XO | 24 MHz | HCMOS | 1.8V | ±50ppm |
| ECS-2033-500-BN | ECS晶振 | ECS-2033 | XO | 50 MHz | CMOS | 3.3V | ±50ppm |
| ECS-3963-250-BN-TR | ECS晶振 | ECS-3963-BN | XO | 25 MHz | HCMOS | 3.3V | ±50ppm |
| ECS-2033-240-BN | ECS晶振 | ECS-2033 | XO | 24 MHz | CMOS | 3.3V | ±50ppm |
| ECS-2033-120-BN | ECS晶振 | ECS-2033 | XO | 12 MHz | CMOS | 3.3V | ±50ppm |
| ECS-327MVATX-2-CN-TR3 | ECS晶振 | ECS-327MVATX | XO | 32.768 kHz | CMOS | 1.6V ~ 3.6V | ±25ppm |
| ECS-327MVATX-3-CN-TR | ECS晶振 | ECS-327MVATX | XO | 32.768 kHz | CMOS | 1.6V ~ 3.6V | ±25ppm |
| ECS-3225MV-260-CN-TR | ECS晶振 | ECS-3225MV | XO | 26 MHz | HCMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±25ppm |
| ECS-3225MV-240-BN-TR | ECS晶振 | ECS-3225MV | XO | 24 MHz | HCMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| ECS-2018-250-BN | ECS晶振 | ECS-2018 | XO | 25 MHz | HCMOS | 1.8V | ±50ppm |
| ECS-3225MV-500-CN-TR | ECS晶振 | ECS-3225MV | XO | 50 MHz | HCMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±25ppm |
| ECS-3225MV-120-BN-TR | ECS晶振 | ECS-3225MV | XO | 12 MHz | HCMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| ECS-3225MV-250-CN-TR3 | ECS晶振 | ECS-3225MV | XO | 25 MHz | HCMOS | 1.8V ~ 3.3V | ±25ppm |
| ECS-3225MV-160-BN-TR | ECS晶振 | ECS-3225MV | XO | 16 MHz | HCMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| ECS-3225MV-500-BN-TR | ECS晶振 | ECS-3225MV | XO | 50 MHz | HCMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| ECS-3225MV-160-CN-TR | ECS晶振 | ECS-3225MV | XO | 16 MHz | HCMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±25ppm |
| ECS-2520MV-160-CN-TR | ECS晶振 | ECS-2520MV | XO | 16 MHz | HCMOS | 1.6V ~ 3.6V | ±25ppm |
| ECS-2520MV-250-CN-TR | ECS晶振 | ECS-2520MV | XO | 25 MHz | HCMOS | 1.6V ~ 3.6V | ±25ppm |
| ECS-2520MV-250-BN-TR | ECS晶振 | ECS-2520MV | XO | 25 MHz | HCMOS | 1.6V ~ 3.6V | ±50ppm |
| ECS-2520MV-240-BN-TR | ECS晶振 | ECS-2520MV | XO | 24 MHz | HCMOS | 1.6V ~ 3.6V | ±50ppm |
| ECS-2520MV-120-BL-TR | ECS晶振 | ECS-2520MV | XO | 12 MHz | HCMOS | 1.6V ~ 3.6V | ±50ppm |
| ECS-5032MV-250-CN-TR | ECS晶振 | ECS-5032MV | XO | 25 MHz | HCMOS | 1.6V ~ 3.6V | ±25ppm |
| ECS-2520MV-480-BN-TR | ECS晶振 | ECS-2520MV | XO | 48 MHz | HCMOS | 1.6V ~ 3.6V | ±50ppm |
| ECS-2520MV-080-CN-TR | ECS晶振 | ECS-2520MV | XO | 8 MHz | HCMOS | 1.6V ~ 3.6V | ±25ppm |
| ECS-2033-240-BN-TR3 | ECS晶振 | ECS-2033 | XO | 24 MHz | CMOS | 3.3V | ±50ppm |
| ECS-2033-250-BN-TR3 | ECS晶振 | ECS-2033 | XO | 25 MHz | CMOS | 3.3V | ±50ppm |
| ECS-2520MV-500-BL-TR | ECS晶振 | ECS-2520MV | XO | 50 MHz | HCMOS | 1.6V ~ 3.6V | ±50ppm |
| ECS-2520MV-480-CN-TR | ECS晶振 | ECS-2520MV | XO | 48 MHz | HCMOS | 1.6V ~ 3.6V | ±25ppm |
| ECS-3225MV-250-CN-TR | ECS晶振 | ECS-3225MV | XO | 25 MHz | HCMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±25ppm |
| ECS-5032MV-240-CN-TR | ECS晶振 | ECS-5032MV | XO | 24 MHz | HCMOS | 1.6V ~ 3.6V | ±25ppm |
| ECS-3953M-480-B-TR | ECS晶振 | ECS-3953M | XO | 48 MHz | HCMOS | 3.3V | ±50ppm |
| ECS-5032MV-200-CN-TR | ECS晶振 | ECS-5032MV | XO | 20 MHz | HCMOS | 1.6V ~ 3.6V | ±25ppm |
| ECS-2520MVQ-250-CN-TR | ECS晶振 | ECS-2520MVQ | XO | 25 MHz | HCMOS | 1.6V ~ 3.6V | ±25ppm |
| ECS-5032MV-500-CN-TR | ECS晶振 | ECS-5032MV | XO | 50 MHz | HCMOS | 1.6V ~ 3.6V | ±25ppm |
| ECS-3963-040-BN-TR | ECS晶振 | ECS-3963-BN | XO | 4 MHz | HCMOS | 3.3V | ±50ppm |
| ECS-2520MVLC-075-BN-TR | ECS晶振 | ECS-2520MVLC | XO | 7.5728 MHz | CMOS | 1.6V ~ 3.6V | ±50ppm |
| ECS-2520MVLC-081.92-BN-TR | ECS晶振 | ECS-2520MVLC | XO | 8.192 MHz | CMOS | 1.6V ~ 3.6V | ±50ppm |
| ECS-2520MVLC-120-CN-TR | ECS晶振 | ECS-2520MVLC | XO | 12 MHz | CMOS | 1.6V ~ 3.6V | ±25ppm |
| ECS-2520MVLC-271.2-BN-TR | ECS晶振 | ECS-2520MVLC | XO | 27.12 MHz | CMOS | 1.6V ~ 3.6V | ±50ppm |
| ECS-2520MVLC-049-BN-TR | ECS晶振 | ECS-2520MVLC | XO | 4.9152 MHz | CMOS | 1.6V ~ 3.6V | ±50ppm |
| ECS-2520MVLC-250-CN-TR | ECS晶振 | ECS-2520MVLC | XO | 25 MHz | CMOS | 1.6V ~ 3.6V | ±25ppm |
| ECS-3951M-160-B-TR | ECS晶振 | ECS-3951M | XO | 16 MHz | HCMOS | 5V | ±50ppm |
| ECS-5032MV-122.8-CN-TR | ECS晶振 | ECS-5032MV | XO | 12.288 MHz | HCMOS | 1.6V ~ 3.6V | ±25ppm |
| ECS-327MVATX-7-CN-TR | ECS晶振 | ECS-327MVATX | XO | 32.768 kHz | CMOS | 1.6V ~ 3.6V | ±25ppm |
| ECS-5032MV-1250-CN-TR | ECS晶振 | ECS-5032MV | XO | 125 MHz | HCMOS | 1.6V ~ 3.6V | ±25ppm |
| ECS-2018-143-BN | ECS晶振 | ECS-2018 | XO | 14.31818 MHz | HCMOS | 1.8V | ±50ppm |
| ECS-327ATQMV-AS-TR | ECS晶振 | ECS-327ATQMV | XO | 32.768 kHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±100ppm |
| ECS-3963-120-BN-TR | ECS晶振 | ECS-3963-BN | XO | 12 MHz | HCMOS | 3.3V | ±50ppm |
| ECS-3225MVQ-1000-CN-TR | ECS晶振 | ECS-3225MVQ | XO | 100 MHz | HCMOS | 1.7V ~ 3.6V | ±25ppm |
| ECS-3953M-250-B-TR | ECS晶振 | ECS-3953M | XO | 25 MHz | HCMOS | 3.3V | ±50ppm |
| ECS-3963-250-AU-TR | ECS晶振 | ECS-3963 | XO | 25 MHz | HCMOS | 3.3V | ±100ppm |
| ECS-3953M-500-BN-TR | ECS晶振 | ECS-3953M-BN | XO | 50 MHz | HCMOS | 3.3V | ±50ppm |
| ECS-3951M-160-BN-TR | ECS晶振 | ECS-3951M-BN | XO | 16 MHz | HCMOS | 5V | ±50ppm |
| ECS-3953M-250-BN-TR | ECS晶振 | ECS-3953M-BN | XO | 25 MHz | HCMOS | 3.3V | ±50ppm |
| ECS-3953M-120-BN-TR | ECS晶振 | ECS-3953M-BN | XO | 12 MHz | HCMOS | 3.3V | ±50ppm |
| ECS-3953M-018-BN-TR | ECS晶振 | ECS-3953M-BN | XO | 1.8432 MHz | HCMOS | 3.3V | ±50ppm |

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