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KT5032F20000KAW33T,KYOCERA高精度晶振,KT5032F汽车电子晶振

频率:20MHz

尺寸:5032mm

KT5032F20000KAW33T,KYOCERA高精度晶振,KT5032F汽车电子晶振,其采用5.0mm×3.2mm的5032石英振荡器标准封装尺寸,这一规格经过优化,能够完美适配汽车电子设备内部密集的元器件布局,无论是车载ECU(电子控制单元)的狭小空间,还是信息娱乐系统的模块腔体,都能轻松安装.20MHz的标称频率经过精密校准,输出稳定且精准,可为汽车电子系统中的发动机控制模块,变速箱控制单元,车身稳定系统等各类关键控制模块提供可靠的时钟信号.依托京瓷在晶体制造领域数十年的技术积累,其高精度特性得以充分保障,即使在车辆急加速,急减速,颠簸行驶等复杂车况下,频率输出的一致性仍能得到严格控制,确保各电子模块之间的指令传输与数据交互精准无误.
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JLXNR-1

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KT5032F20000KAW33T,KYOCERA高精度晶振,KT5032F汽车电子晶振

KT5032F20000KAW33T在汽车电子领域的应用优势尤为明显,作为KYOCERA京瓷热敏晶振的高精度晶振,它具备卓越的环境适应性.汽车运行过程中面临的环境挑战极为复杂,从零下40℃的严寒冬季到零上85℃的高温夏季,温度波动剧烈,同时还会遭遇来自发动机振动,路面颠簸等产生的剧烈振动,而该晶振经过严格的环境可靠性测试,能够在-40℃至+125℃的宽温范围内稳定工作,且可承受100G的冲击加速度和20G的持续振动.5032贴片晶振封装采用高强度陶瓷材料与精密密封工艺,坚固的设计进一步增强了其抗外界干扰与耐机械应力的能力,大幅提升了产品的可靠性.20MHz的稳定频率为车载电子控制单元提供了精准的时间基准,确保发动机,刹车,转向等系统之间的协同工作无缝衔接,从根本上提升了车辆的驾驶安全性.

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KT5032F20000KAW33T,KYOCERA高精度晶振,KT5032F汽车电子晶振

原厂型号 Original model : KT5032F20000KAW33T 品牌 brand : 京瓷晶振
Manufacturer品牌 京瓷晶振 Operating Temperature温度  -40 ~ +85°C
Series型号 KT3225K石英晶振 Current - Supply (Max)  -
Type 类型 TCXO Package Height高度 1.7mm
Frequency 频率 20M Termination  脚位 10 pads
输出方式 Output: cmos Package Type  封装类型 10-SMD
Voltage - Supply电压 3.3V Packaging  包装 Tape and Reel
Frequency Stability频率稳定度 ±0.28ppm 安装方式 Installation : Surface mount
Size / Dimension 尺寸 5032mm 最小包装数 MPQ : 1000

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KT5032F20000KAW33T,KYOCERA高精度晶振,KT5032F汽车电子晶振

KT5032F

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KT5032F20000KAW33T,KYOCERA高精度晶振,KT5032F汽车电子晶振

KC2016K1.50000C10E00 2.0 x 1.6mm 0.8 1.5 -10 70 ± 50 CMOS
KC2016K1.50000C16E00 2.0 x 1.6mm 0.8 1.5 -40 105 ± 50 CMOS
KC2016K1.50000C1GE00 2.0 x 1.6mm 0.8 1.5 -40 85 ± 50 CMOS
KC2016K1.50000C1SE00 2.0 x 1.6mm 0.8 1.5 -10 70 ± 30 CMOS
KC2016K1.50000C1UE00 2.0 x 1.6mm 0.8 1.5 -10 70 ± 25 CMOS
KC2016K1.84320C10E00 2.0 x 1.6mm 0.8 1.8432 -10 70 ± 50 CMOS
KC2016K1.84320C16E00 2.0 x 1.6mm 0.8 1.8432 -40 105 ± 50 CMOS
KC2016K1.84320C1GE00 2.0 x 1.6mm 0.8 1.8432 -40 85 ± 50 CMOS
KC2016K1.84320C1SE00 2.0 x 1.6mm 0.8 1.8432 -10 70 ± 30 CMOS
KC2016K1.84320C1UE00 2.0 x 1.6mm 0.8 1.8432 -10 70 ± 25 CMOS
KC2016K10.0000C10E00 2.0 x 1.6mm 0.8 10 -10 70 ± 50 CMOS
KC2016K10.0000C16E00 2.0 x 1.6mm 0.8 10 -40 105 ± 50 CMOS
KC2016K10.0000C1GE00 2.0 x 1.6mm 0.8 10 -40 85 ± 50 CMOS
KC2016K10.0000C1SE00 2.0 x 1.6mm 0.8 10 -10 70 ± 30 CMOS
KC2016K10.0000C1UE00 2.0 x 1.6mm 0.8 10 -10 70 ± 25 CMOS
KC2016K10.2400C10E00 2.0 x 1.6mm 0.8 10.24 -10 70 ± 50 CMOS
KC2016K10.2400C16E00 2.0 x 1.6mm 0.8 10.24 -40 105 ± 50 CMOS
KC2016K10.2400C1GE00 2.0 x 1.6mm 0.8 10.24 -40 85 ± 50 CMOS
KC2016K10.2400C1SE00 2.0 x 1.6mm 0.8 10.24 -10 70 ± 30 CMOS
KC2016K10.2400C1UE00 2.0 x 1.6mm 0.8 10.24 -10 70 ± 25 CMOS
KC2016K10.5554C10E00 2.0 x 1.6mm 0.8 10.5554 -10 70 ± 50 CMOS
KC2016K10.5554C16E00 2.0 x 1.6mm 0.8 10.5554 -40 105 ± 50 CMOS
KC2016K10.5554C1GE00 2.0 x 1.6mm 0.8 10.5554 -40 85 ± 50 CMOS
KC2016K10.5554C1SE00 2.0 x 1.6mm 0.8 10.5554 -10 70 ± 30 CMOS
KC2016K10.5554C1UE00 2.0 x 1.6mm 0.8 10.5554 -10 70 ± 25 CMOS
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KC2016K11.2896C10E00 2.0 x 1.6mm 0.8 11.2896 -10 70 ± 50 CMOS
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KC2016K11.2896C1SE00 2.0 x 1.6mm 0.8 11.2896 -10 70 ± 30 CMOS
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KC2016K12.4560C10E00 2.0 x 1.6mm 0.8 12.456 -10 70 ± 50 CMOS
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KC2016K12.4560C1SE00 2.0 x 1.6mm 0.8 12.456 -10 70 ± 30 CMOS
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KC2016K12.5000C10E00 2.0 x 1.6mm 0.8 12.5 -10 70 ± 50 CMOS
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KC2016K12.5000C1SE00 2.0 x 1.6mm 0.8 12.5 -10 70 ± 30 CMOS
KC2016K12.5000C1UE00 2.0 x 1.6mm 0.8 12.5 -10 70 ± 25 CMOS
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KC2016K125.000C1GE00 2.0 x 1.6mm 0.8 125 -40 85 ± 50 CMOS
KC2016K125.000C1SE00 2.0 x 1.6mm 0.8 125 -10 70 ± 30 CMOS
KC2016K125.000C1UE00 2.0 x 1.6mm 0.8 125 -10 70 ± 25 CMOS

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