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KT2520K26000CGU30T,KYOCERA京瓷热敏晶振,2520石英晶体振荡器

频率:26MHz

尺寸:2.50mm x 2.00mm

KT2520K26000CGU30T,KYOCERA京瓷热敏晶振,2520石英晶体振荡器,电子设备对频率控制精度和环境适应性要求日益提升的背景下,KT2520K26000CGU30T作为日本京瓷旗下的一款热敏晶振,同时也是2520热敏晶振规格的石英晶体振荡器,采用高纯度,低缺陷的石英晶体作为谐振核心,通过精密切割与抛光工艺,使其具备稳定的物理谐振特性,为频率精度提供了基础保障。凭借京瓷在晶体器件领域的尖端技术与严谨制造工艺,在通信,工业控制等多个领域展现出卓越的性能,成为精密电子系统中不可或缺的关键元件
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JLXNR-1

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KT2520K26000CGU30T,KYOCERA京瓷热敏晶振,2520石英晶体振荡器


KT2520K26000CGU30T的型号蕴含着丰富的规格信息:"2520"明确标示了其封装尺寸为2.5mm×2.0mm,属于2520系列石英晶体振荡器的标准规格。这一尺寸相比更小的2016规格略大,但仍保持了小型化的优势,能够适配于对空间有一定要求但无需极致紧凑设计的电子设备,如小型基站,工业传感器模块,汽车电子控制单元等.
作为表面贴装型器件,KT2520K26000CGU30T采用标准化的贴片设计,可与其他表面贴装元器件兼容自动化生产线,实现高效批量焊接,不仅提升了生产效率,还能通过减少人工干预降低误差,确保产品性能的一致性。其标称频率为26MHz,这一频率在通信设备的射频模块,数据处理单元中应用广泛,能够为信号的调制解调,数据传输提供稳定的时钟基准.


JLXNR-2

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KT2520K26000CGU30T,KYOCERA京瓷热敏晶振,2520石英晶体振荡器

原厂型号 Original model : KT2520K26000CGU30T 品牌 brand : 京瓷晶振
Manufacturer品牌 京瓷晶振 Operating Temperature温度  -10 ~ +75°C
Series型号 KT2520K Current - Supply (Max)  -
Type 类型 TCXO温补晶振 Package Height高度 0.8mm
Frequency 频率 26M Termination  脚位 6 pads
输出方式 Output: 削峰正弦波 Package Type  封装类型 6-SMD
Voltage - Supply电压 3.0V Packaging  包装 Tape and Reel
Frequency Stability频率稳定度 ±1.5ppm 安装方式 Installation : Surface mount
Size / Dimension 尺寸 2520mm 最小包装数 MPQ : 3000

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KT2520K26000CGU30T,KYOCERA京瓷热敏晶振,2520石英晶体振荡器

KT2520K

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KT2520K26000CGU30T,KYOCERA京瓷热敏晶振,2520石英晶体振荡器

KC2016K1.50000C10E00 2.0 x 1.6mm 0.8 1.5 -10 70 ± 50 CMOS
KC2016K1.50000C16E00 2.0 x 1.6mm 0.8 1.5 -40 105 ± 50 CMOS
KC2016K1.50000C1GE00 2.0 x 1.6mm 0.8 1.5 -40 85 ± 50 CMOS
KC2016K1.50000C1SE00 2.0 x 1.6mm 0.8 1.5 -10 70 ± 30 CMOS
KC2016K1.50000C1UE00 2.0 x 1.6mm 0.8 1.5 -10 70 ± 25 CMOS
KC2016K1.84320C10E00 2.0 x 1.6mm 0.8 1.8432 -10 70 ± 50 CMOS
KC2016K1.84320C16E00 2.0 x 1.6mm 0.8 1.8432 -40 105 ± 50 CMOS
KC2016K1.84320C1GE00 2.0 x 1.6mm 0.8 1.8432 -40 85 ± 50 CMOS
KC2016K1.84320C1SE00 2.0 x 1.6mm 0.8 1.8432 -10 70 ± 30 CMOS
KC2016K1.84320C1UE00 2.0 x 1.6mm 0.8 1.8432 -10 70 ± 25 CMOS
KC2016K10.0000C10E00 2.0 x 1.6mm 0.8 10 -10 70 ± 50 CMOS
KC2016K10.0000C16E00 2.0 x 1.6mm 0.8 10 -40 105 ± 50 CMOS
KC2016K10.0000C1GE00 2.0 x 1.6mm 0.8 10 -40 85 ± 50 CMOS
KC2016K10.0000C1SE00 2.0 x 1.6mm 0.8 10 -10 70 ± 30 CMOS
KC2016K10.0000C1UE00 2.0 x 1.6mm 0.8 10 -10 70 ± 25 CMOS
KC2016K10.2400C10E00 2.0 x 1.6mm 0.8 10.24 -10 70 ± 50 CMOS
KC2016K10.2400C16E00 2.0 x 1.6mm 0.8 10.24 -40 105 ± 50 CMOS
KC2016K10.2400C1GE00 2.0 x 1.6mm 0.8 10.24 -40 85 ± 50 CMOS
KC2016K10.2400C1SE00 2.0 x 1.6mm 0.8 10.24 -10 70 ± 30 CMOS
KC2016K10.2400C1UE00 2.0 x 1.6mm 0.8 10.24 -10 70 ± 25 CMOS
KC2016K10.5554C10E00 2.0 x 1.6mm 0.8 10.5554 -10 70 ± 50 CMOS
KC2016K10.5554C16E00 2.0 x 1.6mm 0.8 10.5554 -40 105 ± 50 CMOS
KC2016K10.5554C1GE00 2.0 x 1.6mm 0.8 10.5554 -40 85 ± 50 CMOS
KC2016K10.5554C1SE00 2.0 x 1.6mm 0.8 10.5554 -10 70 ± 30 CMOS
KC2016K10.5554C1UE00 2.0 x 1.6mm 0.8 10.5554 -10 70 ± 25 CMOS
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KC2016K100.000C16E00 2.0 x 1.6mm 0.8 100 -40 105 ± 50 CMOS
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KC2016K100.000C1SE00 2.0 x 1.6mm 0.8 100 -10 70 ± 30 CMOS
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KC2016K11.2896C10E00 2.0 x 1.6mm 0.8 11.2896 -10 70 ± 50 CMOS
KC2016K11.2896C16E00 2.0 x 1.6mm 0.8 11.2896 -40 105 ± 50 CMOS
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KC2016K11.2896C1SE00 2.0 x 1.6mm 0.8 11.2896 -10 70 ± 30 CMOS
KC2016K11.2896C1UE00 2.0 x 1.6mm 0.8 11.2896 -10 70 ± 25 CMOS
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KC2016K12.0000C1SE00 2.0 x 1.6mm 0.8 12 -10 70 ± 30 CMOS
KC2016K12.0000C1UE00 2.0 x 1.6mm 0.8 12 -10 70 ± 25 CMOS
KC2016K12.2880C10E00 2.0 x 1.6mm 0.8 12.288 -10 70 ± 50 CMOS
KC2016K12.2880C16E00 2.0 x 1.6mm 0.8 12.288 -40 105 ± 50 CMOS
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KC2016K12.4560C10E00 2.0 x 1.6mm 0.8 12.456 -10 70 ± 50 CMOS
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KC2016K125.000C10E00 2.0 x 1.6mm 0.8 125 -10 70 ± 50 CMOS
KC2016K125.000C16E00 2.0 x 1.6mm 0.8 125 -40 105 ± 50 CMOS
KC2016K125.000C1GE00 2.0 x 1.6mm 0.8 125 -40 85 ± 50 CMOS
KC2016K125.000C1SE00 2.0 x 1.6mm 0.8 125 -10 70 ± 30 CMOS
KC2016K125.000C1UE00 2.0 x 1.6mm 0.8 125 -10 70 ± 25 CMOS


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