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KT1612A26000BCW18T,TCXO水晶振荡器,KT1612A移动通信晶振

频率:26MHz

尺寸:1612mm

KT1612A26000BCW18T,TCXO水晶振荡器,KT1612A移动通信晶振,日本京瓷石英晶振在移动终端中,它为设备的基带处理芯片,射频收发模块等提供精准的时钟参考,保障设备能够快速,准确地实现信号的调制,解调与传输,确保用户在通话,上网,视频流播放等各类通信应用中获得流畅,稳定的体验.在基站设备中,其稳定的频率输出对于保障基站与众多移动终端之间的高效,可靠通信连接,实现大流量数据的快速传输与处理,提升整个移动通信网络的覆盖范围与通信质量具有不可替代的作用
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KT1612A26000BCW18T,TCXO水晶振荡器,KT1612A移动通信晶振

KT1612A26000BCW18T作为一款先进的晶振产品,其在尺寸设计上充分体现了微型化的趋势.采用类似泰晶科技研发的1612贴片晶振的超小尺寸封装技术,能够轻松适配各类对空间极为敏感的电子设备.在智能穿戴设备领域,如智能手表,无线耳机等,其小巧的身形可灵活嵌入狭小的内部空间,为产品实现更轻薄的外观设计以及更多功能模块的集成创造了有利条件.
TCXO(温度补偿晶体振荡器)水晶振荡器是频率控制领域的高端产品,泰艺的该系列产品在技术上实现了诸多突破.在温度补偿机制方面,采用了先进的温补芯片设计以及复杂的补偿算法,能够对晶体因温度变化而产生的频率漂移进行精确修正.经过严格的高低温循环测试,可在-40℃至+85℃的超宽温度范围内,将频率偏差稳定控制在±30ppm以内,远远超越了普通晶体振荡器的性能指标.这种极高的频率稳定性使其在对频率精度要求近乎苛刻的应用场景中成为不二之选.在5G通信基站中,精准的频率同步是保障信号传输稳定性,降低信号干扰与误码率的关键.TCXO振荡器为基站的射频模块,信号处理单元等提供高度精准的时钟信号,确保不同基站之间以及基站与终端设备之间的通信顺畅,有力推动了5G网络高速率,低时延特性的实现.同时,在卫星通信,航空航天等高端领域,其稳定的频率输出对于保障数据的可靠传输,设备的精准控制同样起着至关重要的作用

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原厂型号 Original model : KT1612A26000BCW18T 品牌 brand : 京瓷晶振
Manufacturer品牌 京瓷晶振 Operating Temperature温度  -30 ~ +85°C
Series型号 KT1612A Current - Supply (Max)  -
Type 类型 TCXO Package Height高度 0.55mm
Frequency 频率 26MHz Termination  脚位 4 pads
输出方式 Output: CMOS Package Type  封装类型 4-SMD
Voltage - Supply电压 1.8V Packaging  包装 Tape and Reel
Frequency Stability频率稳定度 ±1.0 ppm 安装方式 Installation : Surface mount
Size / Dimension 尺寸 1612mm 最小包装数 MPQ : 3000

KT1612A26000BCW18T,TCXO水晶振荡器,KT1612A移动通信晶振

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KT1612A26000BCW18T,TCXO水晶振荡器,KT1612A移动通信晶振

KT1612A_1.6_1.2 TCXO

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KT1612A26000BCW18T,TCXO水晶振荡器,KT1612A移动通信晶振

KC2016K1.50000C10E00 2.0 x 1.6mm 0.8 1.5 -10 70 ± 50 CMOS
KC2016K1.50000C16E00 2.0 x 1.6mm 0.8 1.5 -40 105 ± 50 CMOS
KC2016K1.50000C1GE00 2.0 x 1.6mm 0.8 1.5 -40 85 ± 50 CMOS
KC2016K1.50000C1SE00 2.0 x 1.6mm 0.8 1.5 -10 70 ± 30 CMOS
KC2016K1.50000C1UE00 2.0 x 1.6mm 0.8 1.5 -10 70 ± 25 CMOS
KC2016K1.84320C10E00 2.0 x 1.6mm 0.8 1.8432 -10 70 ± 50 CMOS
KC2016K1.84320C16E00 2.0 x 1.6mm 0.8 1.8432 -40 105 ± 50 CMOS
KC2016K1.84320C1GE00 2.0 x 1.6mm 0.8 1.8432 -40 85 ± 50 CMOS
KC2016K1.84320C1SE00 2.0 x 1.6mm 0.8 1.8432 -10 70 ± 30 CMOS
KC2016K1.84320C1UE00 2.0 x 1.6mm 0.8 1.8432 -10 70 ± 25 CMOS
KC2016K10.0000C10E00 2.0 x 1.6mm 0.8 10 -10 70 ± 50 CMOS
KC2016K10.0000C16E00 2.0 x 1.6mm 0.8 10 -40 105 ± 50 CMOS
KC2016K10.0000C1GE00 2.0 x 1.6mm 0.8 10 -40 85 ± 50 CMOS
KC2016K10.0000C1SE00 2.0 x 1.6mm 0.8 10 -10 70 ± 30 CMOS
KC2016K10.0000C1UE00 2.0 x 1.6mm 0.8 10 -10 70 ± 25 CMOS
KC2016K10.2400C10E00 2.0 x 1.6mm 0.8 10.24 -10 70 ± 50 CMOS
KC2016K10.2400C16E00 2.0 x 1.6mm 0.8 10.24 -40 105 ± 50 CMOS
KC2016K10.2400C1GE00 2.0 x 1.6mm 0.8 10.24 -40 85 ± 50 CMOS
KC2016K10.2400C1SE00 2.0 x 1.6mm 0.8 10.24 -10 70 ± 30 CMOS
KC2016K10.2400C1UE00 2.0 x 1.6mm 0.8 10.24 -10 70 ± 25 CMOS
KC2016K10.5554C10E00 2.0 x 1.6mm 0.8 10.5554 -10 70 ± 50 CMOS
KC2016K10.5554C16E00 2.0 x 1.6mm 0.8 10.5554 -40 105 ± 50 CMOS
KC2016K10.5554C1GE00 2.0 x 1.6mm 0.8 10.5554 -40 85 ± 50 CMOS
KC2016K10.5554C1SE00 2.0 x 1.6mm 0.8 10.5554 -10 70 ± 30 CMOS
KC2016K10.5554C1UE00 2.0 x 1.6mm 0.8 10.5554 -10 70 ± 25 CMOS
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KC2016K12.0000C1SE00 2.0 x 1.6mm 0.8 12 -10 70 ± 30 CMOS
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KC2016K12.4560C10E00 2.0 x 1.6mm 0.8 12.456 -10 70 ± 50 CMOS
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KC2016K12.5000C1UE00 2.0 x 1.6mm 0.8 12.5 -10 70 ± 25 CMOS
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KC2016K125.000C1GE00 2.0 x 1.6mm 0.8 125 -40 85 ± 50 CMOS
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KC2016K125.000C1UE00 2.0 x 1.6mm 0.8 125 -10 70 ± 25 CMOS

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