Renesas晶振,XAL335125.000000I,3225mm,6G低相噪晶振
频率:125MHZ
尺寸:3.2mm x 2.5mm
Renesas晶振,XAL335125.000000I,3225mm,6G低相噪晶振,Renesas晶振,XA有源晶振,XAL335125.000000I晶振,3225mm晶振,超精密晶体振荡器,进口贴片晶振,频率125MHz,工作温度-40~85°C,电压3.3V,低相噪晶振,低成本晶振,6G应用晶振,移动应用晶振,消费电子产品晶振,车载应用晶振.
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Renesas晶振,XAL335125.000000I,3225mm,6G低相噪晶振特点:
•符合AEC-Q200标准
•频率范围:0.750MHz至1350MHz
•输出类型:LVDS, LVPECL, LVCMOS
•频率稳定性:±25,±50,或±100 ppm
•供电电压:2.5V或3.3V
•相位抖动(12kHz至20MHz): 750fs至890fs典型
•包装选项:
•3.2 × 2.5 × 1.0 mm
•5.0 × 3.2 × 1.2毫米
•工作温度:-40°C至+85°C(3级)
•稳定性选项:±25,±50,或±100 ppm
•工作温度:-40°C至+105°C(2级)
•频率稳定性选项:±50或±100 ppm
Renesas晶振,XAL335125.000000I,3225mm,6G低相噪晶振参数表
3ps Typ
项目
符号
规格说明
条件
额定频率
f_nom
125MHz
请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息
电源电压
Vcc
3.3V±0.3V
储存温度
T_stg
-55℃~+125℃
裸存
工作温度
T_use
-40℃~ +85℃
频率公差(标准)
f_tol
±50 ppm
+25℃,超出标准的规格说明请联系我们以便获取相关信息
供电电流
IDD
100mA Max
OE=Vcc,L LVDS
差分输出电压
VOD
0.6V Max
VDD = 3.3V ±5%.
对称性
SYM
45%~55%
At outputs crossing point
输出负载
L_LVDS
100Ω
LVDS
输入电压
VIH
70%Vcc Min
LVDS
VIL
30%Vcc Max
上升下降时间
tr/tf
400ps Max
LVDS 20% to 80% Vpp
起始时间
t str
10ms Max
VDD达到最小指定水平后输出有效时间
周期抖动
JPER
LVDS
相位抖动
tpj
890fs Typ
12KHZ~20MHz
老化
f_aging
±10ppm/year
+25℃,第一年,Vcc=2.5V,3.3V
Renesas晶振,XAL335125.000000I,3225mm,6G低相噪晶振尺寸图
公司名:深圳市金洛鑫电子有限公司
联系人:茹红青
手机:13510569637
电话:0755-27837162
QQ号:657116624
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搜狐公众号:晶振石英晶振NDK晶振
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