进口金属面2016mm石英晶振,SMD型高精度无源晶体,NX2016SA晶振

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NDK晶振,石英晶振,NX2016SA晶振

频率：20.000MHz~80.000MHz

尺寸：2.0*1.6*0.45mm

贴片石英晶体,体积小,焊接可采用自动贴片系统,产品本身小型,表面贴片晶振,特别适用于有小型化要求的电子数码产品市场领域,因产品小型,薄型优势,耐环境特性,包括耐高温,耐冲击性等,在移动通信领域得到了广泛的应用.

订购热线：0755-27837162

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NDK-1 日本电波工业株式会社作为晶体元器件的专业生产厂家，以“通过对客户的服务，为社会繁荣和世界和平作出贡献”的创业理念为基础于1948年成立。创造利益，提升企业价值的同时，为了继续提升企业的价值，我们认为维持经营的透明性，确实尽到对各位股份持有者说明的责任这样的公司治理的构筑必不可少，我们把其放在经营最重要的课题之一的位置。进口金属面2016mm石英晶振,SMD型高精度无源晶体,NX2016SA晶振

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NDK晶振,石英晶振,NX2016SA晶振,日本知名的晶体元器件生产厂家,主要生产小体积SMD型的金属外壳石英晶振和陶瓷表面的压电石英晶体,其中最多客户使用的是NX2016SA晶振,因为这颗晶体的尺寸极小只有2.0*1.6mm,而且标准的精度是±15ppm,负载电容是8pF,性能优越应用在任何智能科技产品上都可以发挥出优良的电气特性.

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NDK晶振	符号	NX2016SA晶振	基本信息对照表
Crystal标准频率	f_nom	20.000MHz~80.000MHz
储存温度	T_stg	-40°C~+85°C	裸存
工作温度	T_use	-40°C~+85°C	NDK晶振特定的温度
激励功率	DL	0.5μW (1.0μW Max.)	如你有最大激励功率为1.0μW 需求,请联系我们金洛鑫电子
精度	f_— l	±15ppm	如有需要更高的精度可以特定.
拐点温度	Ti	+25°C ±5°C
负载电容	CL	8pF	可按客户需求指定
串联电阻（ESR）	R1	70kΩ Max.	70kΩ — 45kΩ
频率老化	f_age	±3 ×10-6 / year Max.	+25°C, 第一年

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NX2016SA

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操作
请勿用镊子或任何坚硬的工具，夹具直接接触IC的表面。NDK晶振,石英晶振,NX2016SA晶振
使用环境（温度和湿度）
请在规定的温度范围内使用耐高温晶振。这个温度涉及本体的和季节变化的温度。在高湿环境下，会由于凝露引起故障。请避免凝露的产生。
激励功率
在晶体单元上施加过多驱动力，会导致石英晶振特性受到损害或破坏。电路设计必须能够维持适当的激励功率（请参阅“激励功率”章节内容）。
负极电阻
除非振荡回路中分配足够多的负极电阻，否则振荡或振荡启动时间可能会增加（请参阅“关于振荡”章节内容）。
负载电容
振荡电路中负载电容的不同，可能导致石英晶体谐振器振荡频率与设计频率之间产生偏差。试图通过强力调整，可能只会导致不正常的振荡。在使用之前，请指明该振动电路的负载电容（请参阅“负载电容”章节内容）。进口金属面2016mm石英晶振,SMD型高精度无源晶体,NX2016SA晶振

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振荡电路的检查方法
振荡频率测量必须尽可能地测量安装在电路上的谐振器的振荡频率的真实值，使用正确的方法。在振荡频率的测量中，通常使用探头和频率计数器。然而,我们的目标是通过限制测量工具对振荡电路本身的影响来测量。NDK晶振,石英晶振,NX2016SA晶振
有三种频率测量模式，如下面的图所示（图）。2, 3和4）。最精确的测量方法是通过使用任何能够精确测量的频谱分析仪来实现的。
接触振荡电路。
探针不影响图2，因为缓冲器的输出是通过输入振荡电路的输出来测量的。
逆变器进入下一阶段。
探针不影响图3，因为在IC上测量缓冲器输出（1/1、1/2等）。
图4示出了来自ic的无缓冲器输出接收的情况，由此通过小尺寸测量来最小化探针的效果。
输出点之间的电容（3 pF以下XTAL终端IC）和探针。
然而，应该注意到，使用这种方法输出波形较小，测量不能依赖于
即使示波器能检查振荡波形，频率计数器的灵敏度也可以。在这种情况下，使用放大器来测量。进口金属面2016mm石英晶振,SMD型高精度无源晶体,NX2016SA晶振