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热门关键词 : 石英晶体谐振器进口晶振精工晶振京瓷晶振西铁城晶振鸿星晶振石英晶振加高晶振希华晶振NDK晶振村田晶振

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鸿星晶振,陶瓷面晶体,E3FB晶振

频率:10.000MHz~115.000MHz

尺寸:3.2*2.5*0.9mm

贴片晶振本身体积小,超薄型石英晶体谐振器,特别适用于有目前高速发展的高端电子数码产品,因为晶振本身小型化需求的市场领域,产品广泛用于笔记本电脑,无线电话,卫星导航HDD, SSD, USB, Blu-ray等用途,符合无铅焊接的高温回流焊曲线特性.
订购热线:0755-27837162
QQ咨询 点击这里给我发消息

HX-2

公元1991年于台湾投入石英晶体之研发制造、1991年鸿星电子开始于中国大陆拓展生产基地,至今拥有四处生产基地、九处营销及FAE据点及十个营销代表处。鸿星集团,现在,是一家专业生产石英晶体谐振器、晶体振荡器制造商在世界上。自1979以来,我们一直致力于双直插封装(DIP)和表面贴装器件(SMD)石英晶体的研究、设计、制造和销售。
优秀同仁是公司无价的资产,也是公司成长发展的伙伴,更是维系公司竞争力与创造价值的命脉。在以人为本,充分尊重人性的理念上,我们以沟通来达成共识,以相互尊重维系组织和谐气氛,创造适性的工作环境,让鸿星成为一个高度凝聚力的大家庭。

JLX-1

HX-1

鸿星晶振,陶瓷面晶体,E3FB晶振.3225mm体积非常小的SMDcrystal器件,是民用小型无线数码产品的最佳选择,小体积的晶振被广泛应用到,手机蓝牙,GPS定位系统,无线通讯集,高精度和高频率的稳定性能,非常好的减少电磁干扰的影响,是民用无线数码产品最好的选择,符合RoHS/无铅.3225陶瓷面晶振,无源压电石英晶体谐振器,E3FB晶振
鸿星晶振高精密点胶技术:石英晶振晶片胶点的位置、大小:位置准确度以及胶点大小一致性,通过图像识别及高精密度数字定位系统的运用、使石英晶振晶片的点胶的精度在±0.02mm之内。将被上银电极的晶片装在弹簧支架上,点上导电胶,并高温固化,通过弹簧即可引出电信号。

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RB-2

鸿星晶振

单位

E3FB晶振

石英晶振基本条件

标准频率

f_nom

10.000MHZ~115.000MHZ

标准频率

储存温度

T_stg

-40°C  +125°C

裸存

工作温度

T_use

-40°C  +85°C

标准温度

激励功率

DL

200μW Max.

推荐:1μW  100μW

频率公差

f_— l

±50 × 10-6 (标准),
(±15 × 10-6 
 ±50 × 10-6 可用)

+25°C 对于超出标准的规格说明,
请联系我们以便获取相关的信息,http://www.quartzcrystal.cn/

频率温度特征

f_tem

±30 × 10-6/-20°C  +70°C

超出标准的规格请联系我们.

负载电容

CL

8pF ,10PF,12PF,20PF

不同负载电容要求,请联系我们.

串联电阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C —  +85°C, DL = 100μW

频率老化

f_age

±5 × 10-6 / year Max.

+25°C,第一年

JLX-3

RB-3

E1SB(Former HCX-1AB) 2016

JLX-4

RB-4

操作
请勿用镊子或任何坚硬的工具,夹具直接接触IC的表面。
使用环境(温度和湿度)
请在规定的温度范围内使用耐高温晶振。这个温度涉及本体的和季节变化的温度。在高湿环境下,会由于凝露引起故障。请避免凝露的产生。3225陶瓷面晶振,无源压电石英晶体谐振器,E3FB晶振
晶体单元/谐振器
激励功率
在晶体单元上施加过多驱动力,会导致石英晶振特性受到损害或破坏。电路设计必须能够维持适当的激励功率 (请参阅“激励功率”章节内容)。
负极电阻
除非振荡回路中分配足够多的负极电阻,否则振荡或振荡启动时间可能会增加(请参阅“关于振荡”章节内容)。
负载电容
振荡电路中负载电容的不同,可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差。试图通过强力调整,可能只会导致不正常的振荡。在使用之前,请指明该振动电路的负载电容(请参阅“负载电容”章节内容)。鸿星晶振,石英晶振,E1SB晶振

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RB-5

设计振荡回路的注意事项
1.驱动能力
驱动能力说明振荡晶体单元所需电功率,其计算公式如下:
驱动能力 (P) = i2_Re
其中i表示经过晶体单元的电流,
Re表示晶体单元的有效电阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。3225陶瓷面晶振,无源压电石英晶体谐振器,E3FB晶振

sjzrhl_1

2.振荡补偿
除非在振荡电路中提供足够的负极电阻,否则会增加振荡启动时间,或不发生振荡。为避免该情况发生,请在电路设计时提供足够的负极电阻。

sjzrhl_2

3. 负载电容
如果振荡电路中负载电容的不同,可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差,如下图所示。电路中的负载电容的近似表达式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示电路的杂散电容。鸿星晶振,石英晶振,E1SB晶振

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频率和负载电容特征图器

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振荡回路参数设置参考

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公司名:深圳市金洛鑫电子有限公司

联系人:茹红青

手机:13510569637

电话:0755-27837162

QQ号:657116624

微信公众号:CITIZENCRYSTAL

搜狐公众号:晶振石英晶振NDK晶振

邮箱:jinluodz@163.com

地址:深圳市宝安区41区甲岸路19号

网址:http://www.quartzcrystal.cn/

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JLX-PD

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PRODUCT LINE

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