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鸿星晶振,石英晶振,E1SB晶振

频率:16.000MHz~62.500MHz

尺寸:2.0*1.6*0.5mm

小型表面贴片晶振型,是标准的石英晶体谐振器,适用于宽温范围的电子数码产品,家电电器及MP3,MP4,播放器,单片机等领域.可对应8.000MHz以上的频率,在电子数码产品,以及家电相关电器领域里面发挥优良的电气特性,满足无铅焊接的回流温度曲线要求.
订购热线:0755-27837162
QQ咨询 点击这里给我发消息

HX-2

杭州鸿星电子有限公司于1979年成立,产品由专业电阻器、电容器制造厂,公元1991年于台湾投入石英晶体之研发制造、1991年开始于中国大陆拓展生产基地,至今拥有四处生产基地、九处营销及FAE据点及十个营销代表处。鸿星的核心精神:诚信负责、团队合作、专业创新、积极成长。HOSONIC以先进技术、优异质量、完善服务,成为晶体产业最具竞争优势的品牌。2016小封装晶体,26M无源谐振器,E1SB晶振
优秀同仁是公司无价的资产,也是公司成长发展的伙伴,更是维系公司竞争力与创造价值的命脉。在以人为本,充分尊重人性的理念上,我们以沟通来达成共识,以相互尊重维系组织和谐气氛,创造适性的工作环境,让鸿星成为一个高度凝聚力的大家庭。我们要求同仁自我管理,并不断的成长进步,让员工有能力于工作,意愿于工作并满意于工作,鼓励员工去达成公司指定的目标。

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鸿星晶振,石英晶振,E1SB晶振.2016mm封装四脚SMD型的晶振,可以说是目前小型数码产品的福音,目前超小型的智能手机里面所应用的就是小型的石英晶振,该产品最适用于无线通讯系统,无线局域网,具备优良的耐环境特性及高耐热性强.满足无铅焊接的回流温度曲线要求.
鸿星石英晶振曲率半径加工技术:石英晶体谐振器晶片在球筒倒边加工时应用到的加工技术,主要是研究满足不同曲率半径石英晶振晶片设计可使用的方法。如:1、是指球面加工曲率半径的工艺设计( a、球面的余弦磨量; b、球面的均匀磨量;c、球面加工曲率半径的配合)2、在加工时球面测量标准的设计原则(曲率半径公式的计算)。

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RB-2

鸿星晶振

单位

E1SB晶振

石英晶振基本条件

标准频率

f_nom

16.000MHZ~62.200MHZ

标准频率

储存温度

T_stg

-55°C~+125°C

裸存

工作温度

T_use

-30°C ~+85°C

标准温度

激励功率

DL

50μW Max.

推荐:1μW 100μW

频率公差

f_— l

±10 × 10-6 (标准),
(±10 × 10-6 ~
±30 × 10-6 可用)

+25°C 对于超出标准的规格说明,
请联系我们以便获取相关的信息, http://www.quartzcrystal.cn/

频率温度特征

f_tem

±30 × 10-6/-30°C ~+85°C

超出标准的规格请联系我们.

负载电容

CL

8pF~16pF

不同负载电容要求,请联系我们.

串联电阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C —  +85°C, DL = 100μW

频率老化

f_age

±2× 10-6 / year Max.

+25°C,第一年

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E1SB(Former HCX-1AB) 2016

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操作
请勿用镊子或任何坚硬的工具,夹具直接接触IC的表面。2016小封装晶体,26M无源谐振器,E1SB晶振
使用环境(温度和湿度)
请在规定的温度范围内使用进口晶振。这个温度涉及本体的和季节变化的温度。在高湿环境下,会由于凝露引起故障。请避免凝露的产生。
晶体单元/谐振器
激励功率
在晶体单元上施加过多驱动力,会导致无源晶振特性受到损害或破坏。电路设计必须能够维持适当的激励功率 (请参阅“激励功率”章节内容)。
负极电阻
除非振荡回路中分配足够多的负极电阻,否则振荡或振荡启动时间可能会增加(请参阅“关于振荡”章节内容)。
负载电容
振荡电路中负载电容的不同,可能导致SMD晶振振荡频率与设计频率之间产生偏差。试图通过强力调整,可能只会导致不正常的振荡。在使用之前,请指明该振动电路的负载电容(请参阅“负载电容”章节内容)。鸿星晶振,石英晶振,E1SB晶振

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设计振荡回路的注意事项
1.驱动能力
驱动能力说明2016晶振单元所需电功率,其计算公式如下:
驱动能力 (P) = i2_Re
其中i表示经过晶体单元的电流,
Re表示晶体单元的有效电阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。2016小封装晶体,26M无源谐振器,E1SB晶振

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2.振荡补偿
除非在25M无源SMD晶体振荡电路中提供足够的负极电阻,否则会增加振荡启动时间,或不发生振荡。为避免该情况发生,请在电路设计时提供足够的负极电阻。

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3. 负载电容
如果振荡电路中负载电容的不同,可能导致四脚无源晶振振荡频率与设计频率之间产生偏差,如下图所示。电路中的负载电容的近似表达式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示电路的杂散电容。鸿星晶振,石英晶振,E1SB晶振

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频率和负载电容特征图器

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振荡回路参数设置参考

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公司名:深圳市金洛鑫电子有限公司

联系人:茹红青

手机:13510569637

电话:0755-27837162

QQ号:657116624

微信公众号:CITIZENCRYSTAL

搜狐公众号:晶振石英晶振NDK晶振

邮箱:jinluodz@163.com

地址:深圳市宝安区41区甲岸路19号

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