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京瓷晶振,石英晶体谐振器,CX2016DB晶振

频率:16.000MHz~60.000MHz

尺寸:2.0*1.6*0.4mm

CX2016DB晶振晶振本身体积小,超薄型石英晶体谐振器,特别适用于有目前高速发展的高端电子数码产品,因为晶振本身小型化需求的市场领域,小型?薄型是对应陶瓷谐振器(偏差大)和普通的石英晶体谐振器(偏差小)的中间领域的一种性价比较出色的产品.
订购热线:0755-27837162

JC-1

         京瓷的全球业务提供各种各样的产品,包括先进的材料、部件、设备、设备、网络工程和其他服务。每个产品线管理团队通过整合京瓷集团技术来解决新出现的趋势,积极开发新产品和新市场。我们本着“顾客至上”的原则,通过在价格、质量、服务和交货等方面的全面客户满意度来创造新的价值。进口2016石英晶体谐振器,京瓷16M贴片晶振,CX2016DB晶体

JLX-1

JC-2             京瓷晶振,石英晶体谐振器,CX2016DB晶振,在很长的一段时间里,2016mm是MHZ级石英晶振里最小的尺寸,KYOCERA公司的这款CX2016DB晶振一经问世便引起业界的轰动,吸引来自五十多个国家的生产厂家的注意争相使用,并且都给出了较高的赞誉.


JLX-2

RB-2

京瓷晶振

单位

CX2016DB晶振

石英晶振基本条件

标准频率

f_nom

16.000MHZ~60.000MHZ

标准频率

储存温度

T_stg

-40°C +125°C

裸存

工作温度

T_use

-40°C +125°C

标准温度

激励功率

DL

200μW Max.

推荐:1μW 100μW

频率公差

f_— l

±15 × 10-6 (标准)

+25°C 对于超出标准的规格说明,
请联系我们以便获取相关的信息, http://www.quartzcrystal.cn/

频率温度特征

f_tem

±15 × 10-6/-20°C +70°C

超出标准的规格请联系我们.

负载电容

CL

8pF 

不同负载电容要求,请联系我们.

串联电阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C —  +85°C, DL = 100μW

频率老化

f_age

±5 × 10-6 / year Max.

+25°C,第一年

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RB-3

CX2016DB 2016

JLX-4

RB-4

操作
       请勿用镊子或任何坚硬的工具,夹具直接接触IC的表面。
使用环境(温度和湿度)
       请在规定的温度范围内使用石英晶振CX2016DB。这个温度涉及本体的和季节变化的温度。在高湿环境下,会由于凝露引起故障。请避免凝露的产生。京瓷晶振,石英晶体谐振器,CX2016DB晶振
激励功率
        在晶体单元上施加过多驱动力,会导致京瓷小体积晶振特性受到损害或破坏。电路设计必须能够维持适当的激励功率 (请参阅“激励功率”章节内容)。
负极电阻
         除非振荡回路中分配足够多的负极电阻,否则振荡或振荡启动时间可能会增加(请参阅“关于振荡”章节内容)。
负载电容
         振荡电路中负载电容的不同,可能导致2016mm晶体谐振器振荡频率与设计频率之间产生偏差。试图通过强力调整,可能只会导致不正常的振荡。在使用之前,请指明该振动电路的负载电容(请参阅“负载电容”章节内容)。进口2016石英晶体谐振器,京瓷16M贴片晶振,CX2016DB晶体

JLX-5

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设计振荡回路的注意事项
1.驱动能力
驱动能力说明振荡晶体单元所需电功率,其计算公式如下:
驱动能力 (P) = i2_Re
其中i表示经过晶体单元的电流,
Re表示晶体单元的有效电阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。京瓷晶振,石英晶体谐振器,CX2016DB晶振

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2.振荡补偿
除非在振荡电路中提供足够的负极电阻,否则会增加振荡启动时间,或不发生振荡。为避免该情况发生,请在电路设计时提供足够的负极电阻。

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3.负载电容
如果振荡电路中负载电容的不同,可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差,如下图所示。电路中的负载电容的近似表达式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示电路的杂散电容。进口2016石英晶体谐振器,京瓷16M贴片晶振,CX2016DB晶体

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频率和负载电容特征图器

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振荡回路参数设置参考

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公司名:深圳市金洛鑫电子有限公司

联系人:茹红青

手机:13510569637

电话:0755-27837162

QQ号:657116624

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搜狐公众号:晶振石英晶振NDK晶振

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