轻薄型32.768K晶体,1610石英谐振器,IL3W晶振

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ILSI晶振,贴片晶振,IL3W晶振,石英进口晶振

频率：32.768KHZ

尺寸：1.6*1.0mm

此款SMD晶体并且可以承受回流焊接的高温，波峰焊接，回流焊接等，贴片表晶主要特点是该产品排带包装，焊接模式主要使用SMT焊接，给现代SMT工艺带来高速的工作效率，32.768K系列产品本身具有体积小,厚度薄,重量轻等特点，此音叉型石英晶体谐振器,晶振产品本身具备优良的耐热性,耐环境特性,在办公自动化,家电领域,移动通信领域可发挥优良的电气特性,符合无铅标准,满足无铅焊接的回流温度曲线要求,金属外壳的石英晶振使得产品在封装时能发挥比陶瓷晶振外壳更好的耐冲击性能.

订购热线：0755-27837162

ILSI America成立于1987年，总部位于加州科斯塔梅萨。当时的商业模式很简单，成为1.6*1.0晶振和时钟振荡器的供应商，以支持北美频率控制市场,在随后的29年中，随着全球频率控制产品市场需求呈指数级增长和全球化，ILSI通过有机增长和收购应对不断变化的市场和客户群。
1995年，ILSI北京中国办事处开业。1998年，ILSI晶振美国公司搬迁到它现在的位置，这是一个位于内华达州里诺的10,000平方英尺的世界总部。1999年，ILSI香港中海物流中心开业。2007年ILSI韩国办事处的开业完成了我们在美国和亚洲提供真正实体店的目标，这些实体由直接员工提供，以支持我们在北美，墨西哥，亚洲和欧洲快速增长的客户群。轻薄型32.768K晶体,1610石英谐振器,IL3W晶振

ILSI晶振,贴片晶振,IL3W晶振,石英进口晶振,32.768K时钟晶体具有小型,薄型,轻型的贴片晶振表面音叉型晶体谐振器,产品具有优良的耐热性,耐环境特性,可发挥晶振优良的电气特性,符合RoHS规定,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求,金属外壳的封装使得产品在封装时能发挥比陶瓷谐振器外壳更好的耐冲击性.
注重所使用水晶、研磨砂的选择等；注重32.768K晶振研磨用工装如：游轮的设计及选择，从而使研磨晶振晶片在平面度、平行度、弯曲度都有很好的控制，最终使可研磨的石英晶振晶片的厚度越来越薄，贴片晶振晶片的频率越来越高，为公司在高频石英晶振的研发生产打下坚实基础，提升了晶振厂家的竞争力，使晶振厂家高频石英晶振的研发及生产领先于国内其它公司。轻薄型32.768K晶体,1610石英谐振器,IL3W晶振

ILSI晶振	单位	IL3W晶振	石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	32.768KHZ	标准频率
储存温度	T_stg	-55°C~+125°C	裸存
工作温度	T_use	-40°C~+85°C	标准温度
激励功率	DL	0.1μW Max.	推荐:0.5μW
频率公差	f_— l	±20× 10-6	+25°C 对于超出标准的规格说明, 请联系我们以便获取相关的信息,http://www.quartzcrystal.cn/
频率温度特征	f_tem	-0.045× 10-6/-30°C~+85°C	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	12.5PF	不同负载电容要求,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C~+85°C, DL = 100μW
频率老化	f_age	±3× 10-6/year Max.	+25°C,第一年

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小体积晶振产品的设计和生产直到出厂,都会经过严格的测试检测来满足它的规格要求。通过严格的出厂前可靠性测试以提供高质量高的可靠性的石英晶振.但是为了石英晶振的品质和可靠性,必须在适当的条件下存储,安装,运输。请注意以下的注意事项并在最佳的条件下使用产品,我们将对于客户按自己的判断而使用石英晶振所导致的不良不负任何责任。ILSI晶振,贴片晶振,IL3W晶振,石英进口晶振
机械振动的影响:当无源SMD晶振产品上存在任何给定冲击或受到周期性机械振动时,比如：压电扬声器,压电蜂鸣器,以及喇叭等,输出频率和幅度会受到影响。这种现象对通信器材通信质量有影响。尽管晶振产品设计可最小化这种机械振动的影响,我们推荐事先检查并按照下列安装指南进行操作。
存储事项:(1) 在更高或更低温度或高湿度环境下长时间保存晶振时,会影响频率稳定性或焊接性。请在正常温度和湿度环境下保存这些石英SMD晶振产品,并在开封后尽可能进行安装,以免长期储藏。正常温度和湿度：温度：+15°C 至 +35°C,湿度 25 % RH 至 85 % RH。 (2) 请仔细处理内外盒与卷带。外部压力会导致卷带受到损坏。轻薄型32.768K晶体,1610石英谐振器,IL3W晶振

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振荡频率测量:必须尽可能地测量安装在排带式包装KHZ晶振电路上的的振荡频率的真实值，使用正确的方法。在振荡频率的测量中，通常使用探头和频率计数器。然而,我们的目标是通过限制测量工具对振荡电路本身的影响来测量。有三种频率测量模式，如下面的图所示（图）。2, 3和4）。最精确的测量方法是通过使用任何能够精确测量的频谱分析仪来实现的。ILSI晶振,贴片晶振,IL3W晶振,石英进口晶振

接触振荡电路:探针不影响图2，因为缓冲器的输出是通过1610贴片晶振输入振荡电路的输出来测量的。逆变器进入下一阶段。探针不影响图3，因为在IC上测量缓冲器输出（1/1、1/2等）。图4示出了来自ic的无缓冲器输出接收的情况，由此通过小尺寸测量来最小化探针的效果。输出点之间的电容（3 pF以下XTAL终端IC）和探针。然而，应该注意到，使用这种方法输出波形较小，测量不能依赖于即使示波器能检查振荡波形，频率计数器的灵敏度也可以。在这种情况下，使用放大器来测量。

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驱动能力:驱动能力说明32.768系列贴片封装晶体振荡晶体单元所需电功率，其计算公式如下：驱动能力 (P) = i2?Re其中i表示经过晶体单元的电流，Re表示晶体单元的有效电阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）.

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测试条件:(1)电源电压:超过 150µs，直到电压级别从 0 %达到 90 % 。电源电压阻抗低于电阻 2Ω。(2)其他:输入电容低于 15 pF5倍频率范围或更多测量频率。铅探头应尽可能短。测量二脚贴片晶振频率时，探头阻抗将高于 1MΩ。当波形经过振荡器的放大器时，可同时进行测量。(3)其他:CL包含探头电容。应使用带有小的内部阻抗的电表。使用微型插槽，以观察波形。（请勿使用该探头的长接地线）.轻薄型32.768K晶体,1610石英谐振器,IL3W晶振

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