进口KHZ系列晶振,2012金属面晶振,IL3T晶振

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ILSI晶振,贴片晶振,IL3T晶振,石英无源晶振

频率：32.768KHZ

尺寸：2.0*1.2mm

贴片石英晶体谐振器，又简称为排带包装，这是这产品采用排带盘式包装，使产品在焊接时能采用SMT自动贴片机高速的焊接，大大节约人工，提高工作效率。32.768KHz千赫子时钟晶体，其本身主要应用在时钟控制产品，或者是控制模块，主要给时钟芯片提供一个基准信号，其主要各项功能还得看应用何种产品。本产品具有小型,薄型,轻型的贴片晶振表面型音叉式石英晶体谐振器,产品具有优良的耐热性,耐环境特性,可发挥晶振优良的电气特性,符合RoHS规定,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求,金属外壳的封装使得产品在封装时能发挥比陶瓷谐振器外壳更好的耐冲击性.

订购热线：0755-27837162

2013年，ILSI收购了MMD Monitor / Quartztek。MMD Monitor / Quartztek的收购使我们现有的石英晶振频率控制打印位置和活跃的客户群翻了一番。ILSI收购MMD的行为不会中断我们的客户供应链。ILSI现在在加利福尼亚州南部的MMD Monitor Monitor / Quartztek所在地的销售水平显着提高，因此2013年需要开设两个新的区域销售办事处，负责处理洛杉矶，加利福尼亚州，加利福尼亚州奥兰治县和加利福尼亚州圣地亚哥的地区。
ILSI和MMD Monitor / Quartztek品牌作为ILSI-MMD Inc.基础设施下的品牌实体进行了积极的营销和销售。通过时钟晶体增长和收购带来的销量增加需要重新调整我们的销售渠道，以更好地管理我们的全球客户群。ILSI-MMD Inc.销售渠道由全球24个地区代表组成，覆盖50个美国，加拿大西部和东部，墨西哥，亚洲，英国，波兰，德国，法国，意大利，奥地利和南美洲中的45个。销售渠道还受到由多国一级分销商，地区分销，美国分类目录和欧洲分类目录组成的分销基础设施的支持; 共有8家专营分销渠道合作伙伴。进口KHZ系列晶振,2012金属面晶振,IL3T晶振

ILSI晶振,贴片晶振,IL3T晶振,石英无源晶振,32.768K时钟晶体具有小型,薄型,轻型的贴片晶振表面音叉型晶体谐振器,产品具有优良的耐热性,耐环境特性,可发挥晶振优良的电气特性,符合RoHS规定,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求,金属外壳的封装使得产品在封装时能发挥比陶瓷谐振器外壳更好的耐冲击性.
晶振的真空封装技术：是指无源晶振在真空封装区域内进行封装。1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生；2.使晶振组件在真空下电阻减小；3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶振必须攻克的关键技术之一。石英晶振在选用晶片时应注意温度范围、晶振温度范围内的频差要求，贴片晶振温度范围宽时(-40℃-85℃)晶振切割角度比窄温(-10℃-70℃)切割角度应略高。对于晶振的条片，长边为 X 轴，短边为 Z 轴，面为 Y 轴。进口KHZ系列晶振,2012金属面晶振,IL3T晶振

ILSI晶振	单位	IL3T晶振	石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	32.768KHZ	标准频率
储存温度	T_stg	-55°C~+125°C	裸存
工作温度	T_use	-40°C~+85°C	标准温度
激励功率	DL	0.1μW Max.	推荐:0.5μW
频率公差	f_— l	±20× 10-6	+25°C 对于超出标准的规格说明, 请联系我们以便获取相关的信息,http://www.quartzcrystal.cn/
频率温度特征	f_tem	-0.036× 10-6/-30°C~+85°C	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	12.5PF	不同负载电容要求,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C~+85°C, DL = 100μW
频率老化	f_age	±3× 10-6/year Max.	+25°C,第一年

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所有无源石英晶体和实时时钟模块都以IC形式提供。噪音:在电源或输入端上施加执行级别(过高)的不相干(外部的)噪音,可能导致会引发功能失常或击穿的闭门或杂散现象。电源线路:电源的线路阻抗应尽可能低。输出负载:建议将石英晶振输出负载安装在尽可能靠近振荡器的地方（在20 mm范围之间）。ILSI晶振,贴片晶振,IL3T晶振,石英无源晶振
未用输入终端的处理:未用针脚可能会引起噪声响应,从而导致非正常工作。同时,当P通道和N通道都处于打开时,电源功率消耗也会增加；因此,请将未用输入终端连接到VCC 或GND。热影响:重复的温度巨大变化可能会降低受损害的石英进口晶振产品特性,并导致塑料封装里的线路击穿。必须避免这种情况。安装方向:振荡器的不正确安装会导致故障以及崩溃,因此安装时,请检查安装方向是否正确。通电:不建议从中间电位和/或极快速通电,否则会导致无法产生振荡和/或非正常工作。
进口石英晶振自动安装和真空化引发的冲击会破坏产品特性并影响这些产品。请设置安装条件以尽可能将冲击降至最低,并确保在安装前未对晶振特性产生影响。条件改变时,请重新检查安装条件。同时,在安装前后,请确保石英晶振产品未撞击机器或其他电路板等。进口KHZ系列晶振,2012金属面晶振,IL3T晶振

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1.振荡电路:晶体谐振器是无源元件，因此受到石英进口2012SMD晶振电源电压、环境温度、电路的影响。配置、电路常数和衬底布线模式等操作大致分为正常运行和异常运行。因此，在振荡电路的设计中，先决条件之一是如何确定振荡电路。晶体谐振器的振动安全稳定。只有在做出了这个决定之后，后续的项目，例如讨论了频率精度、频率变化、调制度、振荡起始时间和振荡波形。ILSI晶振,贴片晶振,IL3T晶振,石英无源晶振

2.角色的分量与参考值:在振荡电路的设计中，必须认识到2012贴片晶振个体的作用。组件.在表1中，以例如振荡电路为例来描述角色。（图1）使用一个通用的C-MOS IC（74hcuo4ap东芝）。当反馈电阻（rf）未安装在振荡电路中时，如图所示表1，即使在振荡功率作用下，谐振器也不会启动振荡。电路。除非有适当值的电阻器连接，否则振荡不会启动。

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晶体谐振腔的形式模式，但泛音振荡或基波。振荡开始代替。在32.7687KHZ晶振基本谐振的情况下（MHz频段）反馈电阻通常是1米?。在（兆赫频带）的情况下，值取决于IC和频率特性，但在几个范围内。K?-?几十K。在的案例（kHz频段），需要连接一个电阻10米或更?。限制流入谐振器的电流，调节负电阻和励磁。电平，防止谐振腔的反常振荡，抑制频率波动。C1、C2电容器调节负电阻、励磁电平和振荡频率。还设置有给定负载能力。
适当的控制电阻值（RD）取决于的类型，频带和设备的价值。电容器（C1，C2）。精确值是通过2012mm无源晶体测量振荡电路的特性来确定的（包括负电阻和驱动级）。AT切割谐振器（兆赫频带）的参考值在几个范围内。?几K?。音叉式谐振器（kHz频段）的参考值在100 K?几K?范围。安装电容器的适当值取决于谐振器的类型、频带、控制电阻器的值和振荡的顺序，在3 pF的范围内- 33 pF左右，仅供参考。进口KHZ系列晶振,2012金属面晶振,IL3T晶振

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