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DSC1122CI1-156.2500,Microchip有源晶振,LVPECL晶振,DSC1122晶振
DSC1122CI1-156.2500,Microchip有源晶振,arget="_blank">LVPECL晶振,DSC1122晶振,依托品牌成熟的研发体系与严苛的品控标准,从芯片设计到生产制造均经过层层把关.Microchip在晶振领域拥有多年技术积累,其生产流程符合国际质量管理体系,原材料采购严格筛选,确保每一颗晶振的性能一致性与可靠性.同时,品牌提供完善的技术支持服务,包括应用方案指导,样品测试协助及售后问题响应,能帮助客户快速解决设计与应用中的难题,降低开发风险,此外,Microchip全球化的供应链体系还能保障产品交付的及时性,满足客户批量生产需求.更多 +
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DSC1104CI5-125.0000,3225石英晶振,存储区域网络应用,HCSL输出晶振
DSC1104CI5-125.0000,3225石英晶振,存储区域网络应用,arget="_blank">HCSL输出晶振,该晶振采用行业通用的3225封装(尺寸约3.2mm×2.5mm),具备显著的空间优势:相较于更大尺寸的晶振,3225封装可大幅节省PCB板布局空间,尤其适配存储区域网络设备,小型通信模块等高密度PCB设计场景,助力设备向小型化,集成化方向发展.同时,3225封装的机械结构稳定,具备良好的抗跌落与抗振动性能,能在设备组装与运输过程中有效保护晶振核心部件,降低物理损伤风险,保障产品良率与使用寿命.更多 +
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DSC1124CI2-156.2500,HCSL差分晶振,Microchip微芯晶振,高稳定性晶振
DSC1124CI2-156.2500,arget="_blank">HCSL差分晶振,Microchip微芯晶振,高稳定性晶振,作为Microchip旗下高稳定性晶振代表,DSC1124CI2-156.2500依托微芯成熟的晶振制造工艺,在温度稳定性上表现卓越,宽温工作范围内(通常覆盖-40℃至85℃工业级温度)频率偏差极小,可低至±25ppm甚至更优水平;同时具备低功耗特性,静态电流控制在极低范围,能减少设备整体功耗,延长便携式或低功耗设备的续航时间,是兼顾稳定性与节能需求的理想选择.更多 +
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ASVV-14.31818MHz-D20-S-T,L数字传输设备晶振,CMOS/TTL输出晶振,测试设备
ASVV-14.31818MHz-D20-S-T,L数字传输设备晶振,CMOS/TTL输出晶振,测试设备,作为模块基带芯片的核心时钟源,通过CMOS/TTL输出接口提供精准时钟信号,支持基带芯片完成信号调制解调时序控制.14.31818MHz频率与4GLTE信号处理的时序需求高度匹配,配合arget="_blank">进口晶振优异的温度稳定性,即使在高原低温或沿海高温高湿环境下,仍能保证模块时钟漂移量小于5ppm/℃,确保无线数据传输的帧同步精度,避免因时钟偏差导致的数据丢包或传输延迟.更多 +
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ASG-P-V-A-150.000MHz-T,LVPECL输出晶振,Abracon差分晶振,石英晶体振荡器
ASG-P-V-A-150.000MHz-T,LVPECL输出晶振,Abracon差分晶振,arget="_blank">石英晶体振荡器,可有效抑制共模噪声,在基站复杂电磁环境中,信号传输信噪比提升30%以上.150.000MHz高频信号能满足5GNR(新空口)协议下10Gbps级数据处理的时序需求,配合Abracon石英晶体振荡器的±25ppm频率稳定度,确保基站在-40℃~85℃工作温度范围内,信号帧同步误差小于1ns,保障多用户接入时的数据传输稳定性,避免因时钟抖动导致的信号失真或掉线问题.更多 +
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ASG-D-V-B-80.000MHz-T,Abracon晶体振荡器,VCXO晶振,7050压控晶振
ASG-D-V-B-80.000MHz-T,Abracon晶体振荡器,VCXO晶振,7050压控晶振,工业PLC需实时接收传感器数据并输出控制指令,时钟信号的稳定性直接影响控制精度.ASG-D-V-B-80.000MHz晶振为PLC的中央处理单元提供可调时钟,通过外部电压微调功能,可补偿工业环境中温度,振动导致的频率漂移,使时钟稳定度保持在±10ppm以内.80.000MHz频率能满足PLC对高频数据采集与快速指令响应的需求,arget="_blank">7050贴片晶振封装的抗振动性能(10g加速度,10-2000Hz)可抵御车间设备振动干扰,配合Abracon的严苛品控,晶振在-40℃~105℃工业宽温环境下持续稳定工作,确保PLC对生产线的精准控制,避免因时钟偏差导致的设备误动作.更多 +
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ASG-C-V-A-120.000MHz-T,高性能晶体振荡器,计算机应用晶振,Abracon贴片晶振
ASG-C-V-A-120.000MHz-T,高性能晶体振荡器,计算机应用晶振,Abracon贴片晶振,工业控制计算机的数据采集卡需实时采集工业设备的高频信号(如电机转速,传感器模拟量),时钟精度直接影响采集数据的准确性.ASG-C-V-A-120.000MHz-T贴片晶振为采集卡提供高频时钟,120.000MHz频率支持采集卡实现200MSps的采样速率,可精准捕捉10MHz以内的工业信号细节,满足高精度工业arget="_blank">测量设备晶振需求.其高性能特性体现在宽温工作范围(-40℃~85℃),能适配工业现场高低温波动环境更多 +
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ASG2-D-V-A-100.000MHz-T,5G基站晶振,2520微型贴片晶振,网络应用晶振
ASG2-D-V-A-100.000MHz-T,5G基站晶振,2520微型贴片晶振,网络应用晶振,2520微型封装完美适配微基站基带模块的小型化设计,100.000MHz高频时钟可通过锁相环倍频至500MHz,为基带芯片提供高速运算时序支持,满足每小区100+用户同时接入的数据处理需求,用户下行时延控制在10ms以内.其贴片式结构具备优异的抗振动性能(15g加速度,10-2000Hz),可抵御城市交通振动,设备运行震动对时钟信号的影响,配合arget="_blank">Abracon晶振严苛的品控标准,晶振年频率漂移量小于5ppm,确保微基站长期运行中基带数据处理的稳定性,避免因时钟偏差导致的用户掉线,数据卡顿问题.更多 +
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CL5032-155.520-2.5-25-X-T-TR,Raltron有源晶振,时钟振荡器,LVDS表面贴装晶振
CL5032-155.520-2.5-25-X-T-TR,Raltron有源晶振,时钟振荡器,LVDS表面贴装晶振,除核心高频性能外,该arget="_blank">晶振还具备出色的长期稳定性,常温下年老化率低至±3ppm,能长期维持频率精度,减少设备后期校准频率.其采用无铅环保封装材料,符合RoHS与REACH标准,可适配绿色电子设备生产需求,同时支持-55℃~125℃宽温扩展型号定制,能满足军工,航空航天等极端环境下的高频时钟需求.更多 +
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CL3225-155.520-2.5-25-X-T-TR,CL3225晶振,LVDS差分晶振,美国进口晶振
CL3225-155.520-2.5-25-X-T-TR,CL3225晶振,LVDS差分晶振,美国进口晶振,作为一款通用性极强的SMD封装晶振系列,以其标准化的arget="_blank">3225振荡器封装尺寸成为消费电子,工业控制等领域的主流选择,工作电压涵盖1.8V,2.5V,3.3V等常见规格,适配低功耗与标准电压设计场景,在性能方面,CL3225系列晶振采用高纯度石英晶体作为谐振核心,结合先进的光刻镀膜工艺与精密封装技术,确保产品具备优异的频率一致性.更多 +
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RTV-104BD3CP-S-24.000-TR,RTV-104石英晶振,VCTCXO晶振,拉隆晶振
RTV-104BD3CP-S-24.000-TR,RTV-104石英晶振,VCTCXO晶振,arget="_blank">拉隆晶振,融合温补与压控双重技术,频率调节范围可达±100ppm,通过外部电压信号可实现实时频率微调,满足通信设备频率同步需求.产品内置高精度温度补偿电路,在-40℃~85℃范围内频率稳定度≤±0.1ppm,输出信号支持LVPECL,LVCMOS等多种电平标准,适配5G基站,卫星通信终端等高端领域,能快速响应环境温度变化与信号波动,保障数据传输的时序准确性.更多 +
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CO4305-16.000-EXT-T-TR,高密度晶振,CO43贴片晶振,3.3V压电控制晶振
CO4305-16.000-EXT-T-TR,高密度晶振,CO43arget="_blank">贴片晶振,3.3V压电控制晶振,以16.000MHz精准频率为核心,搭载3.3V压电控制技术,具备出色的抗温漂与抗干扰能力.其紧凑的贴片设计适配工业自动化设备,PLC控制系统等场景,能在-40℃~+85℃宽温环境下持续输出稳定时钟信号,为工业设备的高效运行提供可靠时序保障,同时兼容自动化贴片工艺,大幅提升生产组装效率.更多 +
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RTX-104DD3C-S-16.384-TR,Raltron拉隆晶振,RTX-104晶振,3225有源晶体振荡器
RTX-104DD3C-S-16.384-TR,Raltron拉隆晶振,RTX-104晶振,3225有源晶体振荡器,RTX-104DD3C-S-16.384-TR是Raltron拉隆RTX-104系列下的arget="_blank">3225小型晶振封装,核心输出频率精准锁定16.384MHz,凭借Raltron成熟的晶体切割与封装工艺,在-40℃~85℃宽温范围内可实现±25ppm的频率稳定度,能有效抵御温度波动,振动等环境干扰,为医疗监护仪,工业控制模块等对时序精度要求严苛的设备,提供持续稳定的时钟信号支撑,是保障设备数据采集与指令执行准确性的关键元器件.更多 +
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1D44818GQ1,DSF753SBF贴片晶振,KDS无源晶振,移动设备晶振
1D44818GQ1,DSF753SBF贴片晶振,KDS无源晶振,移动设备晶振,在智能手机,平板电脑,可穿戴设备等移动产品领域,时钟元件的小型化,低功耗与高稳定性直接影响设备的续航能力,信号传输效率及用户体验.日本KDS(大真空)作为全球频率元件领域的领军企业,针对移动设备的严苛需求,推出了1D44818GQ1型号arget="_blank">无源晶振,DSF753SBF系列贴片晶振.凭借超小封装,超低功耗及优异的环境适应性,成为移动电子设备的核心时钟组件.更多 +
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1N240000AB0J,DSX321G晶振,日本KDS晶振,车载应用晶振,陶瓷晶振
1N240000AB0J,DSX321G晶振,日本KDS晶振,车载应用晶振,arget="_blank">陶瓷晶振,DSX321G系列则展现出更宽的频率覆盖范围,支持从7.9MHz到64MHz的多档位频率选择,其中8.000MHz型号在车载GPS定位系统中应用最为广泛.温度特性是衡量车载晶振性能的核心指标.1N240000AB0J虽未直接标注宽温性能,但作为同系列车载级产品,其设计标准与DSX321G保持一致,可满足汽车电子对温度稳定性的严苛要求.更多 +
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1AJ17408AAGA,SMD-49晶振,抗震性晶振,宽温晶振,表面贴装型晶振
1AJ17408AAGA,SMD-49晶振,抗震性晶振,宽温晶振,表面贴装型晶振,采用高温耐受型石英材料与特殊封装工艺,内部填充物选用耐-40℃至125℃极端温度的环氧树脂,外壳采用镍合金材质,在-40℃低温下仍能保持良好的导电性,125℃高温下无变形开裂风险.通过优化的晶体切割角度与温度补偿算法,该arget="_blank">晶振在全温度范围内频率稳定度可达到±10ppm,部分高端型号甚至能实现±5ppm的超高精度,远超工业级标准.更多 +
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1TD125DGNS003,DT-26石英晶振,音叉型水晶振动子,圆柱插件晶振
1TD125DGNS003,DT-26石英晶振,音叉型水晶振动子,圆柱插件晶振,采用圆柱形arget="_blank">金属封装晶振,引脚从外壳两端引出,插件式设计使其适配多种安装方式,不仅可直接焊接在PCB板上,还能通过支架固定在设备内部,适配复杂的设备结构布局.该晶振的金属外壳具备良好的密封性与抗腐蚀性,能有效隔绝外界灰尘,湿气及化学物质的侵蚀,同时外壳还能起到屏蔽电磁干扰的作用,确保频率输出稳定.更多 +
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1TJF080DP1AI00P,DST310S晶振,KDS晶振,32.768kHz晶振
1TJF080DP1AI00P,DST310S晶振,KDS晶振,arget="_blank">32.768kHz晶振,拥有出色的技术参数,能灵活适配不同通信芯片的需求.该晶振的相位噪声极低,在1kHz偏移频率下相位噪声值可低至-120dBc/Hz,这一特性使其在高速数据传输场景中优势显著,可有效减少信号干扰,保障数据传输的完整性.基于此,它不仅适用于5G基站,还广泛应用于光纤通信设备(如光猫,路由器)的信号同步单元,以及卫星通信终端的时序控制模块,为通信系统的高效运行奠定基础.更多 +
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O10.0-JT22S-B-K-3.3-LF,Jauch振荡器,JT22S贴片晶振,温度补偿晶体振荡器
O10.0-JT22S-B-K-3.3-LF,Jauch振荡器,JT22S贴片晶振,温度补偿晶体振荡器,尺寸仅为3.2mm×2.5mm×0.8mm,相比同性能传统插件晶振体积缩小60%,重量仅0.02g,可轻松嵌入智能手机,arget="_blank">智能穿戴设备晶振,小型工业传感器等高密度PCB板中,节省宝贵的布局空间.其贴片式焊接设计兼容SMT自动化生产工艺,焊接良率高达99.5%以上,可大幅提升批量生产效率,降低人工成本.例如在物联网网关设备中,该晶振可与MCU,无线通信模块(如Wi-Fi6芯片)紧密布局,无需额外预留插件空间,满足便携化需求.更多 +
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O26,0-JT21G-E-M-1,8-LF,TCXO振荡器,2016有源晶振,无线应用晶振
O26,0-JT21G-E-M-1,8-LF,arget="_blank">TCXO振荡器,2016有源晶振,无线应用晶振,针对无线设备依赖电池供电,需极致低功耗的特性,其超薄设计(0.6mm厚度)能适配柔性PCB板弯曲场景,如可穿戴无线健康监测设备的弧形机身,避免因封装厚度导致的结构设计受限.同时,该封装兼容高速SMT自动化焊接工艺,焊接良率达99.8%以上,可满足无线设备大规模量产需求,降低生产环节的人工成本与不良率.更多 +
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