WI2WI晶振,TV05晶振,TV05-12000X-WND3RX晶振

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WI2WI晶振,TV05晶振,TV05-12000X-WND3RX晶振

频率：10~52MHZ

尺寸：5.0*3.2mm

5032mm体积的石英晶体振荡器,有源晶振,该产品可驱动2.5V的温补晶振,压控晶振,VC-TCXO晶体振荡器产品,电源电压的低电耗型,编带包装方式,可对应自动高速贴片机自动焊接,及IR回流焊接(无铅对应),为无铅产品,超小型,质地轻.产品被广泛应用到集成电路,程控交换系统,无线发射基站.

订购热线：0755-27837162

WI2WI晶振,TV05晶振,TV05-12000X-WND3RX晶振， Wi2Wi的战略目标是通过提供端到端无线集成解决方案和高度可定制的定时和频率控制设备来满足每个客户的独特需求。威尔威晶振与商品级产品区别开来，具有市场性能最佳，高可靠性，低功耗的无线连接产品，集成软件支持更宽的温度范围和更长的产品生命周期。此外，Wi2Wi' 端到端的产品解决方案可帮助客户大幅降低最终产品费用，认证成本和整体研发投资，同时大幅缩短产品上市时间。Wi2Wi晶振已与技术，制造和销售方面的全球顶级领导者建立了合作关系。公司在全球范围内使用广泛的制造商代表网络来推广其产品和服务，并与世界级经销商合作，以实现订单和直接销售.

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WI2WI晶振,TV05晶振,TV05-12000X-WND3RX晶振，贴片晶振晶片边缘处理技术：贴片晶振是晶片通过滚筒倒边，主要是为了去除晶振晶片的边缘效应，在实际操作中机器运动方式设计、滚筒的曲率半径、滚筒的长短、使用的研磨砂的型号、多少、填充物种类及多少等各项设计必须合理，有一项不完善都会使SMD晶振晶片的边缘效应不能去除，而石英晶振晶片的谐振电阻过大，用在电路中Q值过小，从而电路不能振动或振动了不稳定。

Parameters		Clipped Sinewave	CMOS	Units
Frequency Range *1		10.000000 to 52.000000	10.000000 to 52.000000	MHz
Parameter-Wi2Wi晶振	vs Temperature (Max.)	Per Option	Per Option	ppm
	vs Supply Voltage (Max.)	±0.2	±0.2
	vs Load (Max.)	±0.2	±0.2
	vs Aging (Max 1st year)	±1	±1
	Calibration (@ +25°C) 1 Hour After Refow (Max)	±2	±2
Frequency Stability *1	Control Voltage Range	10 to 90	10 to 90	%Vcc
	Pull Range	±5 to ±15	±5 to ±15	ppm
	Linearity (Max)	10	10	%
	Input Impedance (Min)	100K	100K	Ω
	Modulation Bandwidth (@-3dB)	10.0	10.0	KHz
Temperature Range *1	Operating	Per Option	Per Option	°C
Temperature Range *1	Storage	-55 to +125	-55 to +125	°C
Supply Voltage *1		Per Option	Per Option	V
Supply Current (Max)		5.0	10.0	mA
Waveform		Clipped Sinewave 0.8V Peak to Peak Min	CMOS
Output	Low Level Output Voltage (Max)	N/A	10	%Vcc
	High Level output Voltage (Min)	N/A	90	%Vcc
	Duty Cycle (Max)	N/A	40/60	%
Load		10 kΩ//10pF	15pF
Start Up Time (Maximum)		3.0	3.0	ms
Phase Noise (Typical) (For 26.0 MHz)	@ 100 Hz	-110	-110	dBc/Hz
	@ 1 kHz	-130	-130
	@ 10 kHz	-145	-145
	@ 100KHz	-145	-145

抗冲击
  晶振可能会在某些条件下受到损坏。例如从桌上跌落或在贴装过程中受到冲击。如果产品已受过冲击请勿使用。
辐射
  暴露于辐射环境会导致石英晶振性能受到损害，因此应避免照射。 WI2WI晶振,TV05晶振,TV05-12000X-WND3RX晶振.
化学制剂/pH值环境
请勿在PH值范围可能导致腐蚀或溶解晶振或包装材料的环境下使用或储藏这些产品。
粘合剂
请勿使用可能导致晶振所用的封装材料，终端，组件，玻璃材料以及气相沉积材料等受到腐蚀的胶粘剂。（比如，氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶体单元的金属“盖”，从而破坏密封质量，降低性能。）
卤化合物
  请勿在卤素气体环境下使用晶振。即使少量的卤素气体，比如在空气中的氯气内或封装所用金属部件内，都可能产生腐蚀。同时，请勿使用任何会释放出卤素气体的树脂。
静电
过高的静电可能会损坏有源晶振，请注意抗静电条件。请为容器和封装材料选择导电材料。在处理的时候，请使用电焊枪和无高电压泄漏的测量电路，并进行接地操作。