SMI晶振,212SMX晶振,无源贴片晶振

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SMI晶振,212SMX晶振,无源贴片晶振

频率：32.768KHZ

尺寸：2.0*1.2*0.5mm

超小型,薄型,质地轻的表面贴片音叉型晶体振荡器,手机晶体,产品体积小,特别适用于各种小巧的便携式消费电子数码产品,在移动通信领域得到了广泛的应用,晶振产品本身可发挥优良的电气特性,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.

订购热线：0755-27837162

SMI晶振,212SMX晶振,无源贴片晶振，贴片表晶32.768K晶振系列具有超小型,薄型,质地轻的表面贴片音叉型石英晶体谐振器,晶振产品本身具备优良的耐热性,耐环境特性,在办公自动化,家电领域,移动通信领域可发挥优良的电气特性,符合无铅标准,满足无铅焊接的回流温度曲线要求,金属外壳的石英晶振使得产品在封装时能发挥比陶瓷晶振外壳更好的耐冲击性能.
SMI是Crystal Technology的新兴领导者。我们积极为电子社会做出贡献，在稳步的研究和努力的基础上，快速开发先进的水晶产品。
我们专注于最新的SMD晶体，时钟OSC，TCXO，VCXO，OCXO和MCF。并提供高质量和高稳定性的产品，支持高可靠性数据，频率范围从16.000kHz（低）到350.000MHz（高），严格的质量控制和严格的运输检查。

SMI晶振,212SMX晶振,无源贴片晶振, SMI晶振是日本一家生产制造规模比较大一家电子元件工厂,长期采购SMI石英晶体的企业有上千家,日本SMI晶振在国际市场上的份额占有率真不算高,SMI晶振公司自成立以来便专注研发生产高品质,高精度的晶振产品,专业向市场供应大量OSC差分晶振,TCXO温补晶振,VCXO压控晶振等元件,凭借着注重质量与服务,赢得广大用户的喜爱,SMI晶振如今在业界已是小有名气的企业.
贴片晶振晶片边缘处理技术：贴片晶振是晶片通过滚筒倒边，主要是为了去除晶振晶片的边缘效应，在实际操作中机器运动方式设计、滚筒的曲率半径、滚筒的长短、使用的研磨砂的型号、多少、填充物种类及多少等各项设计必须合理，有一项不完善都会使晶振晶片的边缘效应不能去除，而石英晶振晶片的谐振电阻过大，用在电路中Q值过小，从而电路不能振动或振动了不稳定。

Item	Symbol	Specifications
Part number	P/N	212M327*
Package Type		212SMX
Nominal frequency	F	32.768 kHz
Frequency tolerance (at +25゜C)	△f/F	AA : ±10 ppm A : ±15 ppm B :±20 ppm C : ±30 ppm (Standard)
Load capacitance	CL	12.5 pF: 212M327 (Standard) 9.0 pF: 212M327-9 7.0 pF: 212M327-7
Equivalent series resistance	ESR	90k Ω max. (To : -40゜C to +85゜C)
Drive level	P	0.1 μW (0.5 μW fox max.)
Turnover temperature	Tt	+25゜C ±5゜C
Temperature coefficient	β	-0.034 ppm / ゜C 2 , Typical
Quality factor	Q	20000 min.
Shunt capacitance	C0	1.2 pF, Typical
Motional capacitance	C1	0.003 pF, Typical
Capacitance ratio	Y	400, Typical
Aging (for first year)	△f/F	±3 ppm max. at +25゜C ±3゜C
Insulation resistance	Ri	500 MΩ min. at 100V DC ±15V
Cut		XY-Cut
Operating temperature range	To	-40゜C to +85゜C
Storage temperature range	Ts	-55゜C to +125゜C
Shock resistance	△f/F	±5 ppm max.
Vibration resistance	△f/F	±5 ppm max.
IR reflow resistance	△f/F	±10 ppm max.
Reflow condition		10 seconds max. at +250゜C ±10゜C(2 times)

212SMX尺寸图

抗冲击
  贴片石英晶振可能会在某些条件下受到损坏。例如从桌上跌落或在贴装过程中受到冲击。如果产品已受过冲击请勿使用。
辐射
  暴露于辐射环境会导致石英晶体性能受到损害，因此应避免照射。
化学制剂/pH值环境
  请勿在PH值范围可能导致腐蚀或溶解日本进口晶振或包装材料的环境下使用或储藏这些产品。
粘合剂
请勿使用可能导致SMD晶振所用的封装材料，终端，组件，玻璃材料以及气相沉积材料等受到腐蚀的胶粘剂。（比如，氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶体单元的金属“盖”，从而破坏密封质量，降低性能。）
卤化合物
  请勿在卤素气体环境下使用无源晶振。即使少量的卤素气体，比如在空气中的氯气内或封装所用金属部件内，都可能产生腐蚀。同时，请勿使用任何会释放出卤素气体的树脂。
静电
过高的静电可能会损坏石英谐振器，请注意抗静电条件。请为容器和封装材料选择导电材料。在处理的时候，请使用电焊枪和无高电压泄漏的测量电路，并进行接地操作。

驱动能力:驱动能力说明单元所需电功率，其计算公式如下：驱动能力 (P) = i2_Re其中i表示经过石英晶体振荡器单元的电流，Re表示晶体单元的有效电阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。

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测试条件:(1) 电源电压;超过 150µs，直到电压级别从 0 %达到 90 % 。电源电压阻抗低于电阻 2Ω。(2) 其他: 输入电容低于 15 pF,5倍频率范围或更多测量频率。铅探头应尽可能短。测量频率时，探头阻抗将高于 1MΩ。当波形经过的放大器时，可同时进行测量。(3) 其他: CL包含探头电容。应使用带有小的内部阻抗的电表。使用微型插槽，以观察波形。(请勿使用该探头的长接地线.)

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SMI晶振,212SMX晶振,无源贴片晶振,振荡频率测量:必须尽可能地测量安装在电路上的振荡频率的真实值，使用正确的方法。在振荡频率的测量中，通常使用探头和频率计数器。然而,我们的目标是通过限制测量工具对振荡电路本身的影响来测量。有三种频率测量模式，如下面的图所示（图）。2, 3和4）。最精确的测量方法是通过使用任何能够精确测量的频谱分析仪来实现的。
接触振荡电路:探针不影响图2，因为缓冲器的输出是通过输入振荡电路的输出来测量的。逆变器进入下一阶段。探针不影响图3，因为在IC上测量缓冲器输出（1/1、1/2等）。图4示出了来自ic的无缓冲器输出接收的情况，由此通过小尺寸测量来最小化探针的效果。输出点之间的电容（3pF以下XTAL终端IC）和探针。然而，应该注意到，使用这种方法输出波形较小，晶体测量不能依赖于即使示波器能检查振荡波形，频率计数器的灵敏度也可以。在这种情况下，使用放大器来测量。

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