Renesas晶振,XLL53V52.000000I,VCXO振荡器,6G通信晶振

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Renesas晶振,XLL53V52.000000I,VCXO振荡器,6G通信晶振

频率：52MHZ

尺寸：5.0mm x 3.2mm

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订购热线：0755-27837162

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Renesas晶振,XLL53V52.000000I,VCXO振荡器,6G通信晶振特点：

•输出类型:LVDS, LVPECL, LVCMOS

•相位抖动(12kHz至20MHz): 750fs至890fs典型

•供电电压:2.5V或3.3V

•包装选项:

•3.2 × 2.5 × 1.0 mm (VCXO不可用)

•5.0 × 3.2 × 1.2毫米

•7.0 × 5.0 × 1.3 mm

•工作温度:-20℃~ +70℃

•频率稳定性选项:±20，±25，±50，或±100 ppm(仅XO)

•±50ppm APR(仅限VCXO)

•工作温度:-40°C至+85°C

•频率稳定性选项:±25，±50，或±100 ppm(仅XO)

•±50ppm APR(仅限VCXO)

•工作温度:-40°C至+105°C(仅XO)

•频率稳定性选项:±50或±100ppm

•kV 85ppm/伏，典型范围从0.5VDC到VDD(仅限VCXO)

•Vc范围线性度优于±10%

高端数码电子谐振器,8045陶瓷壳2P晶振,NX8045GE晶振

Renesas晶振,XLL53V52.000000I,VCXO振荡器,6G通信晶振参数表

项目	符号	规格说明	条件
额定频率	f_nom	52MHz	请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息
电源电压	Vcc	3.3V±0.3V
储存温度	T_stg	-55℃~+125℃	裸存
工作温度	T_use	-40℃~ +85℃
频率公差（标准）	f_tol	±100 ppm	+25℃,超出标准的规格说明请联系我们以便获取相关信息
供电电流	IDD	47mA Max	LVDS 40+MHz to 220MHz
差分输出电压	VOD	0.6V Max	VDD = 3.3V ±5%.
对称性	SYM	47%~53%	At outputs crossing point
输出负载	L_LVDS	100Ω	LVDS Differential.
输入电压	VIH	70%VDD Min	LVDS
输入电压	VIL	30%VDD Max	LVDS
上升下降时间	tr/tf	400ps Max	LVDS 20% to 80% Vpp
起始时间	t str	10ms Max	VDD达到最小指定水平后输出有效时间
周期抖动	JPER	3ps Typ	LVDS
相位抖动	tpj	890 fs Typ	12KHZ~20MHz
老化	f_aging	±3ppm/year	+25℃,第一年