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EPSON晶体,有源晶振,SG-210SEH晶振,X1G0039510001晶振

频率:80~170MHZ

尺寸:2.52*2.0mm

2520mm体积的晶振,可以说是目前小型数码产品的福音,目前超小型的智能手机里面所应用的就是小型的石英晶振,该产品最适用于无线通讯系统,无线局域网,已实现低相位噪声,低电压,低消费电流和高稳定度,超小型,质量轻等产品特点,产品本身编带包装方式,可对应自动高速贴片机应用,以及高温回流焊接(产品无铅对应),为无铅产品.
订购热线:0755-27837162
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       EPSON爱普生公司成立于1942年5月,总部位于日本长野县诹访市,是数码映像领域的全球领先企业.爱普生集团通过富有创新和创造力的文化,提升企业价值,致力于为客户提供数码影像创新技术和解决方案.爱普生拓优科梦是一家专业从事晶体元件的厂商,爱普生拓优科梦(Epson — yocom)运用长年积累的培育人工贴片晶振以及以加工为代表的、实现精微化、高精度、高品质的综合技术,提出“3D战略”究极应用石英特性而制造的三大元器件:定时元器件、传感元器件、光学元器件.

       并创出将其复合而成的模块,为成为不可缺少的企业而迈进至今.伴随信息化社会的进程,现在石英晶体振荡器元器件已被广泛应用于各种电子设备以及家电产品之中,日趋重要. 爱普生拓优科梦(Epson — yocom)将进一步究极用精微加工发挥“石英”材料的优越性能的“QMEMS”技术,创造出更小、更高性能或全新功能的元器件;同时,融合爱普生集团的半导体与软件技术增添便于使用、能让顾客更体验到利用价值的“解决方案”.通过上述工作,我们将为社会的发展以及实现更舒畅的未来而竭诚奉献.

      EPSON晶体,有源晶振,SG-210SEH晶振,X1G0039510001晶振,有源晶振高频振荡器使用IC与晶片设计匹配技术:有源晶振是高频振荡器研发及生产过程必须要解决的技术难题。在设计过程中除了要考虑石英晶体谐振器具有的电性外,还有石英晶体振荡器的电极设计等其它的特殊性,必须考虑石英晶体振荡器的供应电压、起动电压和产品上升时间、下降时间等相关参数。

      贴片石英晶体,体积小,焊接可采用自动贴片系统,产品本身小型,表面贴片晶振,特别适用于有小型化要求的电子数码产品市场领域,因产品小型,薄型优势,耐环境特性,包括耐高温,耐冲击性等,在移动通信领域得到了广泛的应用,晶振产品本身可发挥优良的电气特性,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.

爱普生晶振规格

SG-210SEH晶振

驱动输出

CMOS

常用频率

80~170MHZ

工作电压

+1.8V (代表値) 
電源電圧は+1.7V+3.3V範囲の任意の電圧で動作可能

静态电流

(工作时)+1.2 mA max. (F15MHz) +1.4 mA max. (15F26MHz) 
+1.6 mA max. (F26MHz)(スタンバイ時)+1μA以下

TCXO输出电压

0.8Vp-p min.

TCXO输出负载

10kΩ//10pF) ±10

常规温度偏差

±20/30/50×10-6 (After 2 reflows)

频率温度偏差

±30×10-6/-40℃~+85

±50×10-6/-55℃~+125℃(オプション)

爱普生日产有源兆赫兹晶振型号列表:

Rearranges Rearranges Rearranges
Model
Frequency LxWxH Rearranges
Output Wave
Rearranges,Rearranges
Ope Temperature
Rearranges Rearranges Rearranges Rearranges Rearranges
Freq. Tol.
I [Max] 25°C Aging Aging2 Symmetry
SG-210SDH 125.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 9.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
SG-210SDH 100.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -20 to 70 °C +/-50 ppm ≤ 7.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
SG-210SDH 156.250000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 9.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
SG-210SDH 125.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-100 ppm ≤ 7.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
SG-210SEH 125.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 6.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
SG-210SEH 100.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 6.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
SG-210SEH 133.333000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 8.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
SG-210SEH 156.250000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 8.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
爱普生日产有源兆赫兹晶振编码列表:

Rearranges Rearranges Rearranges Rearranges
Product Number
Model Frequency LxWxH Rearranges
Output Wave
Rearranges,Rearranges
Ope Temperature
Rearranges Rearranges Rearranges Rearranges Rearranges
Freq. Tol.
I [Max] 25°C Aging Aging2 Symmetry
X1G0039410008 SG-210SDH 125.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 9.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
X1G0039410010 SG-210SDH 100.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -20 to 70 °C +/-50 ppm ≤ 7.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
X1G0039410013 SG-210SDH 156.250000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 9.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
X1G0039410014 SG-210SDH 125.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-100 ppm ≤ 7.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
X1G0039510001 SG-210SEH 125.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 6.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
X1G0039510002 SG-210SEH 100.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 6.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
X1G0039510003 SG-210SEH 133.333000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 8.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
X1G0039510004 SG-210SEH 156.250000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 8.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %

SG-211SEE SDE SCE 2520 COMS

       晶振产品的设计和生产直到出厂,都会经过严格的测试检测来满足它的规格要求。通过严格的出厂前可靠性测试以提供高质量高的可靠性的进口晶振.但是为了石英晶振的品质和可靠性,必须在适当的条件下存储,安 装,运输。请注意以下的注意事项并在最佳的条件下使用产品,我们将对于客户按自己的判断而使用石英晶振所导致的不良不负任何责任。EPSON晶体,有源晶振,SG-210SEH晶振,X1G0039510001晶振

       机械振动的影响:当贴片振荡器产品上存在任何给定冲击或受到周期性机械振动时,比如:压电扬声器,压电蜂鸣器,以及喇叭等,输出频率和幅度会受到影响。这种现象对通信器材通信质量有影响。尽管晶振产品设计可最小化这种机械振动的影响,我们推荐事先检查并按照下列安装指南进行操作。

       晶振产品使用每种产品时,请在2520晶振规格说明或产品目录规定使用条件下使用。因很多种晶振产品性能,以及材料有所不同,所以使用注意事项也有所不同,比如焊接模式,运输模式,保存模式等等,都会有所差别。 

           振荡补偿:除非在振荡电路中提供足够的负极电阻,否则会增加振荡启动时间,或不发生振荡。为避免该情况发生,请在电路设计时提供足够的负极电阻。EPSON晶体,有源晶振,SG-210SEH晶振,X1G0039510001晶振

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       驱动能力:驱动能力说明金属面晶振振荡晶体单元所需电功率,其计算公式如下:驱动能力 (P) = i2?Re其中i表示经过晶体单元的电流,Re表示晶体单元的有效电阻,而且 Re=R1(1+Co/CL).

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         振荡电路的检查方法:振荡频率测量:必须尽可能地测量安装在小体积有源振荡器电路上的谐振器的振荡频率的真实值,使用正确的方法。在振荡频率的测量中,通常使用探头和频率计数器。然而,我们的目标是通过限制测量工具对振荡电路本身的影响来测量。有三种频率测量模式,如下面的图所示(图)。2, 3和4)。最精确的测量方法是通过使用任何能够精确测量的频谱分析仪来实现的。

      接触振荡电路:探针不影响图2,因为缓冲器的输出是通过小体积2520贴片晶振输入振荡电路的输出来测量的。逆变器进入下一阶段。探针不影响图3,因为在IC上测量缓冲器输出(1/1、1/2等)。图4示出了来自ic的无缓冲器输出接收的情况,由此通过小尺寸测量来最小化探针的效果。输出点之间的电容(3 pF以下XTAL终端IC)和探针。然而,应该注意到,使用这种方法输出波形较小,测量不能依赖于即使示波器能检查振荡波形,频率计数器的灵敏度也可以。在这种情况下,使用放大器来测量。

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