有源贴片振荡器,SG-211SEE晶振,X1G0036410002晶振

当前位置：首页 » 石英晶振 » 爱普生晶振 » EPSON晶体,有源晶振,SG-211SEE晶振,X1G0036410002晶振

prevnext

EPSON晶体,有源晶振,SG-211SEE晶振,X1G0036410002晶振

频率：2.375~60MHZ

尺寸：2.5*2.0mm

有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC（TSSOP封装,TVSOP封装）同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊盘（无铅对应）产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.

订购热线：0755-27837162

日本精工爱普生接受了中国苏州政府2007 年的招商引资,命名为【爱普生拓优科梦水晶元器件（苏州）有限公司】爱普生拓优科梦（Epson Toyocom）是精工爱普生株式会社与爱普生（中国）有限公司共同投资成立的有限责任公司（外商合资）.目前注册资本2500万美金.现员工人数:1500人.主要从事压电石英晶振系列产品的生产,投资初期主要生产32.768KHZ系列产品,从2009年起32.768K系列产品转向马来西亚量产.苏州爱普生工厂就以生产高端的石英晶体振荡器为主,普通石英晶体谐振器为辅.

爱普生品牌系列千赫子的贴片晶振,目前占据了中国市场进口晶振25％的份额,品牌质量,货期,品种,品质是广大用户有目共睹,从MC-146晶振最早期从MP4,MP3收音机模块启用开始,在到国内外各大知名品牌手机,最后应用到国内山寨手机市场,几乎占据80％的手机行业晶振类别,产品本身特点是体积小,耐高温,稳定性能高,排带包装,应用自动贴片方便.爱普生晶振小体积SMD时钟晶体谐振器,是贴片音叉晶体,千赫频率元件,应用于时钟模块,智能手机,全球定位系统,因产品本身体积小,SMD编带型,可应用于高性能自动贴片焊接,被广泛应用到各种小巧的便携式消费电子数码时间产品,环保性能符合ROHS/无铅标准.

EPSON晶体,有源晶振,SG-211SEE晶振,X1G0036410002晶振,石英晶振产品电极的设计：石英晶振产品的电极对于石英晶体元器件来讲作用是1.改变频率；2.往外界引出电极；3.改变电阻；4.抑制杂波。第1、2、3项相对简单，第4项的设计很关键，电极的形状、尺寸、厚度以及电极的种类(如金、银等)都会导致第4项的变化。特别是随着晶振的晶片尺寸的缩小对于晶片电极设计的形状及尺寸和精度上都有更高的要求---公差大小、位置的一致性等对晶振产品的影响的程度增大，故对电极的设计提出了更精准的要求。

2520mm体积的晶振,可以说是目前小型数码产品的福音,目前超小型的智能手机里面所应用的就是小型的2520晶振,该产品最适用于无线通讯系统,无线局域网,已实现低相位噪声,低电压,低消费电流和高稳定度,超小型,质量轻等产品特点,产品本身编带包装方式,可对应自动高速贴片机应用,以及高温回流焊接（产品无铅对应）,为无铅产品.

爱普生晶振规格	SG-211SEE晶振
驱动输出	CMOS
常用频率	2.375~60MHZ
工作电压	+1.6~2.2V （代表値）電源電圧は+1.7V～+3.3V範囲の任意の電圧で動作可能
静态电流	（工作时）+1.2 mA max. (F≦15MHz) +1.4 mA max. (15＜F≦26MHｚ） +1.6 mA max. (F＞26MHz)（スタンバイ時）+1μA以下
TCXO输出电压	0.8Vp-p min.
TCXO输出负载	（10kΩ//10pF) ±10％
常规温度偏差	±20/30/50×10-6 (After 2 reflows)
频率温度偏差	±30×10-6/-40℃～+85℃
频率温度偏差	±50×10-6/-55℃～+125℃（オプション）

爱普生日产有源兆赫兹晶振型号列表：

Model

Frequency

LxWxH

Output Wave

Ope Temperature

Freq. Tol.

I [Max]

25°C Aging

Aging2

Symmetry

SG-211SDE

25.000000 MHz

2.50 x 2.00 x 0.80 mm

CMOS

-40 to 85 °C

+/-20 ppm

≤ 2.5 mA

Included in Frequency tolerance First year

45 to 55 %

SG-211SDE

40.000000 MHz

2.50 x 2.00 x 0.80 mm

CMOS

-40 to 85 °C

+/-15 ppm

≤ 3.0 mA

Included in Frequency tolerance First year

45 to 55 %

SG-211SDE

36.000000 MHz

2.50 x 2.00 x 0.80 mm

CMOS

-20 to 70 °C

+/-20 ppm

≤ 3.0 mA

Included in Frequency tolerance First year

45 to 55 %

SG-211SDE

24.000000 MHz

2.50 x 2.00 x 0.80 mm

CMOS

-40 to 85 °C

+/-20 ppm

≤ 2.5 mA

Included in Frequency tolerance First year

45 to 55 %

SG-211SEE

40.000000 MHz

2.50 x 2.00 x 0.80 mm

CMOS

-40 to 85 °C

+/-15 ppm

≤ 2.8 mA

Included in Frequency tolerance First year

45 to 55 %

SG-211SEE

40.000000 MHz

2.50 x 2.00 x 0.80 mm

CMOS

-40 to 85 °C

+/-20 ppm

≤ 2.8 mA

Included in Frequency tolerance First year

45 to 55 %

SG-211SEE

11.289600 MHz

2.50 x 2.00 x 0.80 mm

CMOS

-20 to 70 °C

+/-20 ppm

≤ 2.3 mA

Included in Frequency tolerance First year

45 to 55 %

SG-211SEE

25.000000 MHz

2.50 x 2.00 x 0.80 mm

CMOS

-20 to 70 °C

+/-20 ppm

≤ 2.3 mA

Included in Frequency tolerance First year

45 to 55 %

爱普生日产有源兆赫兹晶振编码列表：

Product Number

Model

Frequency

LxWxH

Output Wave

Ope Temperature

Freq. Tol.

I [Max]

25°C Aging

Aging2

Symmetry

X1G0036310020

SG-211SDE

25.000000 MHz

2.50 x 2.00 x 0.80 mm

CMOS

-40 to 85 °C

+/-20 ppm

≤ 2.5 mA

Included in Frequency tolerance First year

45 to 55 %

X1G0036310021

SG-211SDE

40.000000 MHz

2.50 x 2.00 x 0.80 mm

CMOS

-40 to 85 °C

+/-15 ppm

≤ 3.0 mA

Included in Frequency tolerance First year

45 to 55 %

X1G0036310022

SG-211SDE

36.000000 MHz

2.50 x 2.00 x 0.80 mm

CMOS

-20 to 70 °C

+/-20 ppm

≤ 3.0 mA

Included in Frequency tolerance First year

45 to 55 %

X1G0036310023

SG-211SDE

24.000000 MHz

2.50 x 2.00 x 0.80 mm

CMOS

-40 to 85 °C

+/-20 ppm

≤ 2.5 mA

Included in Frequency tolerance First year

45 to 55 %

X1G0036410002

SG-211SEE

40.000000 MHz

2.50 x 2.00 x 0.80 mm

CMOS

-40 to 85 °C

+/-15 ppm

≤ 2.8 mA

Included in Frequency tolerance First year

45 to 55 %

X1G0036410003

SG-211SEE

40.000000 MHz

2.50 x 2.00 x 0.80 mm

CMOS

-40 to 85 °C

+/-20 ppm

≤ 2.8 mA

Included in Frequency tolerance First year

45 to 55 %

X1G0036410004

SG-211SEE

11.289600 MHz

2.50 x 2.00 x 0.80 mm

CMOS

-20 to 70 °C

+/-20 ppm

≤ 2.3 mA

Included in Frequency tolerance First year

45 to 55 %

X1G0036410005

SG-211SEE

25.000000 MHz

2.50 x 2.00 x 0.80 mm

CMOS

-20 to 70 °C

+/-20 ppm

≤ 2.3 mA

Included in Frequency tolerance First year

45 to 55 %

SG-211SEE SDE SCE 2520 COMS

所有产品的共同点1：抗冲击:抗冲击是指晶振产品可能会在某些条件下受到损坏。例如从桌上跌落,摔打,高空抛压或在贴装过程中受到冲击。如果产品已受过冲击请勿使用。因为无论何种进口石英晶振,其内部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都会给晶振照成不良影响。 2：辐射:将贴片晶振暴露于辐射环境会导致产品性能受到损害,因此应避免阳光长时间的照射。 3：化学制剂 / pH值环境:请勿在PH值范围可能导致腐蚀或溶解石英晶振或包装材料的环境下使用或储藏这些产品。 EPSON晶体,有源晶振,SG-211SEE晶振,X1G0036410002晶振
4：粘合剂:请勿使用可能导致石英晶振所用的封装材料,终端,组件,玻璃材料以及气相沉积材料等受到腐蚀的胶粘剂。（比如,氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶振的金属“盖”,从而破坏密封质量,降低性能。） 5：卤化合物:请勿在卤素气体环境下使用晶振。即使少量的卤素气体,比如在空气中的氯气内或封装所用金属部件内,都可能产生腐蚀。同时,请勿使用任何会释放出卤素气体的树脂。6：静电:过高的静电可能会损坏贴片晶振,请注意抗静电条件。请为容器和封装材料选择导电材料。在处理的时候,请使用电焊枪和无高电压泄漏的测量电路,并进行接地操作。
晶振产品使用每种产品时,请在贴片有源晶振规格说明或产品目录规定使用条件下使用。因很多种晶振产品性能,以及材料有所不同,所以使用注意事项也有所不同,比如焊接模式,运输模式,保存模式等等,都会有所差别。

驱动能力:驱动能力说明晶体单元所需电功率，其计算公式如下：驱动能力 (P) = i2?Re其中i表示经过晶体单元的电流.EPSON晶体,有源晶振,SG-211SEE晶振,X1G0036410002晶振

20181212163938

晶体谐振腔的形式模式，但泛音振荡或基波。振荡开始代替。在2520时钟有源振荡器基本谐振的情况下（MHz频段）反馈电阻通常是1米?。在泛音谐振器（兆赫频带）的情况下，值取决于IC和频率特性，但在几个范围内。K?-?几十K。在音叉式谐振器的案例（kHz频段），需要连接一个电阻10米或更?。限制流入谐振器的电流，调节负电阻和励磁。电平，防止谐振腔的反常振荡，抑制频率波动。C1、C2电容器调节负电阻、励磁电平和振荡频率。还设置有给定负载能力。

适当的控制电阻值（RD）取决于谐振器的类型，频带和设备的价值。电容器（C1，C2）。精确值是通过金属面有源晶振测量振荡电路的特性来确定的（包括负电阻和驱动级）。AT切割谐振器（兆赫频带）的参考值在几个范围内。?几K?。音叉式谐振器（kHz频段）的参考值在100 K?几K?范围。安装电容器的适当值取决于谐振器的类型、频带、控制电阻器的值和振荡的顺序，在3 pF的范围内- 33 pF左右，仅供参考。

20181212163842