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EPSON晶体,有源晶振,SG-211SCE晶振,X1G0036210006晶振
频率：2.375~60MHZ
尺寸：2.5*2.0mm
精工爱普生株式会社（总经理:碓井 稔,以下简称为“爱普生”）在2008年正式和深圳市金洛鑫电子有限公司签订在中国区域深圳总代理签订合作协议,在同年期间苏州爱普生水晶宣布将高端的石英晶体振荡器生产重心转移到中国苏州爱普生工厂生产,并且成立研发中心.因为智能手机,以及GPS卫星导航的普及,有源晶振得到迅速的发展,并且从早期5X7mm的体积演变到今天2520mm体积的温补晶振,压控晶振,以下是有源石英晶体振荡器部分产品型号,爱普生料号等.
爱普生贴片式石英晶振振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品2520晶振被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.
EPSON晶体,有源晶振,SG-211SCE晶振,X1G0036210006晶振,有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC（TSSOP封装,TVSOP封装）同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊盘（无铅对应）产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.
石英晶振真空退火技术：晶振高真空退火处理是消除贴片晶振在加工过程中产生的应力及轻微表面缺陷。在PLC控制程序中输入已设计好的温度曲线，使真空室温度跟随设定曲线对晶体组件进行退火，石英晶振通过合理的真空退火技术可提高晶振主要参数的稳定性，以及提高石英晶振的年老化特性。
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爱普生晶振规格 |
SG-211SCE晶振 |
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驱动输出 |
CMOS |
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常用频率 |
2.375~60MHZ |
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工作电压 |
+2.7~3.63V （代表値） |
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静态电流 |
（工作时）+1.2 mA max. (F≦15MHz) +1.4 mA max. (15＜F≦26MHｚ） |
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TCXO输出电压 |
0.8Vp-p min. |
|
TCXO输出负载 |
（10kΩ//10pF) ±10％ |
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常规温度偏差 |
±20/30/50×10-6 (After 2 reflows) |
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频率温度偏差 |
±30×10-6/-40℃～+85℃ |
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±50×10-6/-55℃～+125℃（オプション） |
爱普生日产有源兆赫兹晶振型号列表：
爱普生日产有源兆赫兹晶振编码列表：
Model
Frequency
LxWxH
Output Wave
Ope Temperature
Freq. Tol.
I [Max]
25°C Aging
Aging2
Symmetry
SG-210SED
66.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 6.0 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
SG-210SED
74.250000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 6.0 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
SG-210SED
60.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-50 ppm
≤ 6.0 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
SG-210SED
72.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 6.0 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
SG-211SCE
12.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-20 ppm
≤ 3.5 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
SG-211SCE
54.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-15 ppm
≤ 6.0 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
SG-211SCE
25.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-20 ppm
≤ 3.5 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
SG-211SCE
8.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-20 ppm
≤ 3.5 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
Product Number
Model
Frequency
LxWxH
Output Wave
Ope Temperature
Freq. Tol.
I [Max]
25°C Aging
Aging2
Symmetry
X1G0029410013
SG-210SED
66.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 6.0 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
X1G0029410014
SG-210SED
74.250000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 6.0 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
X1G0029410016
SG-210SED
60.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-50 ppm
≤ 6.0 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
X1G0029410018
SG-210SED
72.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 6.0 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
X1G0036210006
SG-211SCE
12.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-20 ppm
≤ 3.5 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
X1G0036210007
SG-211SCE
54.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-15 ppm
≤ 6.0 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
X1G0036210009
SG-211SCE
25.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-20 ppm
≤ 3.5 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
X1G0036210010
SG-211SCE
8.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-20 ppm
≤ 3.5 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
晶振产品使用每种产品时,请在金属面晶振规格说明或产品目录规定使用条件下使用。因很多种晶振产品性能,以及材料有所不同,所以使用注意事项也有所不同,比如焊接模式,运输模式,保存模式等等,都会有所差别。 EPSON晶体,有源晶振,SG-211SCE晶振,X1G0036210006晶振
晶振产品的设计和生产直到出厂,都会经过严格的测试检测来满足它的规格要求。通过严格的出厂前可靠性测试以提供高质量高的可靠性的贴片石英晶振.但是为了石英晶振的品质和可靠性,必须在适当的条件下存储,安 装,运输。请注意以下的注意事项并在最佳的条件下使用产品,我们将对于客户按自己的判断而使用石英晶振所导致的不良不负任何责任。
机械振动的影响:当OSC晶振产品上存在任何给定冲击或受到周期性机械振动时,比如：压电扬声器,压电蜂鸣器,以及喇叭等,输出频率和幅度会受到影响。这种现象对通信器材通信质量有影响。尽管晶振产品设计可最小化这种机械振动的影响,我们推荐事先检查并按照下列安装指南进行操作。
测试条件:(1)电源电压:超过 150µs，直到电压级别从 0 %达到 90 % 。电源电压阻抗低于电阻 2Ω。(2)其他:输入电容低于 15 pF5倍频率范围或更多测量频率。铅探头应尽可能短。测量频率时，探头阻抗将高于 1MΩ。当波形经过振荡器的放大器时，可同时进行测量。(3)其他:CL包含探头电容。应使用带有小的内部阻抗的电表。使用微型插槽，以观察波形。（请勿使用该探头的长接地线）.EPSON晶体,有源晶振,SG-211SCE晶振,X1G0036210006晶振
驱动能力:驱动能力说明小体积有源晶振振荡晶体单元所需电功率，其计算公式如下：驱动能力 (P) = i2?Re其中i表示经过晶体单元的电流，Re表示晶体单元的有效电阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）.
此外，振荡频率与测量点不同。1。测量缓冲输出2。振荡级输出测量三.通过四脚金属面振荡器电容器测量振荡级输出图5示出以上1-3个测量点和所测量的除缓冲器输出外，振荡频率较低。
公司名：深圳市金洛鑫电子有限公司
联系人：茹红青
手机：13510569637
电话：0755-27837162
QQ号：657116624
微信公众号：CITIZENCRYSTAL
搜狐公众号：晶振石英晶振NDK晶振
邮箱：jinluodz@163.com
地址：深圳市宝安区41区甲岸路19号
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JLX-PD
金洛鑫产品系列
PRODUCT LINE
石英晶振
QuartzCrystal
- KDS晶振
- 爱普生晶振
- NDK晶振
- 京瓷晶振
- 精工晶振
- 西铁城晶振
- 大河晶振
- 村田晶振
- 泰艺晶振
- TXC晶振
- 鸿星晶振
- 希华晶振
- 加高晶振
- 百利通亚陶晶振
- 嘉硕晶振
- 津绽晶振
- 玛居礼晶振
- 富士晶振
- SMI晶振
- Lihom晶振
- SHINSUNG晶振
- NAKA晶振
- AKER晶振
- NKG晶振
- NJR晶振
- Sunny晶振
贴片晶振
SMDcrystal
- CTS晶振
- 微晶晶振
- 瑞康晶振
- 康纳温菲尔德晶振
- 高利奇晶振
- Jauch晶振
- AbraconCrystal晶振
- 维管晶振
- ECScrystal晶振
- 日蚀晶振
- 拉隆晶振
- 格林雷晶振
- SiTimeCrystal晶振
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