进口无源SMD晶体,2012千赫兹谐振器,TFE20晶振

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CTS晶振,贴片晶振,TFE20晶振,无源时钟晶振

频率：32.768KHZ

尺寸：2.0*1.2mm

2012mm体积的晶振,可以说是目前小型数码产品的福音,目前超小型的智能手机里面所应用的就是小型的石英晶振,该产品最适用于无线通讯系统,无线局域网,已实现低相位噪声,低电压,低消费电流和高稳定度,超小型,质量轻等产品特点,产品本身编带包装方式,可对应自动高速贴片机应用,以及高温回流焊接（产品无铅对应）,为无铅产品.

订购热线：0755-27837162

CTS是航空航天、通信、国防、工业、信息技术、医疗和运输市场的OEM、传感器和电子元器件的主要设计者和制造商。CTS生产的产品在北美洲、欧洲和亚洲。2013一月，奥沙利文加入了CTS的总裁和首席执行官。在这一年，CTS重新定义了进口晶振简化业务模式、集中精力和推动利润增长的战略，从而减少了全球足迹，改善了竞争地位，提高了盈利能力。进口无源SMD晶体,2012千赫兹谐振器,TFE20晶振
2007、CTS完成α陶瓷收购，提供传感器在军事和航空航天市场的传感器制造商的压电陶瓷材料。因此，CTS增强其全球领先的位置在压电陶瓷具有独特的能力范围,2012、CTS完成•华裴Fisher公司的收购，在精度和频率的石英晶体谐振器的设计制造的领导者。此次收购扩大了CTS的技术和工程能力。CTS继续提供创新的解决方案，利用金属陶瓷技术为国内汽车制造商提供可靠的引擎盖位置传感器。

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CTS晶振,贴片晶振,TFE20晶振,无源时钟晶振,贴片石英晶体谐振器，又简称为排带包装，这是这产品采用排带盘式包装，使产品在焊接时能采用SMT自动贴片机高速的焊接，大大节约人工，提高工作效率。32.768KHz千赫子时钟晶体，其本身主要应用在时钟控制产品，或者是控制模块，主要给时钟芯片提供一个基准信号，其主要各项功能还得看应用何种产品。本产品具有小型,薄型,轻型的贴片晶振表面型音叉式石英晶体谐振器,产品具有优良的耐热性,耐环境特性,可发挥晶振优良的电气特性,符合RoHS规定,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求,金属外壳的封装使得产品在封装时能发挥比陶瓷谐振器外壳更好的耐冲击性.
无源晶振的切割设计：用不同角度对晶振的石英晶棒进行切割，可获得不同特性的石英晶片，通常我们把晶振的石英晶片对晶棒坐标轴某种方位（角度）的切割称为石英晶片的切型。不同切型的石英晶片，因其弹性性质，压电性质，温度性质不同，其电特性也各异，石英晶振目前主要使用的有 AT 切、BT 切。超小型石英贴片晶振晶片的设计：石英晶片的长宽尺寸已要求在±0.00２mm内，由于贴片晶振晶片很小导致晶体的各类寄生波(如长度伸缩振动，面切变振动)与主振动(厚度切变振动)的耦合加强，从而造成如若石英晶振晶片的长度或宽度尺寸设计不正确、使得振动强烈耦合导致石英晶振的晶片不能正常工作.进口无源SMD晶体,2012千赫兹谐振器,TFE20晶振

CTS晶振	单位	TFE20晶振	石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	32.768KHZ	标准频率
储存温度	T_stg	-55°C~+125°C	裸存
工作温度	T_use	-40°C~+85°C	标准温度
激励功率	DL	0.1~0.5μW Max.	推荐:0.1~0.5μW
频率公差	f_— l	±10,20× 10-6	+25°C 对于超出标准的规格说明, 请联系我们以便获取相关的信息,http://www.quartzcrystal.cn/
频率温度特征	f_tem	±15~ ±100× 10-6/-30°C~+85°C	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	5,7,9,12.5PF	不同负载电容要求,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C~+85°C, DL = 100μW
频率老化	f_age	±3× 10-6/year Max.	+25°C,第一年

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晶振产品使用每种产品时,请在石英进口晶振规格说明或产品目录规定使用条件下使用。因很多种晶振产品性能,以及材料有所不同,所以使用注意事项也有所不同,比如焊接模式,运输模式,保存模式等等,都会有所差别。 CTS晶振,贴片晶振,TFE20晶振,无源时钟晶振
存储事项:(1) 在更高或更低温度或高湿度环境下长时间保存音叉型晶振时,会影响频率稳定性或焊接性。请在正常温度和湿度环境下保存这些石英晶振产品,并在开封后尽可能进行安装,以免长期储藏。正常温度和湿度：温度：+15°C 至+35°C,湿度 25 % RH 至 85 % RH2) 请仔细处理内外盒与卷带。外部压力会导致卷带受到损坏。
耐焊性：将32.768K晶振加热包装材料至+150°C以上会破坏产品特性或损害产品。如需在+150°C以上焊接石英晶振,建议使用SMD晶振产品。在下列回流条件下,对石英晶振产品甚至SMD贴片晶振使用更高温度,会破坏晶振特性。建议使用下列配置情况的回流条件。安装这些贴片晶振之前,应检查焊接温度和时间。同时,在安装条件更改的情况下,请再次进行检查。如果需要焊接的晶振产品在下列配置条件下进行焊接,请联系我们以获取耐热的相关信息。进口无源SMD晶体,2012千赫兹谐振器,TFE20晶振

负载电容:如果振荡电路中负载电容的不同，可能导致32.768K石英晶振振荡频率与设计频率之间产生偏差，如下图所示。电路中的负载电容的近似表达式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。其中CS表示电路的杂散电容。CTS晶振,贴片晶振,TFE20晶振,无源时钟晶振

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测试条件:(1)电源电压:超过 150µs，直到电压级别从 0 %达到 90 % 。电源电压阻抗低于电阻 2Ω。(2)其他:输入电容低于 15 pF5倍频率范围或更多测量频率。铅探头应尽可能短。测量2012进口石英晶体频率时，探头阻抗将高于 1MΩ。当波形经过振荡器的放大器时，可同时进行测量。(3)其他:CL包含探头电容。应使用带有小的内部阻抗的电表。使用微型插槽，以观察波形。（请勿使用该探头的长接地线）.

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振荡频率测量:必须尽可能地测量安装在电路上的谐振器的振荡频率的真实值，使用2012音叉晶振正确的方法。在振荡频率的测量中，通常使用探头和频率计数器。然而,我们的目标是通过限制测量工具对振荡电路本身的影响来测量。有三种频率测量模式，如下面的图所示（图）。2, 3和4）。最精确的测量方法是通过使用任何能够精确测量的频谱分析仪来实现的。
接触振荡电路:探针不影响图2，因为缓冲器的输出是通过32.768K贴片晶振输入振荡电路的输出来测量的。逆变器进入下一阶段。探针不影响图3，因为在IC上测量缓冲器输出（1/1、1/2等）。图4示出了来自ic的无缓冲器输出接收的情况，由此通过小尺寸测量来最小化探针的效果。输出点之间的电容（3 pF以下XTAL终端IC）和探针。然而，应该注意到，使用这种方法输出波形较小，测量不能依赖于即使示波器能检查振荡波形，频率计数器的灵敏度也可以。在这种情况下，使用放大器来测量。

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