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SiTime晶振,陶瓷面有源晶振,SiT8002AA晶振

频率:1.000MHz~125.000MHz

尺寸:2.5*2.0*0.85mm

2520mm体积的晶振,可以说是目前小型数码产品的福音,目前超小型的智能手机里面所应用的就是小型的有源晶振,该产品最适用于无线通讯系统,无线局域网,已实现低相位噪声,低电压,低消费电流和高稳定度,超小型,质量轻等产品特点,产品本身编带包装方式,可对应自动高速贴片机应用,以及高温回流焊接(产品无铅对应),为无铅产品.
订购热线:0755-27837162
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    计时产品提供了所有数字电子系统的心跳。在所有主要的市场中,有超过5000个客户在200多个应用中使用SiTime产品。我们的最高容量设计是在网络、消费者、计算和存储领域。2011年,我们开始为电信、无线和工业应用提供产品。SiTime的基于内存的硅计时解决方案受益于广泛的应用。作为石英晶振的替代品,SiTime的振荡器和时钟发生器已经成功地将石英计时工业转化为硅基产品。
    SiTime改变了时机市场。在过去的几十年里,石英晶体振荡器、温补晶振、时钟发生器和谐振器是电子器件中主要的参考计时元件。由于没有其他选择,oem和ODMs接受了石英计时设备的固有限制。现在,随着强大的MEMS谐振器和高性能模拟电路的出现,SiTime已经开发出了克服石英器件局限性的突破性解决方案。除了MEMS和模拟电路的专业知识外,SiTime还具备以优异的质量和可靠性交付大量产品的能力。7050普通有源晶体,陶瓷封装晶体振荡器,SiT8002AA晶振

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    SiTime晶振,陶瓷面有源晶振,SiT8002AA晶振.适用于时钟发生器,工业和太空/卫星应用.MEMS谐振器的体积比石英谐振器小1000倍,并且建在大批量的CMOS工厂中,而不是小型的定制生产设备。 由于体积小,体积大,制造工艺简单,MEMS振荡器本身更加可靠,性能更加稳定,一直处于备货状态.SiT8002AA通过消除石英晶体谐振器,对振动,冲击,应变等环境影响 ,绝对湿度。
    SiTime贴片晶振的切型。采用高速线切割技术:1.优化及严格规范线切割机各项设备参数;2.通过试验精选所使用的各类线切割料,如:磨料、线切割线、槽轮等;3.确认最优的石英晶振切割工艺参数。通过以上方法使切割出的贴片晶振晶片在厚度一致性、平行度、表面粗糙度上都超越其它切割方式,提高了石英晶振晶片的精度,提高了生产效率。

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SiTime晶振

标示

SiT8002AA晶振

晶振基本信息对照表

标准范围

f0

1.000MHz~125.000MHz

 

電源電圧

Vcc

1.8V/+2.5V/+3.3V

 

输出电流

Icc

3.5 mA max.

Vcc=3.3V

频率负载

L_CMOS

30pF

CMOS出力

标准频率偏差

f_tol

±100±200、500×10-6 max.


初期偏差、
周波数温度特性、
電源、負荷変動特性、
経時変化(1年、+25℃時)

输出电压

V

VOH:Vcc×90% min.VOL:Vcc×10% max.

 

对称

SYM

40%60%

50% Vcc

标准时间

tr/tf

12 ns max.(1.880MHz)

10%Vcc90%L_CMOS=15pF

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SiT8002AA 2520 OSC

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<晶体谐振器>
    如果过大的激励电力对SMD晶体外加电压,有可能导致特性老化或损坏,因此请在宣传册、规格书中规定的范围内使用。
    让无源晶振振荡的电路宽裕度大致为负性阻抗值。本公司推荐此负性阻抗为谐振器串联电阻规格值的5倍以上,若是车载和安全设备,则推荐10倍 以上。7050普通有源晶体,陶瓷封装晶体振荡器,SiT8002AA晶振
<晶体振荡器>
    晶体振荡器的内部电路使用C-MOS。闭锁、静电对策请和一般的C-MOS IC一样考虑。
有些石英晶体振荡器没有和旁路电容器进行内部连接。使用时,请在Vdd-GND之间用0.01μF左右的高频特性较好的电容器(陶瓷片状电容器等)以 最短距离连接。关于个别机型请确认宣传册、规格书。
<晶体滤波器>
    注意电路板图形的配置,避免输入端子和输出端子靠得太近。如果贴装晶体滤光片的电路板的杂散电容较大,为了消除该杂散电容,有时需要配置调谐电路。如果过大的激励电力对谐振器外加电压,有可能导致特性老化或损坏,因此请在滤波器的输入电平在−10dBm以下的状态下使用。
<光学产品>
    由于制造过程中进行了灰尘等异物管理,因此包装开封以后,请在进行清洁度管理的环境中使用。SiTime晶振,陶瓷面有源晶振,SiT8002AA晶振

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设计振荡回路的注意事项
1.驱动能力
驱动能力说明硅MEMS振荡器单元所需电功率,其计算公式如下:
驱动能力 (P) = i2_Re
其中i表示经过晶体单元的电流,
Re表示晶体单元的有效电阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。SiTime晶振,陶瓷面有源晶振,SiT8002AA晶振

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2.振荡补偿
除非在振荡电路中提供足够的负极电阻,否则会增加2520四脚贴片晶振振荡启动时间,或不发生振荡。为避免该情况发生,请在电路设计时提供足够的负极电阻。

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3.负载电容
如果振荡电路中负载电容的不同,可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差,如下图所示。电路中的负载电容的近似表达式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示电路的杂散电容。7050普通有源晶体,陶瓷封装晶体振荡器,SiT8002AA晶振

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频率和负载电容特征图器

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振荡回路参数设置参考

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联系人:茹红青

手机:13510569637

电话:0755-27837162

QQ号:657116624

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