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SiTime晶振,32.768K有源晶振,SiT1532晶振

频率:32.768KHz

尺寸:1.54*0.8mm

有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.
订购热线:0755-27837162
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    SiTime在MEMS(微机电系统)技术、模拟CMOS电路设计和开发方面具有深厚的技术专长,并具有成本效益的组装和测试。这些专业技术的结合,都是在SiTime内部进行的,在计时行业中是独一无二的,推动创新的速度要比quartz快得多。除了MEMS和模拟电路的专业知识外,SiTime还具备以优异的有源晶振质量和可靠性交付大量产品的能力。这种能力来自于我们的装配、测试和校准技术,使我们能够提供一个完全集成的解决方案,完全可以与行业标准的脚印相兼容。
    SiTime的基于内存的硅计时解决方案受益于广泛的应用。作为石英设备的替代品,SiTime的振荡器和时钟发生器已经成功地将石英晶振为硅基产品。通过一个全新的全硅平台,SiTime有着卓越的历史成就。我们快速的技术突破是通过利用硅技术的优势,结合了数十年的MEMS谐振器经验和内部模拟技术来实现的。半导体公司正在将我们的硅MEMS谐振器集成到他们的足球/asics中,从而完全消除外部时钟,简化系统设计。

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   SiTime晶振,32.768K有源晶振,SiT1532晶振.是全球最小,功耗最低的32.768kHz振荡器,针对移动和其他电池供电应用而优化。SiTime的硅MEMS技术实现了最小尺寸和芯片级封装。与现有的2.0*1.2mm SMD XTAL封装相比,该器件可将32 kHz占用空间减少85%。与XTAL不同,SiT1532振荡器输出实现了更大的元件贴装灵活性,并消除了外部负载电容,从而节省了额外的元件数量和电路板空间。
    SiTime晶振的真空封装技术:是指石英晶振在真空封装区域内进行封装。1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使晶振组件在真空下电阻减小;3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型贴片振荡器必须攻克的关键技术之一。1.5*0.8mm超小型有源晶振,32.768K石英振荡子,SiT1532晶振

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SiTime晶振

标示

SiT1532晶振

晶振基本信息对照表

标准范围

f0

32.768KHz

 

電源電圧

Vcc

1.5V~3.63V

 

输出电流

Icc

3.5 mA max.

Vcc=3.3V

频率负载

L_CMOS

15pF

LVCMOS出力

标准频率偏差

f_tol

±10±20×10-6 max.


初期偏差、
周波数温度特性、
電源、負荷変動特性、
経時変化(1年、+25℃時)

输出电压

V

VOH:Vcc×90% min.VOL:Vcc×10% max.

 

对称

SYM

40%60%

50% Vcc

标准时间

tr/tf

12 ns max.(1.880MHz)

10%Vcc90%L_CMOS=15pF

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SiT1532 1508 32.768K OSC

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噪音
    在电源或输入端上施加执行级别(过高)的不相干(外部的)噪音,可能导致会引发功能失常或击穿的闭门或杂散现象。
电源线路
    电源的线路阻抗应尽可能低。1.5*0.8mm超小型有源晶振,32.768K石英振荡子,SiT1532晶振
输出负载
    建议将输出负载安装在尽可能靠近硅振荡器的地方(在20 mm范围之间)。
未用输入终端的处理
    未用针脚可能会引起噪声响应,从而导致非正常工作。同时,当P通道和N通道都处于打开时,电源功率消耗也会增加;因此,请将未用输入终端连接到VCC 或GND。
热影响
    重复的温度巨大变化可能会降低受损害的MEMS晶振的产品特性,并导致塑料封装里的线路击穿。必须避免这种情况。
安装方向
    进口晶体振荡器的不正确安装会导致故障以及崩溃,因此安装时,请检查安装方向是否正确。SiTime晶振,32.768K有源晶振,SiT1532晶振
通电
    不建议从中间电位和/或极快速通电,否则会导致美国进口晶振无法产生振荡和/或非正常工作。

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设计振荡回路的注意事项
1.驱动能力
驱动能力说明32.768K振荡器所需电功率,其计算公式如下:
驱动能力 (P) = i2_Re
其中i表示经过晶体单元的电流,
Re表示晶体单元的有效电阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。1.5*0.8mm超小型有源晶振,32.768K石英振荡子,SiT1532晶振

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2.振荡补偿
除非在振荡电路中提供足够的负极电阻,否则会增加耐高温晶振振荡启动时间,或不发生振荡。为避免该情况发生,请在电路设计时提供足够的负极电阻。

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3.负载电容
如果振荡电路中负载电容的不同,可能导致石英晶体振荡器振荡频率与设计频率之间产生偏差,如下图所示。电路中的负载电容的近似表达式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示电路的杂散电容。SiTime晶振,32.768K有源晶振,SiT1532晶振

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频率和负载电容特征图器

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振荡回路参数设置参考

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