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村田晶振,MCR1210晶振,XRCED37M400FXQ52R0晶振
频率：37.4MHZ
尺寸：1.2*1.0*0.33mm
自1944年创业以来，村田得到了巨大的发展，在2013年度制定的中期构想最终年度的2015年度，石英晶振营业额达到了在村田的历史上具有里程碑意义的万亿日元。在此衷心感谢广大客户和各利益相关方长期以来的大力支持。世界经济的前景虽不明朗，但电子设备社会正在迅速、切实地向前发展。而这样的变化也为村田带来了新的商机。村田制定了新的“中期构想2018”以及“长期构想”，指明了为电子设备社会的发展做贡献的未来发展之路。极小型1210轻薄时钟晶振,MCR1210晶振,XRCED37M400FXQ52R0晶振
此外，我们也将把汽车、能源、医疗保健作为重点市场，并提供只有村田才能实现的价值。在新感应技术及通信技术需求不断提高的IoT社会，村田将作为一个晶振重要的参与者来体现其存在的价值，并不断强化制造、技术开发及人才开发等事业基础。村田的发展永无止境，而在新的发展过程中“经营理念”也将始终是各项工作的基础。我们要让分布在世界各地的全体村田员工充分理解村田的“经营理念”，使村田永远成为为客户和社会而存在的企业。
村田晶振,MCR1210晶振,XRCED37M400FXQ52R0晶振,小型表面贴片晶振型,是标准的石英晶体谐振器,适用于宽温范围的电子数码产品,家电电器及MP3,MP4,播放器,单片机等领域.可对应37.4000MHz以上的频率,在电子数码产品,以及家电相关电器领域里面发挥优良的电气特性,满足无铅焊接的回流温度曲线要求.
石英晶振真空退火技术：SMD晶振高真空退火处理是消除贴片晶振在加工过程中产生的应力及轻微表面缺陷。在PLC控制程序中输入已设计好的温度曲线，使真空室温度跟随设定曲线对晶体组件进行退火，石英晶振通过合理的真空退火技术可提高晶振主要参数的稳定性，以及提高石英晶振的年老化特性。晶振的真空封装技术：是指石英晶振在真空封装区域内进行封装。1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生；2.使晶振组件在真空下电阻减小；3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶振必须攻克的关键技术之一。极小型1210轻薄时钟晶振,MCR1210晶振,XRCED37M400FXQ52R0晶振
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TXC晶振 |
单位 |
MCR1210晶振 |
石英晶振基本条件 |
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标准频率 |
f_nom |
12~54MHZ |
标准频率 |
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工作温度 |
T_use |
-30°C~+85°C |
标准温度 |
|
激励功率 |
DL |
100μW Max. |
推荐:100μW |
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频率公差 |
f_— l |
±20×10-6 (标准) |
+25°C 对于超出标准的规格说明, |
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频率温度特征 |
f_tem |
(±10)×10-6/-20°C~+70°C |
超出标准的规格请联系我们. |
|
负载电容 |
CL |
6pF |
不同负载电容要求,请联系我们. |
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串联电阻(ESR) |
R1 |
60? |
|
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频率老化 |
f_age |
±3×10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
所有产品的共同点:1：抗冲击:抗冲击是指无源晶振产品可能会在某些条件下受到损坏。例如从桌上跌落,摔打,高空抛压或在贴装过程中受到冲击。如果产品已受过冲击请勿使用。因为无论何种石英晶振,其内部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都会给晶振照成不良影响。 2：辐射:将贴片晶振暴露于辐射环境会导致产品性能受到损害,因此应避免阳光长时间的照射。 3：化学制剂 / pH值环境:请勿在PH值范围可能导致腐蚀或溶解石英晶振或包装材料的环境下使用或储藏这些产品。 村田晶振,MCR1210晶振,XRCED37M400FXQ52R0晶振
4：粘合剂:请勿使用可能导致进口石英晶振所用的封装材料,终端,组件,玻璃材料以及气相沉积材料等受到腐蚀的胶粘剂。（比如,氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶振的金属“盖”,从而破坏密封质量,降低性能。） 5：卤化合物:请勿在卤素气体环境下使用晶振。即使少量的卤素气体,比如在空气中的氯气内或封装所用金属部件内,都可能产生腐蚀。同时,请勿使用任何会释放出卤素气体的树脂。6：静电:过高的静电可能会损坏贴片晶振,请注意抗静电条件。请为容器和封装材料选择导电材料。在处理的时候,请使用电焊枪和无高电压泄漏的测量电路,并进行接地操作。
晶振产品使用每种产品时,请在进口贴片晶振规格说明或产品目录规定使用条件下使用。因很多种晶振产品性能,以及材料有所不同,所以使用注意事项也有所不同,比如焊接模式,运输模式,保存模式等等,都会有所差别。极小型1210轻薄时钟晶振,MCR1210晶振,XRCED37M400FXQ52R0晶振
驱动能力:驱动能力说明1210mm金属面石英晶体振荡晶体单元所需电功率，其计算公式如下：驱动能力 (P) = i2?Re其中i表示经过晶体单元的电流，Re表示晶体单元的有效电阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。村田晶振,MCR1210晶振,XRCED37M400FXQ52R0晶振
测试条件:(1) 电源电压? 超过 150µs，直到电压级别从 0 %达到 90 % 。? 电源电压阻抗低于电阻 2Ω。(2) 其他? 输入电容低于 15 pF? 5倍频率范围或更多测量频率。? 铅探头应尽可能短。? 测量频率时，探头阻抗将高于1MΩ。当波形经过1210nn石英晶体振荡器的放大器时，可同时进行测量。(3) 其他? CL包含探头电容。? 应使用带有小的内部阻抗的电表。? 使用微型插槽，以观察波形。（请勿使用该探头的长接地线）
1、振荡电路:晶体谐振器是无源元件，因此受到电源电压、环境温度、电路的影响。配置、电路常数和衬底布线模式等操作大致分为正常运行和异常运行。因此，在振荡电路的设计中，先决条件之一是如何确定1210mm贴片晶振振荡电路。晶体谐振器的振动安全稳定。只有在做出了这个决定之后，后续的项目，例如讨论了频率精度、频率变化、调制度、振荡起始时间和振荡波形。
振荡开始代替。在基本谐振的情况下（MHz频段）小体积无源晶振电阻通常是1米?。在泛音谐振器（兆赫频带）的情况下，值取决于IC和频率特性，但在几个范围内。K?-?几十K。在音叉式谐振器的案例（kHz频段），需要连接一个电阻10米或更?。限制流入谐振器的电流，调节负电阻和励磁。电平，防止谐振腔的反常振荡，抑制频率波动。C1、C2电容器调节负电阻、励磁电平和振荡频率。还设置有给定负载能力。
公司名：深圳市金洛鑫电子有限公司
联系人：茹红青
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电话：0755-27837162
QQ号：657116624
微信公众号：CITIZENCRYSTAL
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JLX-PD
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