KT2016K26000AEU28T,日本进口京瓷晶振,KT2016K小型表面贴装晶振

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KT2016K26000AEU28T,日本进口京瓷晶振,KT2016K小型表面贴装晶振

频率：26MHz

尺寸：2016mm

KT2016K26000AEU28T,日本进口京瓷晶振,KT2016K小型表面贴装晶振,从型号参数上可直观体现其核心特性:"2016"代表着该晶振的封装尺寸为2.0mm×1.6mm,属于典型的小型表面贴装规格,这种紧凑的设计使其能够轻松嵌入到智能手机,智能手表,无线传感器等对空间要求极高的电子设备中.相比传统较大尺寸的晶振,KT2016K26000AEU28T在安装时无需占用过多PCB板空间,为设备的轻薄化设计和多功能集成提供了更大的可能性,尤其适合当前消费电子设备追求极致便携性与外观精致度的发展方向.

订购热线：0755-27837162

JLX-1

KT2016K26000AEU28T,日本进口京瓷晶振,KT2016K小型表面贴装晶振

日本京瓷在晶体材料研发与制造工艺上拥有数十年的技术沉淀,KT2016K26000AEU28T作为其旗下产品,充分继承了京瓷对品质的严苛追求.在核心材料方面,该晶振采用高纯度石英晶体作为谐振单元,这种材料具有稳定的物理特性,能够在不同环境条件下保持稳定的谐振频率,为晶振的高精度输出奠定了基础.在频率精度上,KT2016K26000AEU28T表现出色,其标称频率为26MHz,频率偏差能够控制在极小范围(通常可达到±10ppm以内),确保为电子设备提供精准的时钟信号.这一特性在通信设备中尤为重要,例如在4G/5G移动终端中,精准的时钟信号是保障射频模块,基带芯片协同工作的关键,能够有效减少信号传输中的误码率,提升通信质量.
此外,京瓷通过先进的封装工艺与可靠性测试,使KT2016K26000AEU28T有源晶振具备优异的环境适应性.在温度稳定性方面,该晶振能够在-40℃至+85℃的宽温范围内稳定工作,即使在极端温度变化下,频率漂移也能得到有效控制；在抗振动与抗冲击性能上,经过严格测试,其可承受一定强度的机械应力,满足汽车电子,工业控制等领域对元器件可靠性的要求.同时,晶振的密封性设计使其具备良好的抗潮湿,抗腐蚀能力,能够在多尘,高湿等复杂环境中保持长期稳定运行.

KT2016K26000AEU28T,日本进口京瓷晶振,KT2016K小型表面贴装晶振

原厂型号 Original model ：	KT2016K26000AEU28T	品牌 brand ：	京瓷晶振
Manufacturer品牌	京瓷晶振	Operating Temperature温度	-20 ~ +75°C
Series型号	KT2016K	Current - Supply (Max)	-
Type 类型	TCXO	Package Height高度	0.8mm
Frequency 频率	26M	Termination 脚位	4 pads
输出方式 Output：	削峰正弦波	Package Type 封装类型	4-SMD
Voltage - Supply电压	2.8V	Packaging 包装	Tape and Reel
Frequency Stability频率稳定度	±0.5ppm	安装方式 Installation ：	Surface mount
Size / Dimension 尺寸	2016进口贴片	最小包装数 MPQ ：	3000

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KT2016K26000AEU28T,日本进口京瓷晶振,KT2016K小型表面贴装晶振

KT2016K

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KT2016K26000AEU28T,日本进口京瓷晶振,KT2016K小型表面贴装晶振

KC2016K1.50000C10E00	2.0 x 1.6mm	0.8	1.5	-10	70	± 50	CMOS
KC2016K1.50000C16E00	2.0 x 1.6mm	0.8	1.5	-40	105	± 50	CMOS
KC2016K1.50000C1GE00	2.0 x 1.6mm	0.8	1.5	-40	85	± 50	CMOS
KC2016K1.50000C1SE00	2.0 x 1.6mm	0.8	1.5	-10	70	± 30	CMOS
KC2016K1.50000C1UE00	2.0 x 1.6mm	0.8	1.5	-10	70	± 25	CMOS
KC2016K1.84320C10E00	2.0 x 1.6mm	0.8	1.8432	-10	70	± 50	CMOS
KC2016K1.84320C16E00	2.0 x 1.6mm	0.8	1.8432	-40	105	± 50	CMOS
KC2016K1.84320C1GE00	2.0 x 1.6mm	0.8	1.8432	-40	85	± 50	CMOS
KC2016K1.84320C1SE00	2.0 x 1.6mm	0.8	1.8432	-10	70	± 30	CMOS
KC2016K1.84320C1UE00	2.0 x 1.6mm	0.8	1.8432	-10	70	± 25	CMOS
KC2016K10.0000C10E00	2.0 x 1.6mm	0.8	10	-10	70	± 50	CMOS
KC2016K10.0000C16E00	2.0 x 1.6mm	0.8	10	-40	105	± 50	CMOS
KC2016K10.0000C1GE00	2.0 x 1.6mm	0.8	10	-40	85	± 50	CMOS
KC2016K10.0000C1SE00	2.0 x 1.6mm	0.8	10	-10	70	± 30	CMOS
KC2016K10.0000C1UE00	2.0 x 1.6mm	0.8	10	-10	70	± 25	CMOS
KC2016K10.2400C10E00	2.0 x 1.6mm	0.8	10.24	-10	70	± 50	CMOS
KC2016K10.2400C16E00	2.0 x 1.6mm	0.8	10.24	-40	105	± 50	CMOS
KC2016K10.2400C1GE00	2.0 x 1.6mm	0.8	10.24	-40	85	± 50	CMOS
KC2016K10.2400C1SE00	2.0 x 1.6mm	0.8	10.24	-10	70	± 30	CMOS
KC2016K10.2400C1UE00	2.0 x 1.6mm	0.8	10.24	-10	70	± 25	CMOS
KC2016K10.5554C10E00	2.0 x 1.6mm	0.8	10.5554	-10	70	± 50	CMOS
KC2016K10.5554C16E00	2.0 x 1.6mm	0.8	10.5554	-40	105	± 50	CMOS
KC2016K10.5554C1GE00	2.0 x 1.6mm	0.8	10.5554	-40	85	± 50	CMOS
KC2016K10.5554C1SE00	2.0 x 1.6mm	0.8	10.5554	-10	70	± 30	CMOS
KC2016K10.5554C1UE00	2.0 x 1.6mm	0.8	10.5554	-10	70	± 25	CMOS
KC2016K100.000C10E00	2.0 x 1.6mm	0.8	100	-10	70	± 50	CMOS
KC2016K100.000C16E00	2.0 x 1.6mm	0.8	100	-40	105	± 50	CMOS
KC2016K100.000C1GE00	2.0 x 1.6mm	0.8	100	-40	85	± 50	CMOS
KC2016K100.000C1SE00	2.0 x 1.6mm	0.8	100	-10	70	± 30	CMOS
KC2016K100.000C1UE00	2.0 x 1.6mm	0.8	100	-10	70	± 25	CMOS
KC2016K11.2896C10E00	2.0 x 1.6mm	0.8	11.2896	-10	70	± 50	CMOS
KC2016K11.2896C16E00	2.0 x 1.6mm	0.8	11.2896	-40	105	± 50	CMOS
KC2016K11.2896C1GE00	2.0 x 1.6mm	0.8	11.2896	-40	85	± 50	CMOS
KC2016K11.2896C1SE00	2.0 x 1.6mm	0.8	11.2896	-10	70	± 30	CMOS
KC2016K11.2896C1UE00	2.0 x 1.6mm	0.8	11.2896	-10	70	± 25	CMOS
KC2016K12.0000C10E00	2.0 x 1.6mm	0.8	12	-10	70	± 50	CMOS
KC2016K12.0000C16E00	2.0 x 1.6mm	0.8	12	-40	105	± 50	CMOS
KC2016K12.0000C1GE00	2.0 x 1.6mm	0.8	12	-40	85	± 50	CMOS
KC2016K12.0000C1SE00	2.0 x 1.6mm	0.8	12	-10	70	± 30	CMOS
KC2016K12.0000C1UE00	2.0 x 1.6mm	0.8	12	-10	70	± 25	CMOS
KC2016K12.2880C10E00	2.0 x 1.6mm	0.8	12.288	-10	70	± 50	CMOS
KC2016K12.2880C16E00	2.0 x 1.6mm	0.8	12.288	-40	105	± 50	CMOS
KC2016K12.2880C1GE00	2.0 x 1.6mm	0.8	12.288	-40	85	± 50	CMOS
KC2016K12.2880C1SE00	2.0 x 1.6mm	0.8	12.288	-10	70	± 30	CMOS
KC2016K12.2880C1UE00	2.0 x 1.6mm	0.8	12.288	-10	70	± 25	CMOS
KC2016K12.4560C10E00	2.0 x 1.6mm	0.8	12.456	-10	70	± 50	CMOS
KC2016K12.4560C16E00	2.0 x 1.6mm	0.8	12.456	-40	105	± 50	CMOS
KC2016K12.4560C1GE00	2.0 x 1.6mm	0.8	12.456	-40	85	± 50	CMOS
KC2016K12.4560C1SE00	2.0 x 1.6mm	0.8	12.456	-10	70	± 30	CMOS
KC2016K12.4560C1UE00	2.0 x 1.6mm	0.8	12.456	-10	70	± 25	CMOS
KC2016K12.5000C10E00	2.0 x 1.6mm	0.8	12.5	-10	70	± 50	CMOS
KC2016K12.5000C16E00	2.0 x 1.6mm	0.8	12.5	-40	105	± 50	CMOS
KC2016K12.5000C1GE00	2.0 x 1.6mm	0.8	12.5	-40	85	± 50	CMOS
KC2016K12.5000C1SE00	2.0 x 1.6mm	0.8	12.5	-10	70	± 30	CMOS
KC2016K12.5000C1UE00	2.0 x 1.6mm	0.8	12.5	-10	70	± 25	CMOS
KC2016K125.000C10E00	2.0 x 1.6mm	0.8	125	-10	70	± 50	CMOS
KC2016K125.000C16E00	2.0 x 1.6mm	0.8	125	-40	105	± 50	CMOS
KC2016K125.000C1GE00	2.0 x 1.6mm	0.8	125	-40	85	± 50	CMOS
KC2016K125.000C1SE00	2.0 x 1.6mm	0.8	125	-10	70	± 30	CMOS
KC2016K125.000C1UE00	2.0 x 1.6mm	0.8	125	-10	70	± 25	CMOS