KDS晶振,贴片晶振,DST1610AL晶振
频率:32.768KHZ
尺寸:1.6*1.0mm
日本大真空株式会社,【KDS】品牌,实力见证未来,KDS集团总公司位于日本兵库县加古川,在泰国,印度尼西亚,台湾,中国天津这些大城市均有生产工厂,而天津KDS工厂是全球石英晶振生产最大量的工厂,自从1993年在天津投产以来,技术更新从未间断,从最初的32.768K晶振为主,到现在以小体积贴片石英晶体振荡器为主,体积已经是全世界石英晶体振荡器之中最小的. KDS晶振,贴片晶振,DST1610AL晶振,贴片晶振本身体积小,超薄型石英晶体谐振器,特别适用于有目前高速发展的高端电子数码产品,小型化要求的市场领域,比如智能手机,无线蓝牙,平板电脑等电子数码产品.晶振本身超小型,薄型,重量轻,晶体具有优良的耐环境特性,如耐热性,耐冲击性
KDS晶振 |
单位 |
DST1610AL晶振 |
石英晶振基本条件 |
标准频率 |
f_nom |
32.768KHZ |
标准频率 |
储存温度 |
T_stg |
-40°C ~ +125°C |
裸存 |
工作温度 |
T_use |
-40°C ~ +85°C |
标准温度 |
激励功率 |
DL |
200μW Max. |
推荐:1μW ~ 100μW |
频率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6 (标准), |
+25°C 对于超出标准的规格说明, |
频率温度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出标准的规格请联系我们. |
负载电容 |
CL |
12.5pF ~ ∞ |
不同负载要求,请联系我们. |
串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
频率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
石英晶体单元/谐振器
激励功率
在晶体单元上施加过多驱动力,会导致石英晶振特性受到损害或破坏。电路设计必须能够维持适当的激励功率 (请参阅“激励功率”章节内容)。
负极电阻
除非振荡回路中分配足够多的负极电阻,否则振荡或振荡启动时间可能会增加(请参阅“关于振荡”章节内容)。
负载电容
振荡电路中负载电容的不同,可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差。试图通过强力调整,可能只会导致不正常的振荡。在使用之前,请指明该振动电路的负载电容。
晶体振荡器和实时时钟模块
所有石英晶体振荡器和实时时钟模块都以IC形式提供。
噪音
在电源或输入端上施加执行级别(过高)的不相干(外部的)噪音,可能导致会引发功能失常或击穿的闭门或杂散现象。KDS晶振,贴片晶振,DST1610AL晶振
1、振荡电路
石英晶体谐振器是无源元件,因此受到电源电压、环境温度、电路的影响。
配置、电路常数和衬底布线模式等操作大致分为正常运行和
异常运行。因此,在振荡电路的设计中,先决条件之一是如何确定振荡电路。
晶体谐振器的振动安全稳定。只有在做出了这个决定之后,后续的项目,例如
讨论了频率精度、频率变化、调制度、振荡起始时间和振荡波形。
2。角色的分量与参考值
在振荡电路的设计中,必须认识到个体的作用。
组件.在表1中,以例如振荡电路为例来描述角色。
(图1)使用一个通用的C-MOS IC(74hcuo4ap东芝)。
当反馈电阻(rf)未安装在振荡电路中时,如图所示
表1,即使在振荡功率作用下,谐振器也不会启动振荡。
电路。除非有适当值的电阻器连接,否则振荡不会启动。
晶体谐振腔的形式模式,但泛音振荡或基波。
振荡开始代替。在基本谐振的情况下(MHz频段)反馈电阻通常是1米?。在
泛音谐振器(兆赫频带)的情况下,值取决于IC和频率特性,但在几个范围内。
K?-?几十K。在音叉式谐振器的案例(kHz频段),需要连接一个电阻10米或更?。
限制流入谐振器的电流,调节负电阻和励磁。
电平,防止谐振腔的反常振荡,抑制频率波动。
C1、C2电容器调节负电阻、励磁电平和振荡频率。还设置有
给定负载能力。
适当的控制电阻值(RD)取决于谐振器的类型,频带和设备的价值。
电容器(C1,C2)。精确值是通过测量振荡电路的特性来确定的(包括
负电阻和驱动级)。AT切割谐振器(兆赫频带)的参考值在几个范围内。
?几K?。音叉式谐振器(kHz频段)的参考值在100 K?几K?范围。
安装电容器的适当值取决于谐振器的类型、频带、控制电阻器的值和
振荡的顺序,在3 pF的范围内- 33 pF左右,仅供参考。
公司名:深圳市金洛鑫电子有限公司
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