进口3225有源晶体振荡器,小型温补晶体振荡器,DSB321SCB晶振

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温补晶振,贴片晶振,DSB321SCB晶振

频率：9.600MHz~52.000MHz

尺寸：3.2*2.5*0.9mm

贴片式温补振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH/SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.

订购热线：0755-27837162

晶振技术参数点击下载

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日本大真空株式会社,于1993年被天津政府对外资招商部特别邀请在中国天津投资.日本大真空在当年5月份,就在天津市位于武清开发区确定投资建厂,当时总额1.4亿美元,注册资本4867.3万美元,占地面积67.5亩.节省劳动力,自动化生产设施的优势,以满足交货时间和需求是你选择KDS品牌最佳的或者伙伴.进口3225有源晶体振荡器,小型温补晶体振荡器,DSB321SCB晶振

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温补晶振,贴片晶振,DSB321SCB晶振,3.2*2.5mm是市场上较为常用的晶振体积,TCXO晶振本身的优越性能加上3225的尺寸,使这款温补晶体振荡器具有多用途特性,每年为KDS株式会社带来上亿的产值,即使是在更小的2016mm和2520mm温补晶振面前也毫不逊色.

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温补晶振	标示	DSB321SCB晶振	晶振基本信息对照表
标准范围	f0	9.600MHz～52.000MHz
電源電圧	Vcc	＋1.8V,＋2.6V,＋2.8V,＋3.0V,＋3.3V
输出电流	Icc	3.5 mA max.	Vcc=3.3V
频率负载	L_CMOS	15pF	CMOS 出力
标准频率偏差	f_tol	±1.5ppm	初期偏差、周波数温度特性、電源、負荷変動特性、経時変化(1年、＋25℃時)
输出电压	V	VOH:Vcc×90% min.VOL:Vcc×10% max.
对称	SYM	40%～60%	50% Vcc
标准时间	tr/tf	12 ns max.(1.8～80MHz)	10%Vcc～90%、L_CMOS=15pF

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DSA321SCL DSB321SCL DSB321SCB

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抗冲击
晶体产品可能会在某些条件下受到损坏。例如有源晶振从桌上跌落或在贴装过程中受到冲击。如果产品已受过冲击请勿使用。温补晶振,贴片晶振,DSB321SCB晶振
辐射
暴露于辐射环境会导致产品性能受到损害，因此应避免照射。
化学制剂 / pH值环境
请勿在PH值范围可能导致腐蚀或溶解进口晶体振荡器或包装材料的环境下使用或储藏这些产品。
粘合剂
请勿使用可能导致产品所用的封装材料，终端，组件，玻璃材料以及气相沉积材料等受到腐蚀的胶粘剂。（比如，氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶体单元的金属“盖”，从而破坏密封质量，降低性能。）
卤化合物
请勿在卤素气体环境下使用温度补偿晶体振荡器。即使少量的卤素气体，比如在空气中的氯气内或封装所用金属部件内，都可能产生腐蚀。同时，请勿使用任何会释放出卤素气体的树脂。进口3225有源晶体振荡器,小型温补晶体振荡器,DSB321SCB晶振

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输出波形与测试电路
1.时序表

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2.测试条件
(1)电源电压
超过 150µs，直到电压级别从 0 %达到 90 % 。
电源电压阻抗低于电阻 2Ω。温补晶振,贴片晶振,DSB321SCB晶振
(2)其他
输入电容低于 15 pF
5倍频率范围或更多测量频率。
铅探头应尽可能短。
测量频率时，探头阻抗将高于 1MΩ。当波形经过振荡器的放大器时，可同时进行测量。进口3225有源晶体振荡器,小型温补晶体振荡器,DSB321SCB晶振
(3)其他
CL包含探头电容。
应使用带有小的内部阻抗的电表。
使用微型插槽，以观察波形。
（请勿使用该探头的长接地线。）