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村田晶振,插件晶振,CSTLS晶振,CSTLS4M00G53-A0晶振
频率：4MHZ
尺寸：8.0*5.5mm
三脚陶瓷贴片晶振是指晶振内部本身有自带负载电容的陶瓷些振器, “压电陶瓷”, 与CR,LC电路不同,陶瓷振荡子利用的是机械谐振而不是像压电石英晶体一样电谐振的方式起振.这意味着它基本上不受外部电路或电源电压波动的影响.从而可以制作成无需调整的高度稳定的振荡电路.作为微处理器在电路中使时钟振荡器的匹配最适合的元件,并且得到了广泛应用.ZTT三脚晶振产品系列可用于振荡电路设计,无需外部负载电容器,既获得了高密度安装,又降低了成本.村田无源陶瓷晶振,CSTLS晶振,CSTLS4M00G53-A0晶振
此外，我们也将把汽车、能源、医疗保健作为重点市场，并提供只有村田才能实现的价值。在新感应技术及通信技术需求不断提高的IoT社会，村田将作为一个重要的参与者来体现其存在的价值，并不断强化制造、技术开发及人才开发等事业基础。村田陶瓷谐振器的发展永无止境，而在新的发展过程中“经营理念”也将始终是各项工作的基础。我们要让分布在世界各地的全体村田员工充分理解村田的“经营理念”，使村田永远成为为客户和社会而存在的企业。
村田晶振,插件晶振,CSTLS晶振,CSTLS4M00G53-A0晶振,引脚焊接型石英晶体元件.工厂仓库长时间大量库存常用频点,高精度的频率和晶振本身更低的等效串联电阻,常用负载电容.49/S石英晶振,因插件型晶体成本更低和更高的批量生产能力,主要应用于电视,机顶盒,LCDM和游戏机家用常规电器数码产品等的最佳选择.符合RoHS/无铅.
石英晶振曲率半径加工技术：石英晶振晶片在球筒倒边加工时应用到的加工技术，主要是研究满足不同曲率半径石英晶振晶片设计可使用的方法。如：1、是指球面加工曲率半径的工艺设计（ a、球面的余弦磨量； b、球面的均匀磨量；c、球面加工曲率半径的配合）2、在加工时球面测量标准的设计原则（曲率半径公式的计算）。注意：在石英晶振晶体测量中各个厂家的仪器会存在一定的差距（误差），所以应对晶振晶体测试仪器做特别管制。尤其是小公差产品。目前本公司的标准仪器在品管部。DIP 产品为 250A，SMD产品为 250B。村田无源陶瓷晶振,CSTLS晶振,CSTLS4M00G53-A0晶振
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TXC晶振 |
单位 |
CSTLS晶振 |
石英晶振基本条件 |
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标准频率 |
f_nom |
4MHZ |
标准频率 |
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包装规格 |
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折叠盒装 |
最小订购单位:3000 |
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工作温度 |
T_use |
-20°C~+80°C |
标准温度 |
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激励功率 |
DL |
300μW Max. |
推荐:1~300μW |
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频率公差 |
f_— l |
±0.5%×10-6 (标准) |
+25°C 对于超出标准的规格说明, |
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频率温度特征 |
f_tem |
±0.2%×10-6/-20°C~+70°C |
超出标准的规格请联系我们. |
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负载电容 |
CL |
15pF |
不同负载电容要求,请联系我们. |
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串联电阻(ESR) |
R1 |
30Ω |
-20°C~ +70°C, DL = 50μW |
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频率老化 |
f_age |
±0.2%×10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
一般来说，进口DIP晶体微处理器的振荡电路由考毕兹电路显示派生如下：镉和CG是外部负载电容，其中已建成的芯片组。 （请参阅芯片组的规格）Rf为具有200KΩ?1MΩ反馈电阻。它的内置芯片一般设置。Rd为限流电阻470Ω与1KΩ?。这个阻力是没有必要的公共电路，但仅用于具有高电源电路。村田晶振,插件晶振,CSTLS晶振,CSTLS4M00G53-A0晶振
一个稳定的振荡电路需要的负电阻，其值应是石英插件晶振阻力的至少五倍。它可写为|-R|>5的Rr。例如，为了获得稳定的振荡电路中，IC的负电阻的值必须小于？200Ω时的晶振电阻值是40Ω。负阻“的标准来评估一个振荡电路的质量。在某些情况下，例如老化，热变化，电压变化，以及等等，电路可能不会产生振荡的“Q”值是低的。因此，这是非常重要的衡量负电阻（-R）以下说明：
线路连接的电阻（R）与晶体串联（2）从起点到振荡的停止点调整R的值。（3）振荡期间测量R的值。（4）你将能够获得负电阻的值，|•R|= R +的Rr，和RR =晶振的阻力。附：所连接的电路的杂散电容，可能会影响测定值。如果无源三脚晶振的参数是正常的，但它不工作稳步振荡电路中，我们将不得不找出IC的电阻值是否过低驱动电路。如果是这样的话，我们有三种方法来改善这样的情况：降低外部电容（Cd和CG）的值，并采用其他晶振具有较低负载电容（CL）。村田无源陶瓷晶振,CSTLS晶振,CSTLS4M00G53-A0晶振
振荡频率测量:必须尽可能地测量安装在三脚插件压电陶瓷晶振电路上的谐振器的振荡频率的真实值，使用正确的方法。在振荡频率的测量中，通常使用探头和频率计数器。然而,我们的目标是通过限制测量工具对振荡电路本身的影响来测量。有三种频率测量模式，如下面的图所示（图）。2, 3和4）。最精确的测量方法是通过使用任何能够精确测量的频谱分析仪来实现的。村田晶振,插件晶振,CSTLS晶振,CSTLS4M00G53-A0晶振
接触振荡电路:探针不影响图2，因为缓冲器的输出是通过ZTT三脚插件陶瓷输入振荡电路的输出来测量的。逆变器进入下一阶段。探针不影响图3，因为在IC上测量缓冲器输出（1/1、1/2等）。图4示出了来自ic的无缓冲器输出接收的情况，由此通过小尺寸测量来最小化探针的效果。输出点之间的电容（3 pF以下XTAL终端IC）和探针。然而，应该注意到，使用这种方法输出波形较小，测量不能依赖于即使示波器能检查振荡波形，频率计数器的灵敏度也可以。在这种情况下，使用放大器来测量。
驱动能力:驱动能力说明振荡晶体单元所需电功率，其计算公式如下：驱动能力 (P) = i2?Re其中i表示经过陶瓷谐振器晶体单元的电流，Re表示晶体单元的有效电阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）.
测试条件:(1)电源电压:超过 150µs，直到电压级别从 0 %达到 90 % 。电源电压阻抗低于电阻 2Ω。(2)其他:输入电容低于 15 pF5倍频率范围或更多测量频率。铅探头应尽可能短。测量频率时，探头阻抗将高于 1MΩ。当波形经过陶瓷振荡子振荡器的放大器时，可同时进行测量。(3)其他:CL包含探头电容。应使用带有小的内部阻抗的电表。使用微型插槽，以观察波形。（请勿使用该探头的长接地线）.
公司名：深圳市金洛鑫电子有限公司
联系人：茹红青
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