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7B-8.000MAAJ-T,TXC无源晶振,5032网络设备晶振

频率:8MHz

尺寸:5.00mm x 3.20mm

7B-8.000MAAJ-T,TXC无源晶振,5032网络设备晶振凭借TXC高品质晶振独特的晶体切割工艺与电极镀膜技术,实现了极低的相位噪声和频率漂移,在长时间连续工作中,能持续为网络设备提供稳定的时钟信号,确保设备数据处理与传输的连贯性.除了常规的家用路由器,企业交换机,它还可适配防火墙,无线AP,网络服务器等多种网络设备,无论是家庭网络,企业局域网还是大型数据中心网络,都能满足设备对时钟信号的高稳定性要求,助力提升整个网络系统的运行效率.
订购热线:0755-27837162
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JLXNR-1

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7B-8.000MAAJ-T,TXC无源晶振,5032网络设备晶振

7B-8.000MAAJ-T通过了多项国际权威认证,包括RoHS环保认证,UL安全认证等,在材质安全性,环保性以及使用可靠性上均达到国际高标准,可满足不同国家和地区的市场准入要求.在耐用性方面,其5032晶体谐振器封装采用高强度材料制成,具备良好的抗冲击,抗振动性能,能有效抵御网络设备运输与使用过程中的外力影响,同时,内部元件经过特殊处理,老化速度慢,使用寿命长,可大幅降低网络设备的后期维护成本,是网络设备制造商长期信赖的优质元器件选择.其8.000MHz频率经过TXC先进的晶体校准技术优化,频率偏差控制在极小范围,可精准同步网络设备内部数据的收发节奏,避免因频率偏差导致的数据传输延迟,丢包等问题,尤其适用于对时序精度要求严苛的高速以太网设备,光纤通信设备等场景.

JLXNR-2

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7B-8.000MAAJ-T,TXC无源晶振,5032网络设备晶振

原厂型号 Original model : 7B-8.000MAAJ-T
品牌 brand : 台产TXC晶体
型号名称 Model name: 7B
Type 系列: MHz Crystal
频率 frequency : 8M
Frequency Stability频率稳定度  - 
frequency tolerance频率容差 30ppm
Load capacitance  负载电容 18 pF
Size / Dimension 尺寸 5032mm
Package Height  厚度 0.9mm
ESR (Equivalent Series Resistance)ESR(等效串联电阻)  - 
Operating Temperature  工作温度  -20+70℃
Termination  脚位 4-Pad
Package Type  封装类型 4- SMD
Packaging  包装 Tape and Reel
Mounting Style  安装方式 Surface Mount

JLXNR-3

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7B-8.000MAAJ-T,TXC无源晶振,5032网络设备晶振

7B_7BT 5032

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7B-8.000MAAJ-T,TXC无源晶振,5032网络设备晶振

7XZ-32.768KBE-T TXC CORPORATION 7XZ XO (Standard) 32.768 kHz CMOS 3.3V ±50ppm
7Z-38.400MBG-T TXC CORPORATION 7Z TCXO 38.4 MHz Clipped Sine Wave 3.3V ±500ppb
7Z-26.000MBG-T TXC CORPORATION 7Z TCXO 26 MHz Clipped Sine Wave 3.3V ±500ppb
CX-100.000MBE-T TXC CORPORATION CX XO (Standard) 100 MHz HCSL 3.3V ±50ppm
7X-50.000MBE-T TXC CORPORATION 7X XO (Standard) 50 MHz CMOS 3.3V ±50ppm
7C-25.000MBE-T TXC CORPORATION 7C XO (Standard) 25 MHz CMOS 3.3V ±50ppm
7C-40.000MBE-T TXC CORPORATION 7C XO (Standard) 40 MHz CMOS 3.3V ±50ppm
8W-24.000MBE-T TXC CORPORATION 8W XO (Standard) 24 MHz CMOS 3.3V ±50ppm
7C-25.000MCB-T TXC CORPORATION 7C XO (Standard) 25 MHz CMOS 2.5V ±50ppm
7C-26.000MBB-T TXC CORPORATION 7C XO (Standard) 26 MHz CMOS 3.3V ±50ppm
7C-28.63636MBB-T TXC CORPORATION 7C XO (Standard) 28.63636 MHz CMOS 3.3V ±50ppm
7X-19.200MBA-T TXC CORPORATION 7X XO (Standard) 19.2 MHz CMOS 3.3V ±25ppm
8WE-33.333MBM-T TXC CORPORATION 8WE XO (Standard) 33.333 MHz CMOS (Low EMI) 3.3V ±50ppm
7X-26.000MBA-T TXC CORPORATION 7X XO (Standard) 26 MHz CMOS 3.3V ±25ppm
8WE-24.000MDM-T TXC CORPORATION 8WE XO (Standard) 24 MHz CMOS (Low EMI) 1.8V ±50ppm
7X-26.000MBB-T TXC CORPORATION 7X XO (Standard) 26 MHz CMOS 3.3V ±50ppm
7X-48.000MBB-T TXC CORPORATION 7X XO (Standard) 48 MHz CMOS 3.3V ±50ppm
AU-12.288MBE-T TXC CORPORATION AU XO (Standard) 12.288 MHz CMOS 3.3V ±50ppm
AU-24.000MBE-T TXC CORPORATION AU XO (Standard) 24 MHz CMOS 3.3V ±50ppm
AU-50.000MBE-T TXC CORPORATION AU XO (Standard) 50 MHz CMOS 3.3V ±50ppm
7C-26.000MBA-T TXC CORPORATION 7C XO (Standard) 26 MHz CMOS 3.3V ±25ppm
7C-25.000MBA-T TXC CORPORATION 7C XO (Standard) 25 MHz CMOS 3.3V ±25ppm
BX-100.000MBE-T TXC CORPORATION BX XO (Standard) 100 MHz HCSL 3.3V ±50ppm
7N-20.000MBP-T TXC CORPORATION 7N TCXO 20 MHz CMOS 3.3V ±280ppb
7N-12.800MBP-T TXC CORPORATION 7N TCXO 12.8 MHz CMOS 3.3V ±280ppb
7X-25.000MBE-T TXC CORPORATION 7X XO (Standard) 25 MHz CMOS 3.3V ±50ppm
7C-4.000MBB-T TXC CORPORATION 7C XO (Standard) 4 MHz CMOS 3.3V ±50ppm
8WE-25.000MDM-T TXC CORPORATION 8WE XO (Standard) 25 MHz CMOS (Low EMI) 1.8V ±50ppm
8WE-38.400MDM-T TXC CORPORATION 8WE XO (Standard) 38.4 MHz CMOS (Low EMI) 1.8V ±50ppm
8NE-25.000MBM-T TXC CORPORATION 8NE XO (Standard) 25 MHz CMOS (Low EMI) 3.3V ±50ppm
8WE-24.000MBM-T TXC CORPORATION 8WE XO (Standard) 24 MHz CMOS (Low EMI) 3.3V ±50ppm
AU-25.000MBE-T TXC CORPORATION AU XO (Standard) 25 MHz CMOS 3.3V ±50ppm
AU-26.000MBE-T TXC CORPORATION AU XO (Standard) 26 MHz CMOS 3.3V ±50ppm
7Z-26.000MDS-T TXC CORPORATION 7Z VCTCXO 26 MHz Clipped Sine Wave 1.8V ±2ppm
7Z-26.000MDG-T TXC CORPORATION 7Z TCXO 26 MHz Clipped Sine Wave 1.8V ±500ppb
BR-61.4400MBE-T TXC CORPORATION BR VCXO 61.44 MHz CMOS 3.3V ±50ppm
8WE-33.333MDM-T TXC CORPORATION 8WE XO (Standard) 33.333 MHz CMOS (Low EMI) 1.8V ±50ppm
8NE-24.576MDM-T TXC CORPORATION 8NE XO (Standard) 24.576 MHz CMOS (Low EMI) 1.8V ±50ppm
8WE-30.000MBM-T TXC CORPORATION 8WE XO (Standard) 30 MHz CMOS (Low EMI) 3.3V ±50ppm
8NE-24.000MBM-T TXC CORPORATION 8NE XO (Standard) 24 MHz CMOS (Low EMI) 3.3V ±50ppm
8WE-27.000MDM-T TXC CORPORATION 8WE XO (Standard) 27 MHz CMOS (Low EMI) 1.8V ±50ppm
TD-7.3728MBD-T TXC CORPORATION TD XO (Standard) 7.3728 MHz CMOS 3.3V ±25ppm
7XZ-32.768KBA-T TXC CORPORATION 7XZ XO (Standard) 32.768 kHz CMOS 3.3V ±25ppm
7XZ-32.768KDA-T TXC CORPORATION 7XZ XO (Standard) 32.768 kHz CMOS 1.8V ±25ppm
7W-36.000MBB-T TXC CORPORATION 7W XO (Standard) 36 MHz CMOS 3.3V ±50ppm
8NE-25.000MDM-T TXC CORPORATION 8NE XO (Standard) 25 MHz CMOS (Low EMI) 1.8V ±50ppm
7X-38.400MBE-T TXC CORPORATION 7X XO (Standard) 38.4 MHz CMOS 3.3V ±50ppm
7W-10.000MBE-T TXC CORPORATION 7W XO (Standard) 10 MHz CMOS 3.3V ±50ppm
7X-30.000MBE-T TXC CORPORATION 7X XO (Standard) 30 MHz CMOS 3.3V ±50ppm
7X-26.000MBE-T TXC CORPORATION 7X XO (Standard) 26 MHz CMOS 3.3V ±50ppm
7C-50.000MBE-T TXC CORPORATION 7C XO (Standard) 50 MHz CMOS 3.3V ±50ppm
8W-26.000MBE-T TXC CORPORATION 8W XO (Standard) 26 MHz CMOS 3.3V ±50ppm
8W-13.000MBE-T TXC CORPORATION 8W XO (Standard) 13 MHz CMOS 3.3V ±50ppm
7X-30.000MBB-T TXC CORPORATION 7X XO (Standard) 30 MHz CMOS 3.3V ±50ppm
8W-20.000MBE-T TXC CORPORATION 8W XO (Standard) 20 MHz CMOS 3.3V ±50ppm
7C-40.000MCB-T TXC CORPORATION 7C XO (Standard) 40 MHz CMOS 2.5V ±50ppm
7C-24.576MBA-T TXC CORPORATION 7C XO (Standard) 24.576 MHz CMOS 3.3V ±25ppm
8NE-24.576MBM-T TXC CORPORATION 8NE XO (Standard) 24.576 MHz CMOS (Low EMI) 3.3V ±50ppm
8WE-20.000MBM-T TXC CORPORATION 8WE XO (Standard) 20 MHz CMOS (Low EMI) 3.3V ±50ppm
8NE-27.000MBM-T TXC CORPORATION 8NE XO (Standard) 27 MHz CMOS (Low EMI) 3.3V ±50ppm

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41MC020M000100,CTS西迪斯晶振,2016mm晶振,41MC020M000100是美国CTS(西迪斯)品牌推出的高性能晶振,依托CTS在频率控制领域近百年的技术沉淀与严格的品控体系,从石英晶体选材到生产封装均遵循国际顶尖标准,确保每一款产品都具备卓越的稳定性与可靠性.作为全球知名电子元器件供应商,CTS的技术实力赋予该晶振出色的抗干扰能力与环境适应性,能有效规避劣质晶振常见的频率漂移,寿命短等问题,广泛适配对元器件品质有高要求的工业控制,汽车电子及消费电子领域,为设备长期稳定运行提供品牌级保障.

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