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M60532GSN12.0000MHz,TCXO有源晶振,5032晶振,MtronPTl无线基站晶振

频率:12MHz

尺寸:5.00mm x 3.20mm

M60532GSN12.0000MHz,TCXO有源晶振,5032晶振,MtronPTl无线基站晶振,M60532GSN12.0000MHz依托MtronPTl温补晶振(麦特伦皮)在无线通信计时领域的技术积累,成为兼具12.0000MHz精准频率,TCXO温补晶振有源特性与5032封装的无线基站专用晶振.在基站的MassiveMIMO(大规模天线)系统中,其TCXO的高精度频率输出能确保多天线通道间的时序同步,减少通道间的相位差(控制在±1°以内),提升信号波束赋形的精准度,增强基站的覆盖能力与抗干扰性能.
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JLXNR-1

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M60532GSN12.0000MHz,TCXO有源晶振,5032晶振,MtronPTl无线基站晶振

M60532GSN12.0000MHz是MtronPTl(麦特伦皮)专为无线基站设计的TCXO有源晶振,采用5032封装(5.0mm×3.2mm),输出频率精准锁定在12.0000MHz.作为TCXO晶振,其内置高精度温度补偿电路,通过实时监测环境温度并动态调整频率,可将全温范围内(-40℃至+85℃)的频率偏差严格控制在±5ppm以内,完美应对无线基站户外部署时的昼夜温差,季节交替等温度波动场景.5032封装兼顾结构稳定性与空间适配性,能轻松嵌入基站射频模块的紧凑电路板,同时依托MtronPTl严苛的品控体系(符合ISO9001与电信行业标准),该晶振的相位噪声低至-145dBc/Hz@1kHz偏移,有效减少信号干扰,保障基站与终端设备间的信号传输质量,为5G/4G无线网络的稳定覆盖提供可靠时基.

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M60532GSN12.0000MHz,TCXO有源晶振,5032晶振,MtronPTl无线基站晶振

原厂型号 Original model : M60532GSN12.0000MHz 品牌 brand : MtronPTl晶振
Manufacturer品牌 MtronPTl晶振 Operating Temperature温度 -40 °C to +85 °C
Series型号 M6053 Current - Supply (Max)  -
Type 类型 TCXO Package Height高度 1.5mm
Frequency 频率 12.000 MHz Termination  脚位 4 pads
输出方式 Output: Clipped Sine Wave Package Type  封装类型 4-SMD
Voltage - Supply电压 3.0V Packaging  包装 Tape and Reel
Frequency Stability频率稳定度 ±0.5 ppm 安装方式 Installation : Surface mount
Size / Dimension 尺寸 3.2 x 5.0 mm 最小包装数 MPQ : 1000

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M60532GSN12.0000MHz,TCXO有源晶振,5032晶振,MtronPTl无线基站晶振

M6053 M6054 5032 TCXO VCTCXO

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M60532GSN12.0000MHz,TCXO有源晶振,5032晶振,MtronPTl无线基站晶振

OCETGCJTNF-48.000000 Taitien OC XO (Standard) 48 MHz CMOS 3.3V ±50ppm
OXETDCJANF-0.032768 Taitien OX XO (Standard) 32.768 kHz CMOS 3.3V ±25ppm
OCETDLJANF-25.000000 Taitien OC XO (Standard) 25 MHz CMOS 3.3V ±25ppm
TZKTADSANF-26.000000 Taitien TZ TCXO 26 MHz Clipped Sine Wave 1.8V ±500ppb
TXEABLSANF-24.000000 Taitien TX VCTCXO 24 MHz Clipped Sine Wave 2.8V ~ 3.3V ±1ppm
TXEABLSANF-26.000000 Taitien TX VCTCXO 26 MHz Clipped Sine Wave 2.8V ~ 3.3V ±1ppm
TXKTPCSANF-32.000000 Taitien TX TCXO 32 MHz Clipped Sine Wave 1.8V ±1.5ppm
TXEAADSANF-20.000000 Taitien TX VCTCXO 20 MHz Clipped Sine Wave 2.8V ~ 3.3V ±500ppb
TXETALSANF-10.000000 Taitien TX TCXO 10 MHz Clipped Sine Wave 2.8V ~ 3.3V ±500ppb
TYETBCSANF-32.000000 Taitien TY TCXO 32 MHz Clipped Sine Wave 2.8V ~ 3.3V ±1ppm
TYETBLSANF-40.000000 Taitien TY TCXO 40 MHz Clipped Sine Wave 2.8V ~ 3.3V ±1ppm
TYEAPLSANF-40.000000 Taitien TY VCTCXO 40 MHz Clipped Sine Wave 2.8V ~ 3.3V ±1.5ppm
TYETACSANF-26.000000 Taitien TY TCXO 26 MHz Clipped Sine Wave 2.8V ~ 3.3V ±500ppb
TYEAACSANF-38.400000 Taitien TY VCTCXO 38.4 MHz Clipped Sine Wave 2.8V ~ 3.3V ±500ppb
VLCUWCWTNF-100.000000 Taitien VLCU VCXO 100 MHz Sine Wave 5V ±35ppm
TSEAALJANF-10.000000 Taitien TS VCTCXO 10 MHz CMOS 3.3V ±500ppb
TWETALJANF-40.000000 Taitien TW TCXO 40 MHz CMOS 3.3V ±500ppb
TWEAKLJANF-20.000000 Taitien TW VCTCXO 20 MHz CMOS 3.3V ±280ppb
TTETKLJANF-10.000000 Taitien TT TCXO 10 MHz CMOS 3.3V ±280ppb
TTEAKLJANF-10.000000 Taitien TT VCTCXO 10 MHz CMOS 3.3V ±280ppb
TTETKLSANF-10.000000 Taitien TT TCXO 10 MHz Clipped Sine Wave 3.3V ±280ppb
TSEATLJANF-10.000000 Taitien TS VCTCXO 10 MHz CMOS 3.3V ±4.6ppm
TWETMCJANF-10.000000 Taitien TW TCXO 10 MHz CMOS 3.3V ±100ppb
TTEAALJANF-50.000000 Taitien TT VCTCXO 50 MHz CMOS 3.3V ±500ppb
NNENCLJNNF-10.000000 Taitien NN OCXO 10 MHz CMOS 3.3V ±20ppb
NI-10M-2400 Taitien NI-10M-2400 OCXO 10 MHz LVTTL 5V ±3ppb
NI-10M-2403 Taitien NI-10M-2400 OCXO 10 MHz LVTTL 5V ±3ppb
NI-10M-2503 Taitien NI-10M-2500 OCXO 10 MHz Sine Wave 5V ±3ppb
NI-100M-2900 Taitien NI-100M-2900 OCXO 100 MHz Sine Wave 12V ±50ppb
NA-100M-6822 Taitien NA-100M-6800 OCXO 100 MHz Sine Wave 12V ±100ppb
OCKTGLJANF-0.032768 Taitien OC XO (Standard) 32.768 kHz CMOS 3.3V ±50ppm
OCETGLJTNF-100.000000 Taitien OC XO (Standard) 100 MHz CMOS 3.3V ±50ppm
TXETCLSANF-40.000000 Taitien TX TCXO 40 MHz Clipped Sine Wave 2.8V ~ 3.3V ±2ppm
TXETDDSANF-16.000000 Taitien TX TCXO 16 MHz Clipped Sine Wave 2.8V ~ 3.3V ±2.5ppm
TXETDCSANF-20.000000 Taitien TX TCXO 20 MHz Clipped Sine Wave 2.8V ~ 3.3V ±2.5ppm
TXETBLSANF-40.000000 Taitien TX TCXO 40 MHz Clipped Sine Wave 2.8V ~ 3.3V ±1ppm
TXEABDSANF-32.000000 Taitien TX VCTCXO 32 MHz Clipped Sine Wave 2.8V ~ 3.3V ±1ppm
TXETDDSANF-30.000000 Taitien TX TCXO 30 MHz Clipped Sine Wave 2.8V ~ 3.3V ±2.5ppm
TXETBLSANF-26.000000 Taitien TX TCXO 26 MHz Clipped Sine Wave 2.8V ~ 3.3V ±1ppm
TXEAPDSANF-19.200000 Taitien TX VCTCXO 19.2 MHz Clipped Sine Wave 2.8V ~ 3.3V ±1.5ppm
TXEAPLSANF-40.000000 Taitien TX VCTCXO 40 MHz Clipped Sine Wave 2.8V ~ 3.3V ±1.5ppm
TXEACDSANF-26.000000 Taitien TX VCTCXO 26 MHz Clipped Sine Wave 2.8V ~ 3.3V ±2ppm
TXEACDSANF-20.000000 Taitien TX VCTCXO 20 MHz Clipped Sine Wave 2.8V ~ 3.3V ±2ppm
TXETBLSANF-27.000000 Taitien TX TCXO 27 MHz Clipped Sine Wave 2.8V ~ 3.3V ±1ppm
TXETBLSANF-19.200000 Taitien TX TCXO 19.2 MHz Clipped Sine Wave 2.8V ~ 3.3V ±1ppm
TXETALSANF-26.000000 Taitien TX TCXO 26 MHz Clipped Sine Wave 2.8V ~ 3.3V ±500ppb
TXEAACSANF-40.000000 Taitien TX VCTCXO 40 MHz Clipped Sine Wave 2.8V ~ 3.3V ±500ppb
TXEAADSANF-25.000000 Taitien TX VCTCXO 25 MHz Clipped Sine Wave 2.8V ~ 3.3V ±500ppb
TYETBLSANF-38.400000 Taitien TY TCXO 38.4 MHz Clipped Sine Wave 2.8V ~ 3.3V ±1ppm
TYETBCSANF-50.000000 Taitien TY TCXO 50 MHz Clipped Sine Wave 2.8V ~ 3.3V ±1ppm
TYETACSANF-32.000000 Taitien TY TCXO 32 MHz Clipped Sine Wave 2.8V ~ 3.3V ±500ppb
TYETACSANF-20.000000 Taitien TY TCXO 20 MHz Clipped Sine Wave 2.8V ~ 3.3V ±500ppb
PYEUCJJANF-100.000000 Taitien FASTXO XO (Standard) 100 MHz CMOS 2.8V ~ 3.3V ±20ppm
TWEAALSANF-10.000000 Taitien TW VCTCXO 10 MHz Clipped Sine Wave 3.3V ±500ppb
TTETKLJANF-30.720000 Taitien TT TCXO 30.72 MHz CMOS 3.3V ±280ppb
TTEAMCSANF-10.000000 Taitien TT VCTCXO 10 MHz Clipped Sine Wave 3.3V ±100ppb
OYKTGLJANF-0.032768 Taitien OY XO (Standard) 32.768 kHz CMOS 1.8V ±50ppm
OYETDLJANF-25.000000 Taitien OY XO (Standard) 25 MHz CMOS 3.3V ±25ppm
TXETDDSANF-19.200000 Taitien TX TCXO 19.2 MHz Clipped Sine Wave 2.8V ~ 3.3V ±2.5ppm
TXETCLSANF-25.000000 Taitien TX TCXO 25 MHz Clipped Sine Wave 2.8V ~ 3.3V ±2ppm

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CTXXPC3LZLD-100.0,CMOS输出晶振,智能电网应用晶振,Cardinal卡迪纳尔晶振,可在-40℃~85℃宽温区间内稳定工作,频率稳定度控制在±5ppm以内,能抵御电网户外设备面临的高温暴晒,低温严寒等极端环境,CMOS输出的高驱动能力可确保时钟信号在长距离传输(如从配电房到变电站)中不失真,为智能电网的远程监控,故障诊断设备提供持续稳定的时钟基准,减少因环境变化导致的设备停机风险,提升电网运行可靠性.
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