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XO75HCSL-125M000-B50B3,Fortiming晶振,6G模块差分晶振
频率：125MHz
尺寸：7.0x 5.0×1.8 mm
XO75HCSL-125M000-B50B3,Fortiming晶振,6G模块差分晶振,Fortiming晶振,XO75HCSL差分晶振,有源晶振,XO75HCSL-125M000-B50B3晶振,石英晶体振荡器,HCSL输出晶振,SMD晶体,7050mm晶振,六脚贴片晶振,频率125MHz,电压3.3V,频率稳定性50ppm,工作温度-40~85°C,无铅环保晶振,低相位抖动晶振,无内部锁相环晶振,6G模块晶振,专为PCI Express应用程序,英特尔芯片组等设计.
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XO75HCSL-125M000-B50B3,Fortiming晶振,6G模块差分晶振特点：
-符合RoHS标准(无铅)，HCSL兼容输出
-专为PCI Express应用程序，英特尔芯片组等设计。
-极低相位抖动，无内部锁相环，避免级联锁相环问题
-免费输出，三状态启用/禁用标准，7x5x1.8 mm SMD封装
XO75HCSL-125M000-B50B3,Fortiming晶振,6G模块差分晶振规格表
项目
规格说明
额定频率
125MHz
输入电压
+3.3 VDC ±10%
输入电流
30 mA Maximum for 3.3V
储存温度
-55°C to 125°C
总体频率稳定性
±50 ppm
工作温度
-40℃~ +85℃
标准稳定常数
50A = ±50 ppm / 0°C to 70°C
电动选项(对称)
Tristate 55/45%
输出负载
50 Ohms
逻辑“1”级（Voh）
660 mV (Min), 740 mV (Typ), 850 mV (Max)
逻辑“0”级（Vol）
-150 mV (Min), 0 mV (Typ), 150 mV (Max)
上升/下降时间(Tr/Tf)
0.5 ns Maximum, at 20% to 80% Vp-p
启动时间
2 ms Maximum
相位抖动 (RMS, 1 Sigma)
1 ps Max for fj = 12KHz to 20MHz
XO75HCSL-125M000-B50B3,Fortiming晶振,6G模块差分晶振尺寸图
公司名：深圳市金洛鑫电子有限公司
联系人：茹红青
手机：13510569637
电话：0755-27837162
QQ号：657116624
微信公众号：CITIZENCRYSTAL
搜狐公众号：晶振石英晶振NDK晶振
邮箱：jinluodz@163.com
地址：深圳市宝安区41区甲岸路19号
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