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[行业资讯]德国PETERMANN公司开发的耐高温SMD硅振荡器2019年06月04日 10:06: PETERMANN晶振产品系列中的低功耗,低成本硅时钟振荡器配备了最先进的IC技术,并在性能,极长寿命(10亿小时MTBF),出色的抗冲击和抗振性方面树立了标准.尺寸,精度,抖动,功耗和灵活性.与其他硅振荡器一样,PETERMANN的LPO,HTLPO,WTLPO系列SMD硅振荡器和相应的汽车版本(AEC-Q100)使用硅谐振器来同步IC.由于微硅谐振器的振动能量非常低,SMD硅振荡器的性能远远优于同类石英振荡器.通常,SMD硅时钟振荡器可用于需要非常经济的时钟振荡器的所有应用中.如果在下午2点之前提出要求,样品通常可以在同一天发货.; 阅读（201）标签：

[新闻动态]Jauch晶振公司讲述MEMS JSOLC边缘控制2019年05月23日 10:21: MEMS是一种微机电系统,是比较新型的器件制造技术,MEMS晶振的主要材料是硅晶,它具有可任意选定一个频率的特点,并且MEMS可编程振荡器通常都具有低相噪和低抖动性能.Jauch晶振公司是法国的频率元件制造商,专门研发和生产MEMS振荡器,并提供相关的信息,和技术资料,以下内容就是Jauch提供的,关于MEMS JSOLC边缘控制的知识,金洛鑫电子整理好后,分享给广大新老客户,以及工程师们.; 阅读（141）标签：

[新闻动态]Raltron公司MHZ晶振系列数据表2019年04月28日 10:28: 位于美国佛罗里达州迈阿密Raltron Electronics Corporation,是1983年创立的,Raltron晶振公司可提供全面的频率控制元器件产品.旗下的频率元件类型有:标准石英晶体,SMD晶振,通孔插件型晶体,陶瓷谐振器,声表面滤波器,1588振荡器,MEMS可编程晶振,TCXO温度补偿晶振,VCXO电压控制振荡器,OCXO恒温晶体振荡器,VC-TCXO压控温补振荡器,差分晶振,SPXO时钟振荡器等.; 阅读（333）标签：

[技术支持]硅MEMS与Oscillator的电磁敏感性2019年03月07日 11:15: 上一篇为大家讲述了LVCMOS和MEMS系列电磁干扰和电磁兼容性处理方案,今天的主题依旧是晶振的电磁性,不同的是,内容会是MEMS可编程晶振,与普通石英振荡器的电磁敏感性.对电磁有所了解的都知道,EMI设计会影响高端振荡器的相位噪声,相位抖动和时钟频率等,美国和欧洲的晶体制造商几十年来,不断的探讨和研究如何提升振荡器抗电磁干扰的性能,并将其列入振荡器的设计方案中,直到现在,绝大多数的Oscillator和硅MEMS晶振,都已实现抗电磁干扰性能.; 阅读（188）标签：

[行业资讯]正确优化LVCMOS与MEMS晶振电磁干扰兼容性问题2019年03月06日 11:15: 身边的电子产品也越来越智能化,多功能化,对周边的电子元件要求也更高了.许多产品都开始用比较高端的LVCMOS输出的差分晶振,和MEMS可编程振荡器这两种有源晶振,因为像无线基站,手机信号处理器,GPS/北斗导航定位,雷达,飞机/船舶呼叫设备,网络设施这些需要阻挡干扰信号并且要兼容电磁的,只有高性能的晶体振荡器才能满足设计要求.; 阅读（399）标签：

[行业资讯]Raltron晶振公司常见的感应振荡器技术(一)2018年12月13日 11:05: 每年有数以亿计的欧美晶振,日产晶振和台湾晶振涌入中国内地市场,为广大生产厂家和制造型企业源源不断的供应品质较好的石英晶体和石英晶体振荡器,除此之外,也为国内的晶振厂家带来许多相关的资料技术,有助于大陆晶体制造商的成长.Raltron晶振公司成立于1983年,总部位于美国佛罗里达州的迈阿密市,主要生产和销售32.768K晶振,MHZ石英晶振,插件晶振,SPXO振荡器,TCXO温补晶振,VCXO压控晶振,OCXO恒温晶振,可编程晶振,陶瓷谐振器,声表面滤波器,同步模块,PLL合成器等电子元件产品.; 阅读（497）标签：

[常见问题]X1G0042610008差分晶振编码是哪家的?2018年12月07日 15:59: 标题给大家卖了个神秘关子,不过也不难猜是什么品牌的,很多人看到这条编码,应该大部分内行人都能看出这是爱普生晶振的原厂编码,但是要具体说出是什么型号的,属于哪个类型,代表哪些参数,估计国内很少或者没有可以全部分辨出来的.废话不多说了,接下来就为广大新老客户,分析一下这条X1G0042610008晶振编码.爱普生集团旗下的晶振型号有几百种,而且分类齐全,32.768K晶振,MHZ石英晶振,插件晶振,SPXO晶体振荡器,温补晶振,压控晶振,恒温晶振,差分晶振,压控温补晶振,可编程晶振等都有生产.; 阅读（179）标签：

[技术支持]TXC有源晶振编码7Z-38.400MDG-T2018年11月16日 09:57: 7XZ-32.768KDA-T台湾晶技晶振7Q-16.368MBG-T台湾晶技晶振7XZ-32.768KDE-T晶振7Q-16.369MBG-T晶振7W-8.000MBB-T进口晶振7Q-16.369MBG-T进口晶振7W-50.000MBB-T石英晶体振荡器7L-40.000MCS-T石英晶体振荡器7W-50.000MBA-T可编程晶振7L-40.000MCS-T可编程晶振AU-26.000MBE-T有源晶振7Q-16.3676MBG-T有源晶振7C-40.000MBA-T台湾TXC晶振7Q-16.3676MBG-T台湾TXC晶振7Z-38.400MBG-T晶体振荡器8W-12.000MBB-T晶体振荡器6U-16.384MBE-T台产晶振8W-12.000MBB-T台产晶振BF-125.000MBE-T石英晶振AU-24.000MBE-T石英晶振BF-100.000MBE-T压电石英振荡子7Z-26.000MDS-T压电石英振荡子BX-100.000MBE-T贴片晶振8W-26.000MBB-T贴片晶振CX-100.000MBE-T温补晶振8W-40.000MBB-T温补晶振7XZ-32.768KBA-T压控振荡器8W-40.000MBB-T压控振荡器7W-25.000MBB-T有源晶体振荡器7L-26.000MCG-T有源晶体振荡器7W-48.000MBB-T台湾晶技晶振7L-26.000MCG-T台湾晶技晶振7X-19.200MBB-T晶振BB-106.250MBE-T晶振7X-30.000MBB-T进口晶振BB-106.250MBE-T进口晶振AW-11.2896MBE-T石英晶体振荡器7Z-26.000MBG-T石英晶体振荡器AU-50.000MBE-T可编程晶振7Z-38.400MDG-T可编程晶振7X-38.400MBA-T有源晶振7Z-26.000MDG-T有源晶振8W-12.000MBA-T台湾TXC晶振8W-19.200MBA-T台湾TXC晶振BB-125.000MBE-T晶体振荡器8W-19.200MBA-T晶体振荡器7W-4.096MBB-T台产晶振8W-40.000MBA-T台产晶振7W-40.000MBB-T石英晶振8W-40.000MBA-T石英晶振7C-26.000MBB-T压电石英振荡子7W-125.000MBB-T压电石英振荡子7C-40.000MCB-T贴片晶振7W-125.000MBB-T贴片晶振7W-66.6666MBB-T温补晶振8W-24.576MBA-T温补晶振7W-24.576MBA-T压控振荡器8W-24.576MBA-T压控振荡器7X-19.200MBA-T有源晶体振荡器7W-133.330MBB-T有源晶体振荡器BB-161.1328MBE-T台湾晶技晶振7W-133.330MBB-T台湾晶技晶振7X-20.000MBE-T晶振BT-156.250MBC-T晶振7X-20.000MBB-T进口晶振BT-156.250MBC-T进口晶振AU-33.000MBE-T石英晶体振荡器BB-100.000MBE-T石英晶体振荡器7WA2572007可编程晶振BB-100.000MBE-T可编程晶振6U-32.768MBE-T有源晶振BS-106.250MBC-T有源晶振BF-62.500MBE-T台湾TXC晶振BS-106.250MBC-T台湾TXC晶振BB-150.000MBE-T晶体振荡器BB-133.330MBE-T晶体振荡器BR-61.4400MBE-T台产晶振BB-133.330MBE-T台产晶振7N-12.800MBP-T石英晶振CB-150.000MBE-T石英晶振7N-26.000MBP-T压电石英振荡子CB-150.000MBE-T压电石英振荡子TC-3.6864MBD-T贴片晶振BF-156.250MBE-T贴片晶振TC-3.6864MBD-T温补晶振BB-156.250MBE-T温补晶振TC-70.000MBD-T压控振荡器CS-156.250MCC-T压控振荡器TC-70.000MBD-T有源晶体振荡器CS-156.250MCC-T有源晶体振荡器TD-19.200MBD-T台湾晶技晶振BS-250.000MBC-T台湾晶技晶振TD-19.200MBD-T晶振BS-250.000MBC-T晶振TD-3.6864MBD-T进口晶振CT-156.250MCC-T进口晶振TD-3.6864MBD-T石英晶体振荡器CT-156.250MCC-T石英晶体振荡器TD-64.000MBD-T可编程晶振BB-166.000MBE-T可编程晶振TD-64.000MBD-T有源晶振BB-166.000MBE-T有源晶振TD-7.3728MBD-T台湾TXC晶振BS-312.500MBC-T台湾TXC晶振TD-7.3728MBD-T晶体振荡器BS-312.500MBC-T晶体振荡器7W-32.000MBB-T台产晶振BT-312.500MBC-T台产晶振7W-32.000MBB-T石英晶振BT-312.500MBC-T石英晶振7X-19.200MBE-T压电石英振荡子CS-212.500MCC-T压电石英振荡子8W-26.000MBE-T贴片晶振CS-212.500MCC-T贴片晶振7X-30.000MBE-T温补晶振BJ-61.440MBE-T温补晶振7X-25.000MBE-T压控振荡器BJ-61.440MBE-T压控振荡器7X-38.400MBE-T有源晶体振荡器CS-312.500MCC-T有源晶体振荡器7X-48.000MBE-T台湾晶技晶振CS-312.500MCC-T台湾晶技晶振8W-20.000MBE-T晶振CT-312.500MCC-T晶振8W-13.000MBE-T进口晶振CT-312.500MCC-T进口晶振7X-50.000MBE-T石英晶体振荡器7P-26.000MBP-T石英晶体振荡器8W-24.000MBE-T可编程晶振7P-19.200MBP-T可编程晶振7X-26.000MBE-T有源晶振7P-25.000MBP-T有源晶振TD-4.096MBD-T台湾TXC晶振7N-20.000MBP-T台湾TXC晶振TD-4.096MBD-T晶体振荡器7N-10.000MBP-T晶体振荡器TC-33.000MBD-T台产晶振7N-19.200MBP-T台产晶振TC-33.000MBD-T石英晶振7N-25.000MBP-T石英晶振TD-40.000MBD-T压电石英振荡子BR-77.760MBE-T压电石英振荡子TD-40.000MBD-T贴片晶振BR-77.760MBE-T贴片晶振TD-49.152MBD-T温补晶振BR-122.880MBE-T温补晶振TD-49.152MBD-T压控振荡器BR-122.880MBE-T压控振荡器TC-4.000MBD-T有源晶体振荡器BJ-122.880MBE-T有源晶体振荡器TC-4.000MBD-T台湾晶技晶振BJ-122.880MBE-T台湾晶技晶振TC-16.0972MBD-T晶振CR-122.880MBE-T晶振TC-16.0972MBD-T进口晶振CR-122.880MBE-T进口晶振TD-24.576MBD-T石英晶体振荡器BR-153.600MBE-T石英晶体振荡器TD-24.576MBD-T可编程晶振CJ-153.600MBE-T可编程晶振TC-24.576MBD-T有源晶振CJ-153.600MBE-T有源晶振TC-24.576MBD-T台湾TXC晶振BJ-156.250MBE-T台湾TXC晶振TD-12.000MBD-T晶体振荡器BJ-156.250MBE-T晶体振荡器TD-12.000MBD-T台产晶振7W-1.8432MBE-T台产晶振TC-20.000MBD-T石英晶振7W-14.31818MBE-T石英晶振TC-20.000MBD-T压电石英振荡子7W-12.288MBB-T压电石英振荡子TC-12.000MBD-T贴片晶振7W-12.288MBB-T贴片晶振TC-12.000MBD-T温补晶振7W-40.000MBE-T温补晶振TC-36.000MBD-T压控振荡器7W-40.000MBE-T压控振荡器TC-36.000MBD-T有源晶体振荡器TA-20.000MBD-T有源晶体振荡器TC-16.000MBD-T台湾晶技晶振TA-20.000MBD-T台湾晶技晶振TC-16.000MBD-T晶振TA-22.5792MBD-T晶振TC-22.5792MBD-T进口晶振TA-22.5792MBD-T进口晶振TC-22.5792MBD-T石英晶体振荡器TA-50.000MBD-T石英晶体振荡器TD-24.000MBD-T可编程晶振TA-50.000MBD-T可编程晶振TD-24.000MBD-T有源晶振7W-14.7456MBB-T有源晶振TD-1.8432MBD-T台湾TXC晶振7W-14.7456MBB-T台湾TXC晶振TD-1.8432MBD-T晶体振荡器7W-24.576MBB-T晶体振荡器TC-64.000MBD-T台产晶振7W-24.576MBB-T台产晶振TC-64.000MBD-T石英晶振7W-8.192MBE-T石英晶振TC-25.000MBD-T压电石英振荡子7W-32.768MBE-T压电石英振荡子TC-25.000MBD-T贴片晶振7W-36.000MBE-T贴片晶振TC-1.8432MBD-T温补晶振7C-27.000MBE-T温补晶振TC-1.8432MBD-T压控振荡器7C-48.000MBE-T压控振荡器TD-22.5792MBD-T有源晶体振荡器7W-1.544MBE-T有源晶体振荡器TD-22.5792MBD-T台湾晶技晶振7W-4.096MBE-T台湾晶技晶振7C-50.000MBE-T晶振7C-40.000MBE-T晶振7WZ-32.768KBD-T进口晶振7W-8.000MBE-T进口晶振7WZ-32.768KBD-T石英晶体振荡器7C-25.000MBE-T石英晶体振荡器7XZ-32.768KBE-T可编程晶振7W-6.000MBE-T可编程晶振7W-8.192MBB-T有源晶振7W-10.000MBE-T有源晶振7W-4.000MBB-T台湾TXC晶振7W-50.000MBE-T台湾TXC晶振7W-4.000MBB-T晶体振荡器7W-24.000MBE-T晶体振荡器7L-16.368MCG-T台产晶振7W-33.333MBE-T台产晶振7L-16.368MCG-T石英晶振7W-24.576MBE-T石英晶振TC-125.000MBD-T压电石英振荡子7W-25.000MBE-T压电石英振荡子TC-125.000MBD-T贴片晶振7W-10.000MAB-T贴片晶振7C-25.000MCB-T温补晶振7W-48.000MBE-T温补晶振7Q-40.000MBS-T压控振荡器7W-40.000MAB-T压控振荡器7W-4.096MBA-T有源晶体振荡器7W-40.000MAB-T有源晶体振荡器7W-12.288MBA-T台湾晶技晶振7W-20.000MAB-T台湾晶技晶振7W-10.000MBA-T晶振7W-20.000MAB-T晶振AC-4.000MAE-T进口晶振7W-14.31818MAB-T进口晶振7X-24.576MBB-T石英晶体振荡器7W-14.31818MAB-T石英晶体振荡器7X-12.000MBB-T可编程晶振7W-24.000MAB-T可编程晶振7X-12.000MBB-T有源晶振7W-24.000MAB-T有源晶振7X-50.000MBB-T台湾TXC晶振TB-1.8432MBD-T台湾TXC晶振7X-25.000MBB-T晶体振荡器TB-1.8432MBD-T晶体振荡器7X-25.000MBB-T台产晶振TB-70.000MBD-T台产晶振7C-26.000MBA-T石英晶振TB-70.000MBD-T石英晶振7X-48.000MBB-T压电石英振荡子TB-30.000MBD-T压电石英振荡子7X-26.000MBB-T贴片晶振TB-30.000MBD-T贴片晶振7C-24.576MBA-T温补晶振TA-11.0592MBD-T温补晶振AU-14.31818MBE-T压控振荡器TA-11.0592MBD-T压控振荡器AU-48.000MBE-T有源晶体振荡器TC-50.000MBD-T有源晶体振荡器AU-48.000MBE-T台湾晶技晶振TC-50.000MBD-T台湾晶技晶振AU-12.000MBE-T晶振TA-13.000MBD-T晶振AU-12.000MBE-T进口晶振TA-13.000MBD-T进口晶振AU-12.288MBE-T石英晶体振荡器TA-12.288MBD-T石英晶体振荡器AU-25.000MBE-T可编程晶振TA-12.288MBD-T可编程晶振AU-27.000MBE-T有源晶振TA-33.000MBD-T有源晶振7X-30.000MBA-T台湾TXC晶振TA-33.000MBD-T台湾TXC晶振7X-30.000MBA-T晶体振荡器TC-24.000MBD-T晶体振荡器7X-12.000MBA-T台产晶振TC-24.000MBD-T台产晶振7X-12.000MBA-T石英晶振TB-22.1184MBD-T石英晶振7X-26.000MBA-T压电石英振荡子TB-22.1184MBD-T压电石英振荡子7X-25.000MBA-T贴片晶振TA-6.000MBD-T贴片晶振7X-48.000MBA-T温补晶振TA-6.000MBD-T温补晶振7X-48.000MBA-T压控振荡器TD-33.33333MBD-T压控振荡器7L-19.200MCS-T有源晶体振荡器TD-33.33333MBD-T有源晶体振荡器.; 阅读（319）标签：

[行业资讯]MEMS晶振领导者SiTime的时钟突破与创新2018年11月08日 11:05: 除此之外,不少相关的配件供应商,也为了即将到来的5G做好了准备,在移动通信和智能手机领域,有一种叫做晶振的电子元器件,是通信与网络连接的重要信号源.知名的MEMS可编程晶振制造厂家,供应商SiTime公司,早已在业内发出消息,将会为5G通信的客户提供MEMS时序解决方案。; 阅读（273）标签：

[常见问题]日系品牌的差分晶振怎么样？2018年09月01日 11:11: 石英晶体振荡器的种类有很多种,也许应用产品范围差不多,但这些晶振有各自独特的优势,如果说哪一种有源晶振是最高性能的,那么应该就是差分晶振了.在石英水晶组件里,差分晶振无疑是比较"高贵"的,因为别的振荡器有的作用和性能它都有,别的振荡器没有它也有.你能想得到的有关晶振的特性,差分系列的晶体振荡器都能达到,而且可以和OSC晶振,温补晶振,压控晶振,恒温晶振,甚至是可编程晶振组合.差分晶体振荡器主要有三种输出方式,分别是LVDS,LV-PECL和HCSL,前面两个输出是最常见的,工程师会根据自己研发产品的实际需求,选择适合的输出方式.; 阅读（127）标签：

[常见问题]略带神秘感的可编程晶振常见特性技术资料2018年08月23日 19:11: 全球已有众多工厂和企业认可了MEMS振荡器,但因为真正了解它的人不多,在一定程度上也限制了用量和发展,可编程振荡器虽然仍是业界里经常舆论的话题,可要距离真正取代石英贴片晶振,还有一段很长的路要走.在国际上专业且有名的可编程振荡器的品牌,大家也比较熟知的,无非就是SiTime晶振公司了.国内的生产厂家对STM晶振公司量产的MEMS可编程晶振了解得不够全面,上面这些关于MEMS系列晶体的特性和常见技术问题,可帮助各大工程和采购对其加深了解,方便选购合适的可编程晶振.; 阅读（154）标签：

[行业资讯]日本爱普生晶振集团八大MEMS可编程振荡器系列料号详情讲解2018年07月27日 18:50: 量产可编程振荡器的厂家有很多,但说到专业方面业界普遍比较认可美国的SiTime晶振公司,和日本爱普生晶振集团.前者已经是老生常谈的话题了,所以今天我们说说影响力更大的爱普生晶振,这个在2010年获得全球晶振厂家榜首的品牌.虽然和SiTime公司比起来,爱普生集团自己研发量产的MEMS可编程晶振不算多,但每个系列的每一款型号,都属于这个领域的优质精品.; 阅读（171）标签：

[晶振产品优势]美国SiTime晶振数十年专注可编程振荡器研产工作2018年06月07日 18:04: 说到MEMS系列的可编程晶振,最有资格成为全球同类型厂家的品牌,非SiTime晶振莫属。在MEMS领域真正做到世界闻名的,几乎也只有SiTime公司一家.虽然2005年才开始在美国加利福尼亚州的圣克拉拉市成立,距今不过13年的时间,但却拥有几十的的研发和生产经验.SiTime公司简称是STM晶振,内存的硅计时解决方案受益于广泛的应用,主打的产品是可编程晶体振荡器,这是一种材质为硅,可频率编程的有源晶振产品.可为不同用户定制不同频率的晶体振荡器,特点是灵活性好,稳定性高,可耐高温,低功耗,低电平等.; 阅读（277）标签：

[新闻动态]MEMS振荡器多年被传将抢夺石英晶体振荡器市场实属谣言2018年06月06日 17:24: 这几年来也被频繁的传出,MEMS可编程晶振将会取代石英晶体振荡器,成为晶体市场的新"宠儿",甚至会完全代替都有可能.不可否认的是MEMS有源晶体振荡器确认有非常大的优势,灵活性强,稳定性和耐热性能也比OSC晶振要好很多,但市场趋势还是以石英晶体振荡器为主.因为MEMS技术虽然已经有很多厂家都在研究,并且也获得成功,但远没有普通有源晶振那样谈及,而且成本比较高,偏僻的频率使用的客户也少.; 阅读（143）标签：

[新闻动态]TXC晶振小体积高精度8Y24070003晶振编码下载资料2018年04月24日 18:36: 台湾晶体品牌知名的至少有十多家,每一家都具有自己的特色,和吸引顾客卖点,但说到在世界范围内影响力比较大的,就是我们比较熟悉的TXC晶振和泰艺晶振.按年份来看,泰艺晶振是2000年才开始成立的,而TXC晶振早在1983年就正式创办了,所以TXC晶振公司的资历更深,经验更丰富.相对来说,TXC集团研发的频率元件种类还是比较齐全的,基本上主要的晶振类型都有生产,甚至是MEMS可编程晶振都有量产.; 阅读（224）标签：

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