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Golledge最新“出炉“的GVXO-338压控晶振系列性能参数介绍
Golledge最新”出炉”的GVXO-338压控晶振系列性能参数介绍
6月的新闻通讯还采用了Golledge晶振公司全新的压控振荡器GVXO-338(可提供高达125MHz的频率)以及世界上最低功耗的RTCRV-3028-C7.我们的专家团队将继续以安全可靠的方式工作,以确保您的频率组件供应在这段时间内受到的影响尽可能小.GVXO-338L超小型压控振荡器的频率范围可低至1.250MHz至125MHz.这款VCXO具有3.3V的电源电压和标准的15pFCMOS驱动能力,仅需13mA的低电源电流.GVXO-338L的电压控制范围为1.65V±1.5V,线性度为10％,可产生最小±90ppm的宽频率可拉性.
GVXO-338L晶振具有低电流消耗的CMOS3.3V表面贴装VCXO
拉范围广
低电流消耗
3.3V电源
小型SMD封装
有竞争力的价格
技术指标参数表:
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频率范围 |
1.250~125.0MHz |
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外形尺寸 |
3.2x2.5x1.15mm |
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电压控制 |
+1.65V±1.5V,线性度10％ |
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储存温度范围 |
-40~+85℃ |
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电源电压(VDD) |
+3.3V(±5％) |
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电源电流 |
最大13mA |
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驾驶能力 |
15pFCMOS |
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逻辑水平 |
'0'电平=10％VDD最小值 '1'电平=90％VDD最小值 |
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波形对称 |
最大40:60@50％VDD |
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上升/下降时间(20%~80%VDD) |
最多5ns |
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启动时间 |
最长10ms |
GVXO-338K压控振荡器的频率范围低至1.250MHz至100MHz,电源电压为2.8V.GVXO-338K还具有标准的15pF CMOS驱动能力,采用超小型3.2x2.5x1.15mm表面贴装封装.这款超小型SMVCXO具有仅9mA的超低电源电流要求,并具有10％的线性度,1.4V±1.35V的宽电压控制范围.
GVXO-338K具有低电流消耗的CMOS2.8V表面贴装VCXO振荡器
低电流消耗
2.8V电源
小型SMD封装
有竞争力的价格
技术指标参数表:
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频率范围 |
1.250~100.0MHz |
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外形尺寸 |
3.2x2.5x1.15mm |
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电压控制 |
+1.4V±1.25V,线性度10％ |
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储存温度范围 |
-40~+85℃ |
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电源电压(VDD) |
+2.8V(±5％) |
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电源电流 |
最大9mA |
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驾驶能力 |
15pFCMOS |
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逻辑水平 |
'0'电平=10％VDD最小值 '1'电平=90％VDD最小值 |
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波形对称 |
最大40:60@50％VDD |
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上升/下降时间(20%~80%VDD) |
最多5ns |
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启动时间 |
最长10ms |
GVXO-338G超小型压控振荡器的频率范围可低至1.250MHz至100MHz.该VCXO具有1.8V的低电源电压和标准的15pF CMOS驱动能力,仅3mA的超低电源电流要求和0.9V±0.85V的宽电压控制范围,具有10％的线性度,可产生±至少90ppm.
GVXO-338G贴片晶振具有低电流消耗的CMO S1.8V表面贴装VCXO
低电流消耗
1.8V电源
小型SMD封装
有竞争力的价格
技术指标参数表:
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频率范围 |
1.250~100.0MHz |
|
外形尺寸 |
3.2x2.5x1.15mm |
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电压控制 |
+0.9V±0.85V,线性度10％ |
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储存温度范围 |
-40~+85℃ |
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电源电压(VDD) |
+1.8V(±5％) |
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电源电流 |
最大3mA |
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驾驶能力 |
15pFCMOS |
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逻辑水平 |
'0'电平=10％VDD最小值 '1'电平=90％VDD最小值 |
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波形对称 |
最大40:60@50％VDD |
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上升/下降时间(20%~80%VDD) |
最多5ns |
|
启动时间 |
最长10ms |
GVXO-338S压控振荡器的频率范围低至1.0MHz至90MHz,电源电压为5.0V.GVXO-338S还具有标准的15pF CMOS驱动能力,采用超小型3.2x2.5x1.15mm表面贴装封装.该超小型贴片石英晶振 VCXO还具有仅20mA的低电源电流要求和2.5％±2.0V的宽电压控制范围,并具有10％的线性度.
GVXO-338S具有低电流消耗的CMOS5.0V表面贴装VCXO
拉范围广
低电流消耗
5.0V电源
小型SM封装
有竞争力的价格
技术指标参数表:
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频率范围 |
1.0~90.0MHz |
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外形尺寸 |
3.2x2.5x1.15mm |
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电压控制 |
+0.9V±0.85V,线性度10％ |
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储存温度范围 |
-40~+85℃ |
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电源电压(VDD) |
+2.5V±2.0(±5％) |
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电源电流 |
最大20mA |
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驾驶能力 |
15pFCMOS |
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逻辑水平 |
'0'电平=10％VDD最小值 '1'电平=90％VDD最小值 |
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波形对称 |
最大40:60@50％VDD |
|
上升/下降时间(20%~80%VDD) |
最多5ns |
|
启动时间 |
最长10ms |
包装尺寸图:
Golledge最新”出炉”的GVXO-338压控晶振系列性能参数介绍
