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Crystsl Oscillator电路的不稳定性因素

返回列表 来源:金洛鑫 浏览:- 发布日期:2019-04-15 09:52:11【
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在之前的文章中提到过晶体振荡器的电路类型,至少都有五六种,不同的电路布局带来的效益和性能是不一样的,那篇技术文章标题是《Oscillator技术电路类型介绍》,有兴趣的用户可以在金洛鑫旧官网上查到。许多生产厂家选择成本比较高的石英晶体振荡器,最主要的原因大部分都是因为它的稳定性,比谐振器要高许多,然而在设计的过程中,也会有导致晶体振荡器不稳定的现象出现,今天我们主要讨论,那些让振荡器出现不稳定的重要因素。

振荡器电路类型:

振荡器电路类型中,除了rf接地点位于不同位置之外,其中三个更常见的有源晶振电路类型,即PierceColpittsClapp,由相同的电路组成。巴特勒和改良的巴特勒也相似;在每个中,发射极电流是晶体电流。门振荡器是皮尔斯型,它使用逻辑门加电阻代替皮尔斯振荡器中的晶体管。(某些门振荡器使用多个门)。

Crystsl Oscillator电路的不稳定性因素

OCXO框图:

Crystsl Oscillator电路的不稳定性因素

OCXO振荡器的三个主要部分中的每一个,即晶体,维持电路和烘箱,都会导致不稳定性。

振荡器不稳定性-一般表达式:

Crystsl Oscillator电路的不稳定性因素

其中QL=谐振器的负载Q,并且d?ff)是在远离载波频率f的偏移频率ff处的环路相位的小变化。环路中的系统相位变化和相位噪声可以源自谐振器或维持电路。最大化QL有助于减少噪声和维持电子器件中环境引起的变化的影响。在一个设计合理的振荡器中,短路不稳定性由谐振器决定,偏移频率小于谐振器的半带宽,并由维持电路和数量决定。从环路传递的功率用于更大的偏移。

维持电路的不稳定性:

负载电抗变化-向晶体添加负载电容会改变频率

Crystsl Oscillator电路的不稳定性因素

示例:如果C0=5pFC1=14fFCL=20pF,则aCL=10fF=5X10-4)导致≈1X10-7频率变化,并且CL老化为每天10ppm导致振荡器老化每天2X10-9。驱动电平变化:对于10MHz3SC切割,通常为每ma210-8。晶体上的直流偏压也会导致振荡器老化。

振荡器不稳定性-调谐电路

许多Oscillator Crystal包含调谐电路-抑制不需要的模式,匹配电路和滤波器。调谐电路的电感和电容的微小变化的影响由下式给出:

Crystsl Oscillator电路的不稳定性因素

其中BW滤波器的带宽,ff是滤波器中心频率与载波频率的频率偏移,QL是谐振器的负载QQcLcCc是调谐电路的Q,电感和电容,分别。

振荡器不稳定性-电路噪声

Crystsl Oscillator电路的不稳定性因素

其中ff是载波频率f的频率偏移,QL是电路中晶振的负载QLckt1Hz)是ff=1Hz时的闪烁PM噪声,t是闪烁楼层范围内的任何测量时间。对于QL=106Lckt1Hz=-140dBc/Hzsyt=8.3×10-14。(已达到Lckt1Hz=-155dBc/Hz。)

振荡器不稳定性-外部负载

如果外部负载发生变化,则反射回OSC晶振的信号的幅度或相位会发生变化。到达振荡回路的那个信号的部分改变了振荡相位,因此改变了频率

Crystsl Oscillator电路的不稳定性因素

其中G是负载的VSWRq是反射波的相位角;例如,如果Q~106,并且隔离~40dB(即~10-4),则最差情况(100%反射)拉动为~5×10-9VSWR2时,最大牵引力降低仅为3倍。负载牵引问题在较高频率下变得更糟,因为Q和隔离度都较低。

简易的振荡器电路稳定性,通常没有复杂的振荡器电子高,近年来石英晶振的技术不断突破,许多晶体制造商都研发出,比较新颖且难度大的Crystsl Oscillator电路。外围电容,调谐电路,电路噪声,负载电抗都是容易导致石英振荡器不稳定的因素,因此在设计时,工程师们都会将这几点设置好,方便接下来的布局。

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    【本文标签】:晶体振荡器电路设计 Crystsl Oscillator电路类型 晶振稳定性
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