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O26,0-JT21G-E-M-1,8-LF,TCXO振荡器,2016有源晶振,无线应用晶振
O26,0-JT21G-E-M-1,8-LF,TCXO振荡器,2016有源晶振,无线应用晶振,针对无线设备依赖电池供电,需极致低功耗的特性,其超薄设计(0.6mm厚度)能适配柔性PCB板弯曲场景,如可穿戴无线健康监测设备的弧形机身,避免因封装厚度导致的结构设计受限.同时,该封装兼容高速SMT自动化焊接工艺,焊接良率达99.8%以上,可满足无线设备大规模量产需求,降低生产环节的人工成本与不良率.更多 +

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O20,0-JO32-B-1V3-1-T1-LF,JO32石英晶振,20MHz晶振,3225小型晶振
O20,0-JO32-B-1V3-1-T1-LF,JO32石英晶振,20MHz晶振,3225小型晶振,依托高纯度石英晶体作为振荡核心,O20.0-JO32-B-1V3-1-T1-LF具备卓越的温度适应性,在-40℃~+85℃工业级宽温范围内,频率稳定度可控制在±15ppm以内,频率温度系数≤±3ppm/℃.即使在户外极端环境(如冬季-30℃的智能路灯控制器,夏季+75℃的汽车电子晶振模块)中,仍能保持20MHz频率的稳定输出,避免因温度波动导致的设备死机,数据丢失.同时,石英晶体的老化率低至±1ppm/年,确保设备在5年使用寿命内,时钟精度始终满足设计要求,无需频繁校准维护.更多 +

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SG-8018CG97.2000M-TJHSA0,可编程晶体振荡器,EPSON晶振,SG-8018贴片晶振
SG-8018CG97.2000M-TJHSA0,可编程晶体振荡器,EPSON晶振,SG-8018贴片晶振,凭借"可编程+贴片+高频"三重优势,成为多领域高端设备的时钟核心.在无线通信领域,97.2000MHz高频信号可直接适配Wi-Fi6E,5GCPE的射频芯片,可编程功能支持动态调整频率以匹配不同信道需求,在工业物联网晶振领域,其贴片设计与宽温特性(-40℃~85℃)可适配户外传感器,边缘计算网关,通过编程补偿环境干扰导致的频率漂移,在消费电子领域,轻薄封装与低功耗可满足高端平板电脑,AR设备的时钟需求,兼顾性能与续航.更多 +

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T1244-T16-100.0MHz-E,高冲击电子设备,移动无线电子晶振,TCXO振荡器
T1244-T16-100.0MHz-E,高冲击电子设备,移动无线电子晶振,TCXO振荡器采用T16封装形式,兼具小型化与结构稳定性,可灵活集成于空间受限的移动电子设备中.其适配主流电子系统供电需求,依托精密的晶体加工与振荡电路设计,初始频率偏差被严格控制在极低范围,能为移动无线设备的信号传输,数据处理模块提供稳定的时钟基准,同时具备应对高冲击环境的结构强度,是平衡“高频精度”与“环境耐受性”的理想频率控制元件.更多 +

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T1276-T56-C-3.3-LG-B-10.0MHz-E,微型卫星晶振,格林雷进口晶振,温补晶振
T1276-T56-C-3.3-LG-B-10.0MHz-E,微型卫星晶振,格林雷进口晶振,温补晶振可实时感知微型卫星在太空中面临的极端温度环境(-55℃至125℃宽温区),并通过智能补偿算法动态修正频率偏差,使频率温度漂移系数远优于普通晶振,达到工业级顶尖水平.这一特性确保卫星在轨道运行中,即便遭遇太阳辐照,阴影区切换等温度剧烈变化场景,仍能保持10.0MHz频率的超高稳定性,避免因频率偏移导致的卫星通信中断,数据传输误码等关键问题,保障微型卫星任务的精准执行.更多 +

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FC3BQBBMM25.0-T3,5G网络基础设施晶振,FC3BQ晶振,3225晶振
FC3BQBBMM25.0-T3,5G网络基础设施晶振,FC3BQ晶振,3225晶振,该晶振采用陶瓷封装工艺,具备良好的散热性能与机械强度,在5G终端设备(如5GCPE,工业物联网网关)中,可轻松集成到紧凑的电路板上,支持多电压供电(2.5V/3.3V),适配不同5G设备的电源架构.在5G工业物联网网关中,3225晶振为网关的通信模块提供时序基准,保障网关与5G基站,工业设备间的双向数据传输,在5G智能电表等终端设备中,其小型化与低功耗特性(动态电流≤5mA),可减少设备体积与能耗,适配终端设备长期稳定运行需求,同时稳定的频率输出确保电表数据采集与上传的时序精度,避免因频率偏差导致的计量误差.更多 +

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FC8AQCCMC3.6864-T1,汽车级晶体,FC8AQ贴片晶振,FOX晶振
FC8AQCCMC3.6864-T1,汽车级晶体,FC8AQ贴片晶振,FOX晶振,完美适配汽车电子中空间受限的模块(如车载雷达传感器,自动驾驶域控制器).该晶振采用无铅陶瓷封装与自动化贴片焊接工艺,不仅适配汽车电子的大规模量产需求,还具备优异的散热性能,在汽车毫米波雷达模块中,可通过高效散热避免晶振因局部高温(雷达工作时模块温度可达80℃以上)导致的性能衰减,同时,其电磁兼容(EMC)性能符合ISO11452汽车电磁辐射标准,能抵御车载高压线束,电机产生的电磁干扰,确保时序信号稳定.更多 +

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FC5BQCCMC12.0-T1,欧美进口晶振,C5BQ贴片晶振,雷达系统晶振
FC5BQCCMC12.0-T1,欧美进口晶振,C5BQ贴片晶振,雷达系统晶振,C5BQ贴片晶振是基于小型化贴片封装(通常尺寸为5.0mm×3.2mm或更小)设计的高频晶振,频率覆盖范围8MHz~25MHz,在-40℃~85℃温区内频率稳定度可达±12ppm,完美适配雷达系统中空间受限的模块(如雷达天线控制单元,微处理器晶振).该晶振采用无铅陶瓷封装工艺,具备良好的散热性能与抗电磁干扰能力,在雷达系统复杂的电磁环境(如高频发射信号,多设备电磁辐射)中,能保持频率输出稳定,避免时序信号受干扰失真.更多 +

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FKFSREIHM0.032768-T3,FOX福克斯晶振,FSRLF谐振器,8038晶振
FKFSREIHM0.032768-T3,FOX福克斯晶振,FSRLF谐振器,8038晶振,作为一款聚焦低功耗场景的专业晶振,其核心频率精准锁定32.768kHz标准值,能有效降低设备能耗,为物联网传感器,智能手环,便携式检测仪器等职场常用设备提供长效续航支持.同时,产品具备出色的频率稳定性,可在复杂工作环境中保持稳定运行,避免因频率波动导致的设备数据偏差或功能中断,是保障低功耗职场设备持续高效工作的关键元器件.更多 +

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FC4SDCBMF10.0-T1,FOX无源晶振,HC49SDLF石英晶振,耐用型晶振
FC4SDCBMF10.0-T1,FOX无源晶振,HC49SDLF石英晶振,耐用型晶振,能为通信设备,工业控制模块,消费电子终端等职场常用设备提供稳定的频率基准.产品具备优异的频率温度特性,在常规工作温度范围内(-20℃至70℃)频率偏差极小,可有效避免因温度波动导致的设备信号传输失真或控制精度下降问题.同时,其紧凑的封装设计适配各类小型化设备,安装便捷且占用空间小,是保障中高频场景下职场设备高效稳定运行的优质选择.更多 +

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EMK43G2J-24.000M,24MHz晶振,2520晶振,5G通信设备晶振
EMK43G2J-24.000M,24MHz晶振,2520晶振,5G通信设备晶振深度适配5G全场景应用需求.在5G宏基站领域,可作为基站主控单元的时钟核心,确保多扇区信号同步,避免因时钟偏差导致的信号切换卡顿,保障大范围网络覆盖的稳定性,在5G微基站与室内分布系统中,其小巧的2520封装与低功耗特性,完美适配小型化基站的设计需求,支持密集组网部署,缓解城市热点区域网络拥堵,在5G终端设备(如5G工业路由器,车载晶振5G模块)中,能为射频前端,数据传输模块提供稳定时钟,确保终端与基站间的高速数据交互,满足工业物联网,车联网等场景对通信实时性的要求,同时,也可用于5G测试仪器(如信号分析仪),为设备校准与性能测试提供精准时钟参考.更多 +

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345LB3C2000T,CTS低成本晶振,高频基频晶体,345美国进口晶振
345LB3C2000T,CTS低成本晶振,高频基频晶体,345美国进口晶振,聚焦高频应用需求,345LB3C2000T晶振以高频基频晶体为核心设计,无需依赖倍频技术即可实现稳定的高频信号输出,减少额外电路损耗,提升设备整体能效.作为美国345系列进口晶振,其采用CTS晶振(温度补偿)技术,在-40℃~85℃宽温环境下仍能保持频率偏差在可控范围,适用于汽车电子,智能仪表等温差较大的场景,同时低成本属性让其在批量生产项目中更具成本竞争力.更多 +

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CTXXPC3LZLD-100.0,CMOS输出晶振,智能电网应用晶振,Cardinal卡迪纳尔晶振
CTXXPC3LZLD-100.0,CMOS输出晶振,智能电网应用晶振,Cardinal卡迪纳尔晶振,可在-40℃~85℃宽温区间内稳定工作,频率稳定度控制在±5ppm以内,能抵御电网户外设备面临的高温暴晒,低温严寒等极端环境,CMOS输出的高驱动能力可确保时钟信号在长距离传输(如从配电房到变电站)中不失真,为智能电网的远程监控,故障诊断设备提供持续稳定的时钟基准,减少因环境变化导致的设备停机风险,提升电网运行可靠性.更多 +

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C1E-80.000-10-1015-X-M,安基晶振,石英晶体谐振器,2016mm晶振
C1E-80.000-10-1015-X-M,安基晶振,石英晶体谐振器,2016mm晶振,作为安基品牌的无源晶振,依托石英晶体的优异物理特性,展现出卓越的信号性能.石英晶体的压电效应具备高稳定性,相较于陶瓷谐振器,其频率精度提升4~6倍,长期运行中频率偏差始终控制在±15ppm以内,能为高速设备提供持续稳定的时序基准;精密的晶体切割工艺与真空密封封装,进一步降低了晶体震荡时的能量损耗,使谐振器的品质因数(Q值)高达5000以上,提升高频信号的抗干扰能力,在工业车间,通信基站等电磁复杂环境中,仍能保持80MHz时钟信号的稳定输出.更多 +

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C7S-8.000-18-1030-X-R,台湾进口晶振,智能手机晶振,C7S无源进口晶振
C7S-8.000-18-1030-X-R,台湾进口晶振,智能手机晶振,C7S无源进口晶振,实现全方位精准适配.在通信功能中,8.000MHz频率可作为手机基带芯片的基准时钟,通过内部PLL倍频至5G通信所需的高频载波信号,低相位噪声特性确保通话音质清晰,5G网络下载速率稳定,避免因时钟干扰导致的信号断连或网速波动;在传感器模块中,该晶振可为陀螺仪,加速度传感器提供数据采样时钟,保障手机计步,屏幕自动旋转等功能的准确性,温漂稳定性则避免了低温环境下传感器数据失真,在多媒体功能中,其稳定的频率输出能驱动音频解码芯片,屏幕显示控制器,确保高清视频播放无卡顿,音频输出无杂音.更多 +

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C2E-12.000-8-2050-X1-R,AKER无源晶振,车载晶振,2520台产晶振
C2E-12.000-8-2050-X1-R,AKER无源晶振,车载晶振,2520台产晶振,依托品牌在频率控制领域的技术积累与车规级品质管控,展现出卓越的可靠性.AKER采用高纯度石英晶体作为核心震荡材料,经过精密的晶体切割,抛光及车规级密封封装工艺处理,有效隔绝车载环境中的灰尘,油污,湿度(耐高温晶振)对元件的影响,延长晶振使用寿命.生产过程中,该晶振需通过车规行业严苛测试:包括AEC-Q200车规认证测试(涵盖高温老化,温度循环,振动冲击等11项测试),频率精度校准(每颗单独校准至±10ppm内),长期稳定性测试(125℃持续运行2000小时),全面符合ISO9001质量管理体系标准及RoHS环保认证要求,不含铅,镉等有害物质,适配全球车载环保法规.更多 +

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C5S-12.000-18-1020-R,AKER石英晶振,6G无线通信晶振,5032贴片谐振器
C5S-12.000-18-1020-R,AKER石英晶振,6G无线通信晶振,5032贴片谐振器,针对6G无线通信的技术特性与场景需求,进行了全方位性能优化,实现深度适配.在6G基站场景中,其12.000MHz频率可作为射频transceiver的基准时钟,通过内部PLL倍频至6G通信所需的高频载波信号,低相位噪声特性能保障射频信号的调制精度,减少信号失真,提升基站的覆盖范围与通信质量;在6G终端设备(如未来6G手机,物联网网关)中,其低功耗设计(静态电流≤10mA)可有效降低设备能耗,延长电池续航,适配终端设备的便携化需求;在6G边缘计算节点中,宽温特性(-40℃~+85℃)能应对户外高温,低温等恶劣环境,保障边缘节点与核心网的稳定数据交互.更多 +

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C3E-8.000-18-1020-X-R,微处理器晶振,AKER晶振,C3E数码产品晶振
C3E-8.000-18-1020-X-R,微处理器晶振,AKER晶振,C3E数码产品晶振,在性能稳定性与电路兼容性上具备显著优势.从电气性能来看,它的起振速度快,通电后可在毫秒级内稳定输出8.000MHz频率信号,避免微处理器与数码设备启动时因时钟信号延迟导致的功能异常.其频率稳定度高,在长期使用过程中,频率偏差始终控制在±20ppm以内,保障微处理器指令执行的准确性与数码产品功能的稳定性.无源设计与多数微处理器的时钟接口兼容,无需内置驱动电路,进一步简化了数码产品的硬件设计,适合大规模批量生产场景.更多 +

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BQCSP–125MF–BCDAT,军事应用晶振,Bliley高品质晶振,6035晶振
BQCSP–125MF–BCDAT,军事应用晶振,Bliley高品质晶振,6035晶振封装尺寸,较传统军事晶振缩小30%PCB占用空间,可灵活集成于高密度嵌入式电路板中,适配导弹制导系统,单兵作战设备等小型化军事装备.晶振内置过压保护电路,能抵御军用供电系统中的瞬时高压冲击(最高耐受100V峰值电压),避免电路损坏.此外,产品采用无铅焊接工艺,符合RoHS军用环保标准,且引脚镀层为镀金材质(厚度≥5μm),提升导电性与抗氧化能力,确保军事嵌入式系统长期可靠运行.更多 +

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BQCSQ-32K76F–YCBHT,BQCSQ晶振,数据通信领域晶振,1610贴片晶振
BQCSQ-32K76F–YCBHT,BQCSQ晶振,数据通信领域晶振,1610贴片晶振,Bliley晶振BQCSQ系进口晶振不仅覆盖32.768kHz低频段,还延伸至10MHz~50MHz高频范围,专为数据通信设备的高速信号处理场景设计.以BQCSQ-32K76F–YCBHT为基础衍生的高频型号,采用与1610封装一致的小型化设计,可灵活集成于光模块,5G基带单元等紧凑设备中.该系列晶振具备低相位噪声特性(@1kHz偏移:-115dBc/Hz),能减少数据传输中的信号干扰,降低误码率,提升通信链路稳定性.同时,支持12pF,20pF等多规格负载电容,与主流通信芯片(如高通,华为海思基带芯片)高度兼容,无需调整电路即可快速适配,缩短数据通信设备研发周期.更多 +
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