当前位置：首页 » 晶振产品优势 » 石英晶体振荡器小型化对其自身特性的影响及其对策1N226000AA0G

石英晶体振荡器小型化对其自身特性的影响及其对策1N226000AA0G

来源：金洛鑫浏览：- 发布日期：2023-07-29 15:58:47【大中小】

分享到：

随着晶体振荡单元的小型化的进展，CI 值、特性不均、频率敏感性等性能随之恶化，电路设计更为困难。日本KDS晶振使用自己的核心技术，设计并生产出可以同时实现小型及高性能的音叉型晶体振荡单元,为小型、高性能的应用开发奉献力量。下面，给大家详细介绍一下石英晶体振荡器小型化对其自身特性的影响及其对策。

1、因CI 值(晶体阻抗；Crystal Impedance)的增大而造成的振荡稳定性的下降

如将晶体单元的谐振状态置换成电气电路，可以得到如图 1所示的晶体振荡单元的等效电路，CI 值相当于等效电路的 R1。

图一：晶体单元的等效电路

通常将晶体振荡单元小型化时， CI 值会变大。这时，晶体振荡单元的 CI 值对振荡电路的影响及其对策如下所示。

【影响】

CI 值较大时起振或停止电压会变高。即会出现即使增大电压也难以起振、电压稍下降振荡就会变得不稳定或停止振荡的现象。

而且 CI 值是晶体振荡单元单体中的谐振频率的等效阻抗，对振荡的不稳定或不振荡产生影响的、决定振荡裕度的重要参数之一。

图二振荡裕度的检查方法

【对策】

首先，需要确保衡量振荡电路能否稳定振荡的尺度的振荡裕度在 5～10 以上。这项振荡裕度可用图 2的振荡电路的负阻抗（CI）除以石英晶体振荡器单元的等效串联阻抗（r）的最大值来表示。当振荡裕度不足时，将出现如上所述的延迟起振时间或起振电压变高的故障。而且，当振荡裕度明显不足时，振荡将陷入不稳定或不起振的状态。

为了提高振荡裕度，以下两种方法较为有效：

①通常改善负阻抗的方法较为有效，根据图 3所示的振荡电路部分功耗与负阻抗之间的关系，可使用增加振荡部电流的方法来解决，但这种方法存在增加耗电量的缺点。

图 3 振荡电路部分的电流与负阻抗之间的关系

②使用 CI 值较小的石英晶体也可以改善振荡裕度，但如上所述，通常晶体振荡单元的小型化将使 CI 值变大。尽管小型化与振荡的稳定相对立，但KDS晶振公司使用自己的技术，采用了既小型又能抑制 CI 值的设计。并根据客户的需求，推出了规格尺寸丰富多样的晶体振荡单元阵容，可以为大家提供系统最佳部件，支持尊贵客户的高度设计品质。

2. 振荡频率的偏移

随着振荡器尺寸的小型化，频率敏感度将变高。实装到产品基板时振荡频率可能偏移所期待值。以下说明其影响及对策。

【影响】

晶体振荡单元的频率随振荡电路的负载电容而变化。这种变化被称为“频率与负载电容特性”。负载电容如式 1)所示，由振荡电路的电容值和杂散电容量而决定。

频率与负载电容特性如图 4所示，随振荡器的规格尺寸而不同。频率的精度随着振荡器尺寸的小型化，电容容量每 1pF 的频率敏感度将变高（曲线的倾斜变得急剧），因此受到每块基板的杂散容量不均的影响，频率容易变动。即振荡频率的偏移变大。

图 4 频率与负载电容特性

这种情况下晶体振荡电路的对策如下所示。

【对策】

图 5 为使用 CMOS IC 的、通常的晶体振荡电路。

图 5 振荡电路

通过改变此图中的栅极容量 CG、漏极容量 CD，可以调整振荡频率。因此，可采取以下方法：

①选择 CG、CD 的不均较小的电容；

②选择敏感度低的晶体振荡单元。

用上述观点选择部品，就能得到稳定的频率精度。KDS晶振公司产品使用自创核心技术，采用了既小型又能抑制敏感度和每个产品的不均的设计。使用这样的产品也是有效手段之一。

生产音叉振荡子时，KDS晶振没有采用生产中通常使用的机械加工方式，而是采用了具有 30 年历史与实际成果的光刻加工进化发展而成的核心技术，通过三维加工使晶体芯片的外形与电极的形成实现小型、高精度，精心设计使音叉型晶体振荡单元的特性达到最佳。

因此，能为客户提供具有以下特性的音叉型晶体振荡单元：

?使用晶片蚀刻工艺控制芯片形状的不均（抑制 CI 値、频率精度的不均）；

?音叉的振动臂上形成三维体槽，增大电极面积从而实现低 CI 值；

?进行精细加工生产更小型的产品。

使用上述核心技术，为您准备了能够尽量减少您的设计及品质等方面的风险的产品阵容。今后，KDS也将不断推进自身技术的进化，努力开发并提供更小型、更高性能的晶体元器件。

品牌	原厂代码	型号	尺寸	频率	负载	精度
KDS晶振	1C240000AB0G	DSX321G	3225mm	40.000MHZ	10PF	10PPM
KDS晶振	1C241600CDAA	DSX321G	3225mm	41.6MHZ	10PF	30PPM
KDS晶振	1N227000BB0AK	DSX321G	3225mm	27.000MHZ	11PF	12PPM
KDS晶振	1N230000AB0C	DSX321G	3225mm	30.000MHZ	10PF	30PPM
KDS晶振	1N240000AB0J	DSX321G	3225mm	40.000MHZ	15PF	15PPM
KDS晶振	1N227000EE0L	DSX321G	3225mm	27.000MHZ	9PF	50ppm
KDS晶振	1N226000AA0L	DSX321G	3225mm	26.000MHZ	7.5pf	10ppm
KDS晶振	1N226000AA0G	DSX321G	3225mm	26.000MHZ	12.5PF	10ppm
KDS晶振	1N226000AA0E	DSX321G	3225mm	26.000MHZ	8.1PF	10PPM
KDS晶振	1C228322EE0D	DSX321G	3225mm	28.322MHZ	10PF	50PPM
KDS晶振	1C254000CC0C	DSX321G	3225mm	54.000MHZ	10PF	30PPM
KDS晶振	1C319200AA0A	DSX321G	3225mm	19.200MHZ	8PF	10PPM
KDS晶振	1C338400AA0B	DSX321G	3225mm	38.400MHZ	10PF	10PPM
KDS晶振	1C227000BBAH	DSX321G	3225mm	27.000MHZ	11PF	12ppm
KDS晶振	1C208000CE0H	DSX321G	3225mm	8.000MHZ	10PF	30PPM
KDS晶振	1N226000AA0AE	DSX321G	3225mm	26.000MHZ	10PF	10PPM
KDS晶振	1N215974EE0B	DSX321G	3225mm	15.9744MHZ	8PF	50PPM
KDS晶振	1C216000CZ0B	DSX321G	3225mm	16.000MHZ	12PF	30PPM
KDS晶振	1C213225CC0B	DSX321G	3225mm	13.225625MHZ	12PF	30PPM
KDS晶振	1N224265ZZ0A	DSX321G	3225mm	24.265MHZ	12PF	16PPM
KDS晶振	1C216000EC0A	DSX321G	3225mm	16.000MHZ	10PF	50PPM
KDS晶振	1C224000CE0AK	DSX321G	3225mm	24.000MHZ	12PF	30PPM
KDS晶振	1C224545CE0A	DSX321G	3225mm	24.54545MHZ	8PF	30PPM
KDS晶振	1C225000BE0M	DSX321G	3225mm	25.000MHZ	10PF	20PPM
KDS晶振	1C232000AB0V	DSX321G	3225mm	32.000MHZ	6PF	10PPM
KDS晶振	1N232000AA0R	DSX321G	3225mm	32.000MHZ	7.3PF	10PPM
KDS晶振	1C216000CC0K	DSX321G	3225mm	16.000MHZ	8PF	30PPM
KDS晶振	1C224000EZ0B	DSX321G	3225mm	24.000MHZ	8PF	50PPM
KDS晶振	1N227000BB0N	DSX321G	3225mm	27.000MHZ	11PF	12PPM
KDS晶振	1C220000AB0B	DSX321G	3225mm	20.000MHZ	10PF	10PPM
KDS晶振	1C236864BD0A	DSX321G	3225mm	36.864MHZ	8PF	15PPM
KDS晶振	1N225400BC0D	DSX321G	3225mm	25.4MHZ	8PF	20PPM
KDS晶振	1N227000CC0BT	DSX321G	3225mm	27.000MHZ	8PF	30PPM
KDS晶振	1N233000EE0D	DSX321G	3225mm	33.000MHZ	8PF	50PPM
KDS晶振	1N233333BC0G	DSX321G	3225mm	33.333MHZ	8PF	20PPM
KDS晶振	1C316000AB0D	DSX321G	3225mm	16.000MHZ	8.7PF	8PPM
KDS晶振	1C211289EE0C	DSX321G	3225mm	11.2896MHZ	20PF	50PPM
KDS晶振	1C211600BB0A	DSX321G	3225mm	11.6MHZ	12PF	20PPM
KDS晶振	1C216000EE0B	DSX321G	3225mm	16.000MHZ	12PF	50PPM
KDS晶振	1C220000CK0K	DSX321G	3225mm	20.000MHZ	12PF	30PPM
KDS晶振	1C248000EE0BM	DSX321G	3225mm	48.000MHZ	8PF	50PPM
KDS晶振	1B326000BC0A	DSX321G	3225mm	26.000MHZ	10.3PF	15PPM
KDS晶振	1C316000AB0E	DSX321G	3225mm	16.000MHZ	8.7PF	8PPM
KDS晶振	1N226000AA0D	DSX321G	3225mm	26.000MHZ	8.8PF	10PPM
KDS晶振	1C208000EE0BL	DSX321G	3225mm	8.000MHZ	12PF	20PPM
KDS晶振	1C208000BC0R	DSX321G	3225mm	8.000MHZ	12PF	20PPM

下一篇：关于爱普生株式会社EPSON晶振X1A000141001100 上一篇：MICRO CRYSTAL新型RV-3032-C7包括最先进的石英数字温度补偿晶体振荡器

您好，欢迎踏入金洛鑫电子有限公司

金洛鑫电子

石英晶体振荡器小型化对其自身特性的影响及其对策1N226000AA0G

“推荐阅读”

相关晶振产品优势

最新资讯文章