2016小封装晶体,26M无源谐振器,E1SB晶振

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杭州鸿星电子有限公司于1979年成立，产品由专业电阻器、电容器制造厂，公元1991年于台湾投入石英晶体之研发制造、1991年开始于中国大陆拓展生产基地，至今拥有四处生产基地、九处营销及FAE据点及十个营销代表处。鸿星的核心精神：诚信负责、团队合作、专业创新、积极成长。HOSONIC以先进技术、优异质量、完善服务，成为晶体产业最具竞争优势的品牌。
优秀同仁是公司无价的资产，也是公司成长发展的伙伴，更是维系公司竞争力与创造价值的命脉。在以人为本，充分尊重人性的理念上，我们以沟通来达成共识，以相互尊重维系组织和谐气氛，创造适性的工作环境，让鸿星成为一个高度凝聚力的大家庭。我们要求同仁自我管理，并不断的成长进步，让员工有能力于工作，意愿于工作并满意于工作，鼓励员工去达成公司指定的目标。

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鸿星晶振,石英晶振,E1SB晶振.2016mm封装四脚SMD型的晶振,可以说是目前小型数码产品的福音,目前超小型的智能手机里面所应用的就是小型的石英晶振,该产品最适用于无线通讯系统,无线局域网,具备优良的耐环境特性及高耐热性强.满足无铅焊接的回流温度曲线要求.
鸿星石英晶振曲率半径加工技术：石英晶体谐振器晶片在球筒倒边加工时应用到的加工技术，主要是研究满足不同曲率半径石英晶振晶片设计可使用的方法。如：1、是指球面加工曲率半径的工艺设计（ a、球面的余弦磨量； b、球面的均匀磨量；c、球面加工曲率半径的配合）2、在加工时球面测量标准的设计原则（曲率半径公式的计算）。

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鸿星晶振	单位	E1SB晶振	石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	16.000MHZ~62.200MHZ	标准频率
储存温度	T_stg	-55°C~+125°C	裸存
工作温度	T_use	-30°C ~+85°C	标准温度
激励功率	DL	50μW Max.	推荐:1μW ～ 100μW
频率公差	f_— l	±10 × 10^-6(标准), (±10 × 10^-6~±30 × 10^-6可用)	+25°C 对于超出标准的规格说明, 请联系我们以便获取相关的信息, http://www.quartzcrystal.cn/
频率温度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-30°C ~+85°C	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	8pF~16pF	不同负载电容要求,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C,DL = 100μW
频率老化	f_age	±2× 10^-6/ year Max.	+25°C,第一年

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E1SB(Former HCX-1AB) 2016

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操作
请勿用镊子或任何坚硬的工具，夹具直接接触IC的表面。
使用环境（温度和湿度）
请在规定的温度范围内使用进口晶振。这个温度涉及本体的和季节变化的温度。在高湿环境下，会由于凝露引起故障。请避免凝露的产生。
晶体单元/谐振器
激励功率
在晶体单元上施加过多驱动力，会导致无源晶振特性受到损害或破坏。电路设计必须能够维持适当的激励功率（请参阅“激励功率”章节内容）。
负极电阻
除非振荡回路中分配足够多的负极电阻，否则振荡或振荡启动时间可能会增加（请参阅“关于振荡”章节内容）。
负载电容
振荡电路中负载电容的不同，可能导致SMD晶振振荡频率与设计频率之间产生偏差。试图通过强力调整，可能只会导致不正常的振荡。在使用之前，请指明该振动电路的负载电容（请参阅“负载电容”章节内容）。鸿星晶振,石英晶振,E1SB晶振