ILSI晶振,贴片晶振,ILCX04晶振,无源贴片晶振

普通石英晶振,外观完全使用金属材料封装的,产品本身采用全自动石英晶体检测仪,以及跌落,漏气等苛刻实验.产品本身具有高稳定性,高可靠性的石英晶体谐振器,焊接方面支持表面贴装,外观采用金属封装,具有充分的密封性能,晶振本身能确保其高可靠性,采用编带包装,可对应产品应用到自动贴片机告诉安装,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.

ILSI America成立于1987年，总部位于加州科斯塔梅萨。当时的商业模式很简单，成为石英晶体谐振器和时钟振荡器的供应商，以支持北美频率控制市场,在随后的29年中，随着全球频率控制产品市场需求呈指数级增长和全球化，ILSI通过有机增长和收购应对不断变化的市场和客户群。
1995年，ILSI北京中国办事处开业。1998年，ILSI晶振美国公司搬迁到它现在的位置，这是一个位于内华达州里诺的10,000平方英尺的世界总部。1999年，ILSI香港中海物流中心开业。2007年ILSI韩国办事处的开业完成了我们在美国和亚洲提供真正实体店的目标，这些实体由直接员工提供，以支持我们在北美，墨西哥，亚洲和欧洲快速增长的客户群。

ILSI晶振,贴片晶振,ILCX04晶振,无源贴片晶振,贴片石英晶体,体积小,焊接可采用自动贴片系统,产品本身小型,表面贴片晶振,特别适用于有小型化要求的电子数码产品市场领域,因产品小型,薄型优势,耐环境特性,包括耐高温,耐冲击性等,在移动通信领域得到了广泛的应用,晶振产品本身可发挥优良的电气特性,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.
石英晶振真空退火技术：晶振高真空退火处理是消除贴片晶振在加工过程中产生的应力及轻微表面缺陷。在PLC控制程序中输入已设计好的温度曲线，使真空室温度跟随设定曲线对晶体组件进行退火，石英晶振通过合理的真空退火技术可提高晶振主要参数的稳定性，以及提高石英晶振的年老化特性。32.768KSMD谐振器,超小体积2012晶振,KX-327RF晶振

ILSI晶振	单位	ILCX04晶振	石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	6~150MHZ	标准频率
储存温度	T_stg	-40°C~+85°C	裸存
工作温度	T_use	-0°C~+70°C	标准温度
激励功率	DL	100μW Max.	推荐:100μW
频率公差	f_— l	±30× 10-6	+25°C对于超出标准的规格说明, 请联系我们以便获取相关的信息,http://www.quartzcrystal.cn/
频率温度特征	f_tem	±50× 10-6/-30°C~+85°C	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	18PF	不同负载电容要求,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C~+85°C,DL = 100μW
频率老化	f_age	±5× 10-6/year Max.	+25°C,第一年

我们可以改善的频率输出的偏差超过范围由以下几个方法：调整外部电容，Cd和CG的值。 如果由频率计数器测量频率比目标频率高，要增加外部电容CL（或Cd以及C 8的值），以降低频率到我们的目标频率，反之亦然。可以采用不同负载电容（CL）的晶振试用。 试用石英贴片晶振具有较低电容若频率比目标频率超高很多的话。请检查波形幅度是否是正常或不使用示波器，正确的电容是通过和频率调节到目标之后。根据该波形振幅收缩，由于增加外部电容，请使用方法2调整频率（较低的外部电容，并采用低电容的晶体）的情况。频率输出频率的目标只有三分之一。下面的曲线表示晶体的电阻的特征：ILSI晶振,贴片晶振,ILCX04晶振,无源贴片晶振

负载电容:如果振荡电路中负载电容的不同，可能导致普通款石英7050晶振振荡频率与设计频率之间产生偏差，如下图所示。电路中的负载电容的近似表达式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。其中CS表示电路的杂散电容。ILSI晶振,贴片晶振,ILCX04晶振,无源贴片晶振

测试条件:(1)电源电压:超过 150µs，直到电压级别从 0 %达到 90 % 。电源电压阻抗低于电阻 2Ω。(2)其他:输入电容低于 15 pF5倍频率范围或更多测量频率。铅探头应尽可能短。测量进口7050mm晶振频率时，探头阻抗将高于 1MΩ。当波形经过振荡器的放大器时，可同时进行测量。(3)其他:CL包含探头电容。应使用带有小的内部阻抗的电表。使用微型插槽，以观察波形。（请勿使用该探头的长接地线）.

谐振腔的形式模式，但泛音振荡或基波。振荡开始代替。在进口无源SMD晶体基本谐振的情况下（MHz频段）反馈电阻通常是1米?。在泛音谐振器（兆赫频带）的情况下，值取决于IC和频率特性，但在几个范围内。K?-?几十K。在音叉式谐振器的案例（kHz频段），需要连接一个电阻10米或更?。限制流入谐振器的电流，调节负电阻和励磁。电平，防止谐振腔的反常振荡，抑制频率波动。C1、C2电容器调节负电阻、励磁电平和振荡频率。还设置有给定负载能力。
适当的控制电阻值（RD）取决于的类型，频带和设备的价值。电容器（C1，C2）。精确值是通过7050体积SMD谐振器测量振荡电路的特性来确定的（包括负电阻和驱动级）。AT切割谐振器（兆赫频带）的参考值在几个范围内。?几K?。音叉式谐振器（kHz频段）的参考值在100 K?几K?范围。安装电容器的适当值取决于谐振器的类型、频带、控制电阻器的值和振荡的顺序，在3 pF的范围内- 33 pF左右，仅供参考。32.768KSMD谐振器,超小体积2012晶振,KX-327RF晶振