大真空晶体,DT-26插件圆柱晶体,1TD125BHNS001晶振,KDS大真空晶振以优良的产品迅速占领了中国市场,KDS品牌以在国内电子元件中深入民心,KDS晶振以专业化系统在全国各地的工厂生产.KDS以高超的生产技术,一流的生产设备,KDS晶振产品价格 “更便宜,更快,更好的产品”,节省劳动力,自动化生产设施的优势,以满足交货时间和需求是你选择KDS品牌最佳的或者伙伴.
大真空晶体,DT-26插件圆柱晶体,1TD125BHNS001晶振,KDS还拥有遍布全球的销售网络,另外在大陆地区有极少数的代理商.深圳市金洛电子有限公司是其较早的代理,该司在上海、深圳、苏州和香港以及美国等地设有办事机构,能快速准确的为客户提供高品质的KDS产品以及优质的服务,在行业内有一定的知名度.自从1993年在天津投产以来,技术更新从未间断,从最初的32.768K晶振为主,到现在以小体积贴片石英晶振,石英晶体振荡器为主,体积已经是全世界OSC振荡器之中最小的.
大真空晶体,DT-26插件圆柱晶体,1TD125BHNS001晶振,石英晶振多层、多金属的溅射镀膜技术:是目前研发及生产高精度、高稳定性石英晶体元器件——石英晶振必须攻克的关键技术之一。石英晶振该选用何镀材、镀几种材料、几种镀材的镀膜顺序,镀膜的工艺方法(如各镀材的功率设计等)。使用此镀膜方法使镀膜后的晶振附着力增强,贴片晶振频率更加集中,能控制在最小ppm之内。
| 項目 | 型名 | DT-38 | DT-381 | DT-26 | DT-261 | |||||||||||
| 周波数範囲 |
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32.768kHz |
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| 負荷容量 |
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12.5pF | ||||||||||||||
| 励振レベル |
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1.0μW(2.0μWmax.) | ||||||||||||||
| 周波数許容偏差 |
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±10×10−6(at25℃) | ||||||||||||||
| 直列抵抗 |
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30kΩmax.(2) | 40kΩmax.(2) | |||||||||||||
| 頂点温度 |
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+25℃±5℃ | ||||||||||||||
| 二次温度係数 |
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−0.04×10−6/℃2max. | ||||||||||||||
| 動作温度範囲 |
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−10~+60℃ | ||||||||||||||
| 保存温度範囲 |
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−20~+70℃ | ||||||||||||||
| 並列容量 |
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1.3pFtyp. | (2) | 1.1pFtyp. |
(2) |
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1.电源旁路电容在使用晶振时应注意以下事项:
1:抗冲击抗冲击是指晶振产品可能会在某些条件下受到损坏.例如从桌上跌落,摔打,高空抛压或在贴装过程中受到冲击.如果产品已受过冲击请勿使用.因为无论何种石英贴片晶振,其内部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都会给晶振照成不良影响.
2:辐射
将贴片晶振暴露于辐射环境会导致产品性能受到损害,因此应避免阳光长时间的照射.大真空晶体,DT-26插件圆柱晶体,1TD125BHNS001晶振.
3:化学制剂 / pH值环境
请勿在PH值范围可能导致腐蚀或溶解石英晶振或包装材料的环境下使用或储藏这些产品.
4:粘合剂
请勿使用可能导致贴片石英晶振所用的封装材料,终端,组件,玻璃材料以及气相沉积材料等受到腐蚀的胶粘剂.(比如,氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶振的金属“盖”,从而破坏密封质量,降低性能.)
5:卤化合物
请勿在卤素气体环境下使用晶振.即使少量的卤素气体,比如在空气中的氯气内或封装所用金属部件内,都可能产生腐蚀.同时,请勿使用任何会释放出卤素气体的树脂.
6:静电
过高的静电可能会损坏贴片晶振,请注意抗静电条件.请为容器和封装材料选择导电材料.在处理的时候,请使用电焊枪和无高电压泄漏的测量电路,并进行接地操作.
设计振荡回路的注意事项
1.驱动能力
驱动能力说明石英晶振单元所需电功率,其计算公式如下:
驱动能力 (P) = i2_Re
其中i表示经过晶体单元的电流,
Re表示晶体单元的有效电阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。
2.振荡补偿
除非在振荡电路中提供足够的负极电阻,否则会增加振荡启动时间,或不发生振荡。为避免该情况发生,请在电路设计时提供足够的负极电阻。
3.负载电容
如果振荡电路中负载电容的不同,可能导致KDS晶振振荡频率与设计频率之间产生偏差,如下图所示。电路中的负载电容的近似表达式 CL≒CG×CD/(CG+CD)+CS。
其中CS表示电路的杂散电容。
频率和负载电容特征图器





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