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XO75LVD1-312M500-B25B3,Fortiming晶振,6G低功耗差分振荡器

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产品简介

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产品详情

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XO75LVD1-312M500-B25B3,Fortiming晶振,6G低功耗差分振荡器特点:

-符合RoHS标准(无铅),LVDS兼容信号

-固有低功率和低电磁干扰发射

-极低相位抖动,无内部锁相环,避免级联锁相环问题

-免费输出,三状态启用/禁用标准,7x5x2 mm SMD封装

高端数码电子谐振器,8045陶瓷壳2P晶振,NX8045GE晶振

XO75LVD1-312M500-B25B3,Fortiming晶振,6G低功耗差分振荡器格表

项目 规格说明
额定频率 312.5MHz
输入电压 +3.3 VDC ±10%
输入电流 80 mA Maximum
储存温度 -55°C to 125°C
总体频率稳定性 ±25 ppm
工作温度 -40℃~ +85℃
标准稳定常数 50A = ±50 ppm / 0°C to 70°C
电动选项(对称) Tristate 55/45%
输出负载 100 Ohms
逻辑“1”级/逻辑“0”级 1.43V Typ / 1.10V Typ
上升/下降时间(Tr/Tf) 1.0 ns Maximum at 20% to 80% Vp-p
启动时间 5ms Maximum
相位抖动(RMS, 1 Sigma) 1.6ps Typical forfj= 12KHz to 20MHz, at 622.080 MHz
高端数码电子谐振器,8045陶瓷壳2P晶振,NX8045GE晶振

XO75LVD1-312M500-B25B3,Fortiming晶振,6G低功耗差分振荡器尺寸图

XO75LVD1

XO75LVD1-1

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