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Statek晶振,贴片晶振,CX11L晶振,石英SMD谐振器

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产品简介

超小型,薄型,质地轻的表面贴片音叉型晶体谐振器,手机晶体,产品体积小,特别适用于各种小巧的便携式消费电子数码产品,在移动通信领域得到了广泛的应用,晶振产品本身可发挥优良的电气特性,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.

产品详情

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Statek国际晶振集团环保基本理念:1.作为良好的企业市民,遵循本公司的行动方针,充分关心维护地球环境.遵守国内外的有关环保法规.2.保护自然环境,充分关注自然生态等方面的环境保护,维持和保全生物多样性.3.有效利用资源和能源,认识到资源和能源的有限性,努力进行有效利用.4为构建循环型社会做出贡献,致力于减少温补晶振,石英晶体振荡器, 压电石英晶体元器件、压电石英晶体、有源晶体、石英晶振,贴片晶振材料的废弃物及废弃物的再利用核再生循环,努力构建循环型社会.
Statek晶振公司是设计和制造高可靠性频率控制产品的领导者,它宣布了DFXO石英晶体振荡器的发布。微分输出石英晶体振荡器可用LVDS和LVPECL输出。这5毫米x7毫米高频(20 MHz到300mhz)振荡器的特点是低相位噪声和低相位抖动,达到155.52 MHz的基本晶体频率。适用于Xilinx FPGA参考时钟应用。提出了扩展工业温度范围(-40°C + 105°C)。内部解耦电容;不需要外部电容器。

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Statek-1

Statek晶振,贴片晶振,CX11L晶振,石英SMD谐振器,贴片石英晶体,体积小,焊接可采用自动贴片系统,产品本身小型,表面贴片晶振,特别适用于有小型化要求的电子数码产品市场领域,因产品小型,薄型优势,耐环境特性,包括耐高温,耐冲击性等,在移动通信领域得到了广泛的应用,晶振产品本身可发挥优良的电气特性,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.
超小型、超低频石英晶振晶片的边缘处理技术:是超小型、超低频石英晶振晶体元器件研发及生产必须解决的技术问题,为压电石英晶体行业的技术难题之一。具体解决的办法是使用高速倒边方式,通过结合以往低速滚筒倒边去除晶振晶片的边缘效应,在实际操作中机器运动方式设计、滚筒的曲率半径、滚筒的长短、使用的研磨砂的型号、多少、填充物种类及多少等各项设计必须合理,有一项不完善都会使石英晶振晶片的边缘效应不能去除,而石英晶振晶片的谐振电阻过大,用在电路中Q值过小,从而电路不能振动或振动不稳定。

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RB-2

STATEK晶振

单位

CX11L晶振

石英晶振基本条件

标准频率

f_nom

16~26.5MHZ

标准频率

储存温度

T_stg

-55°C~+125°C

裸存

工作温度

T_use

-10°C~+125°C

标准温度

激励功率

DL

200μW Max.

推荐:200μW

频率公差

f_— l

±100 × 10-6(标准),

+25°C对于超出标准的规格说明,
请联系我们以便获取相关的信息,http://www.quartzcrystal.cn/

频率温度特征

f_tem

±30 × 10-6/-55°C~+200°C

超出标准的规格请联系我们.

负载电容

CL

10pF

不同负载要求,请联系我们.

串联电阻(ESR)

R1

如下表所示

-55°C — +200°C,DL = 100μW

频率老化

f_age

±3× 10-6/ year Max.

+25°C,第一年

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CX11L 10188 3215

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RB-4

耐焊性:将晶振加热包装材料至+150°C以上会破坏产品特性或损害产品。如需在+150°C以上焊接石英晶振,建议使用SMD晶振产品。在下列回流条件下,对石英晶振产品甚至SMD贴片晶振使用更高温度,会破坏晶振特性。建议使用下列配置情况的回流条件。安装这些贴片晶振之前,应检查焊接温度和时间。同时,在安装条件更改的情况下,请再次进行检查。如果需要焊接的晶振产品在下列配置条件下进行焊接,请联系我们以获取耐热的相关信息。Statek晶振,贴片晶振,CX11L晶振,石英SMD谐振器
晶振产品使用每种产品时,请在石英进口晶振规格说明或产品目录规定使用条件下使用。因很多种晶振产品性能,以及材料有所不同,所以使用注意事项也有所不同,比如焊接模式,运输模式,保存模式等等,都会有所差别。
晶振产品的设计和生产直到出厂,都会经过严格的测试检测来满足它的规格要求。通过严格的出厂前可靠性测试以提供高质量高的可靠性的无源SMD晶振.但是为了石英晶振的品质和可靠性,必须在适当的条件下存储,安 装,运输。请注意以下的注意事项并在最佳的条件下使用产品,我们将对于客户按自己的判断而使用石英晶振所导致的不良不负任何责任。

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此外,振荡频率与测量点不同。1。测量缓冲输出2。振荡级输出测量三.通过无源贴片晶振电容器测量振荡级输出图5示出以上1-3个测量点和所测量的除缓冲器输出外,振荡频率较低。Statek晶振,贴片晶振,CX11L晶振,石英SMD谐振器

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驱动能力:驱动能力说明小体积陶瓷面晶振振荡晶体单元所需电功率,其计算公式如下:驱动能力 (P) = i2?Re其中i表示经过晶体单元的电流,Re表示晶体单元的有效电阻,而且Re=R1(1+Co/CL).

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晶体谐振腔的形式模式,但泛音振荡或基波。振荡开始代替。在基本谐振的情况下(MHz频段)反馈电阻通常是1米?。在泛音谐振器(兆赫频带)的情况下,值取决于IC和频率特性,但在几个范围内。K?-?几十K。在3215石英晶体谐振器的案例(kHz频段),需要连接一个电阻10米或更?。限制流入谐振器的电流,调节负电阻和励磁。电平,防止谐振腔的反常振荡,抑制频率波动。C1、C2电容器调节负电阻、励磁电平和振荡频率。还设置有给定负载能力。
适当的控制电阻值(RD)取决于晶体谐振器的类型,频带和设备的价值。电容器(C1,C2)。精确值是通过测量振荡电路的特性来确定的(包括负电阻和驱动级)。AT切割谐振器(兆赫频带)的参考值在几个范围内。?几K?。音叉式谐振器(kHz频段)的参考值在100 K?几K?范围。安装电容器的适当值取决于谐振器的类型、频带、控制电阻器的值和振荡的顺序,在3 pF的范围内- 33 pF左右,仅供参考。

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