IDT晶振,差分晶振,XLL晶振

IDT为高性能的网络通信应用提供了广泛的解决方案。IDT领先的串行RapidIO®,PCI Express®,电源管理,和先进的时机解决方案包括网络同步产品超越竞争,使客户开发最先进的系统。IDT积极提高产品和包装，以产生最快、最可靠的设备。然而，由于IDT晶振产品性能往往受到其实现的影响，因此建议仔细考虑影响设备运行温度的因素，以达到最好的效果。
在IDT，我们认为作为一个行业领导者，我们在解决我们星球上一些最伟大的社会和环境挑战方面发挥了关键作用。IDT致力于通过网站运营和产品开发，持续改进作为一个全球性的组织。IDT是为4G、5G和云计算等无线基础设施应用而设计的高性能的领先创新者。解决方案包括行业领先的射频信号链产品,串行RapidIO®,和先进的时机。

IDT晶振,差分晶振,XLL晶振.是5.0*3.2*1.1mm的LVDS晶体振荡器，具有超过12kHz至20 MHz带宽的0.89ps典型相位抖动。在宽频率范围为0.750MHz至1350MHz的情况下，IDT XLL系列晶体振荡器采用一系列专有ASIC，主要关注降噪技术。三阶Delta Sigma调制器将噪声降低到与传统 散装石英和SAW振荡器。交货期短，成本低，噪音低，频率范围宽，环境性能优异，XLL是传统技术的绝佳选择。 XLL具有±20ppm的稳定性，标准和定制频率的交付极快。

抗冲击
贴片晶振可能会在某些条件下受到损坏。例如从桌上跌落或在贴装过程中受到冲击。如果产品已受过冲击请勿使用。IDT晶振,差分晶振,XLL晶振
辐射
暴露于辐射环境会导致差分振荡器性能受到损害，因此应避免照射。
化学制剂 / pH值环境
请勿在PH值范围可能导致腐蚀或溶解进口晶振或包装材料的环境下使用或储藏这些产品。
粘合剂
请勿使用可能导致SMD晶振所用的封装材料，终端，组件，玻璃材料以及气相沉积材料等受到腐蚀的胶粘剂。 （比如，氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶体单元的金属“盖”，从而破坏密封质量，降低性能。）
卤化合物
请勿在卤素气体环境下使用有源晶振。即使少量的卤素气体，比如在空气中的氯气内或封装所用金属部件内，都可能产生腐蚀。同时，请勿使用任何会释放出卤素气体的树脂。
静电
过高的静电可能会损坏差分石英晶体振荡器，请注意抗静电条件。请为容器和封装材料选择导电材料。在处理的时候，请使用电焊枪和无高电压泄漏的测量电路，并进行接地操作。

设计振荡回路的注意事项
1.驱动能力
驱动能力说明5032贴片晶振单元所需电功率，其计算公式如下：
驱动能力 (P) = i2?Re
其中i表示经过晶体单元的电流，
Re表示晶体单元的有效电阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。

2.振荡补偿
除非在LVDS晶振振荡电路中提供足够的负极电阻，否则会增加振荡启动时间，或不发生振荡。为避免该情况发生，请在电路设计时提供足够的负极电阻。

3. 负载电容
如果振荡电路中负载电容的不同，可能导致差分石英晶振振荡频率与设计频率之间产生偏差，如下图所示。电路中的负载电容的近似表达式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。
其中CS表示电路的杂散电容。IDT晶振,差分晶振,XLL晶振

频率和负载电容特征图器

振荡回路参数设置参考