富通晶振,VC75A-48M000-ABB3,7050mm压控晶振,6G基站晶振

产品简介

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产品详情

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富通晶振,VC75A-48M000-ABB3,7050mm压控晶振,6G基站晶振特点：

-符合RoHS标准(无铅)，宽频率拉拔范围

-极低相位抖动与基本晶体设计,5 VDC或3.3 VDC选项

-无铅芯片载体(LCC)超小型封装与行业事实上的标准足迹

-可选在引脚#2 (VC75A)或引脚#5 (VC75B)上启用/禁用控制

高端数码电子谐振器,8045陶瓷壳2P晶振,NX8045GE晶振

富通晶振,VC75A-48M000-ABB3,7050mm压控晶振,6G基站晶振规格表

项目	规格说明
额定频率	48MHz
输入电压	+5.0 VDC ±5%
输入电流	30 mA Maximum
储存温度	-55°C to 125°C
频率稳定度/ APR (Min)	±25 / ±50 ppm
工作温度	-40℃~ +85℃
占空比	Tristate 55/45% symmetry
输出负载	HCMOS: drive up to 15 pF load; TTL: drive up to 10 TTL gates
逻辑“1”/逻辑“0”电平	0.9Vcc Minimum / 0.1Vcc Maximum
上升/下降时间(Tr/Tf)	5 ns Maximum at 20% to 80% Vp-p
启动时间	10 ms Maximum
相位抖动(RMS, 1 Sigma)	1 ps Maximum for fj > 1kHz; 0.4 ps Typical for fj = 12KHz to 20MHz
启用/禁用时间	Enable: 2 ms Max; Disable: 200 ns Max