 
	  Diodes 公司总部及美洲销售办公室位于美国德州普拉诺 (Plano) 与加州米尔皮塔斯 (Milpitas)。设计、营销与工程中心位于普拉诺、米尔皮塔斯、台湾台北;台湾桃园市、台湾竹北市、英国曼彻斯特及德国纽豪斯 (Neuhaus)。Diodes 的晶圆生产设施位于密苏里州堪萨斯市及曼彻斯特,另外在中国上海亦设有一座生产设施。该公司生产设施已达到 QS-9000、ISO-9001:2008、TS16949:2002 及 ISO 14001 认证的品质奖。Diodes 公司目前拥有 C-TPAT 认证。
   Diodes 的产品包括二极管、整流器、晶体管、MOSFET、保护装置、特定功能数组、单闸极逻辑、放大器与比较器、霍尔效应与温度传感器、电源管理装置 (包括 LED 驱动器)、AC-DC 转换器与控制器、DC-DC 开关与线性稳压器,以及电压参考与特殊功能装置 (例如 USB 电源开关、负载开关、电压监控器及马达控制器)。
	 
 
	 
 
	百利通亚陶晶振,6035贴片晶体,F6晶振.小型表面贴片晶振型,是标准的石英晶体谐振器,适用于宽温范围的电子数码产品,家电电器及MP3,MP4,播放器,单片机等领域.可对应6.000MHz以上的频率,在电子数码产品,以及家电相关电器领域里面发挥优良的电气特性,满足无铅焊接的回流温度曲线要求.
   百利通亚陶石英晶振多层、多金属的溅射镀膜技术:是目前研发及生产高精度、高稳定性石英晶体元器件——石英晶振必须攻克的关键技术之一。石英晶振该选用何镀材、镀几种材料、几种镀材的镀膜顺序,镀膜的工艺方法(如各镀材的功率设计等)。使用此镀膜方法使镀膜后的晶振附着力增强,贴片晶振频率更加集中,能控制在最小ppm之内。
	 
 
	 
| 亚陶晶振 | 单位 | F6晶振 | 石英晶振基本条件 | 
| 标准频率 | f_nom | 6.000MHz~125.000MHz | 标准频率 | 
| 储存温度 | T_stg | -55°C ~+125°C | 裸存 | 
| 工作温度 | T_use | -40°C~+85°C | 标准温度 | 
| 激励功率 | DL | 100μW Max. | 推荐:1μW ~ 100μW | 
| 频率公差 | f_— l | 
						±10× 10-6(标准), | 
						+25°C 对于超出标准的规格说明, | 
| 频率温度特征 | f_tem | ±30/ ±530× 10-6/-40°C ~+85°C | 超出标准的规格请联系我们. | 
| 负载电容 | CL | 8pF~32pF | 不同负载电容要求,请联系我们. | 
| 串联电阻(ESR) | R1 | 如下表所示 | -40°C ~ +85°C,DL = 100μW | 
| 频率老化 | f_age | ±3× 10-6/ year Max. | +25°C,第一年 | 
	 
	 
	 
	 
	 
	超声波清洗
 (1)使用AT-切割晶体和表面声波(SAW)谐振器/声表面滤波器的产品,可以通过超声波进行清洗。但是,在某些条件下, 晶体特性可能会受到影响,而且内部线路可能受到损坏。确保已事先检查系统的适用性。
 (2)使用音叉晶体和陀螺仪传感器的产品无法确保能够通过超声波方法进行清洗,因为晶体可能受到破坏。
 (3)请勿清洗开启式产品
 (4)对于可清洗产品,应避免使用可能对石英水晶谐振器产生负面影响的清洗剂或溶剂等。
 (5)焊料助焊剂的残留会吸收水分并凝固。这会引起诸如位移等其它现象。这将会负面影响晶振的可靠性和质量。请清理残余的助焊剂并烘干PCB。
操作
  请勿用镊子或任何坚硬的工具,夹具直接接触IC的表面。
使用环境(温度和湿度)
  请在规定的温度范围内使用耐高温晶振。这个温度涉及本体的和季节变化的温度。在高湿环境下,会由于凝露引起故障。请避免凝露的产生。
激励功率
  在晶体单元上施加过多驱动力,会导致石英晶振特性受到损害或破坏。电路设计必须能够维持适当的激励功率 (请参阅“激励功率”章节内容)。
	 
	 
	1、振荡电路
晶体谐振器是无源元件,因此受到电源电压、环境温度、电路的影响。
配置、电路常数和衬底布线模式等操作大致分为正常运行和
异常运行。因此,在振荡电路的设计中,先决条件之一是如何确定振荡电路。
晶体谐振器的振动安全稳定。只有在做出了这个决定之后,后续的项目,例如
讨论了频率精度、频率变化、调制度、振荡起始时间和振荡波形。
2。角色的分量与参考值
在振荡电路的设计中,必须认识到个体的作用。
组件.在表1中,以例如振荡电路为例来描述角色。
(图1)使用一个通用的C-MOS IC(74hcuo4ap东芝)。
当反馈电阻(rf)未安装在振荡电路中时,如图所示
表1,即使在振荡功率作用下,谐振器也不会启动振荡。
电路。除非有适当值的电阻器连接,否则振荡不会启动。
	 
	晶体谐振腔的形式模式,但泛音振荡或基波。
振荡开始代替。在基本谐振的情况下(MHz频段)反馈电阻通常是1米?。在
泛音谐振器(兆赫频带)的情况下,值取决于IC和频率特性,但在几个范围内。
K?-?几十K。在音叉式谐振器的案例(kHz频段),需要连接一个电阻10米或更?。
	 
	限制流入谐振器的电流,调节负电阻和励磁。
电平,防止谐振腔的反常振荡,抑制频率波动。
C1、C2电容器调节负电阻、励磁电平和振荡频率。还设置有
给定负载能力。
适当的控制电阻值(RD)取决于谐振器的类型,频带和设备的价值。
电容器(C1,C2)。精确值是通过测量振荡电路的特性来确定的(包括
负电阻和驱动级)。AT切割谐振器(兆赫频带)的参考值在几个范围内。
?几K?。音叉式谐振器(kHz频段)的参考值在100 K?几K?范围。
安装电容器的适当值取决于谐振器的类型、频带、控制电阻器的值和
振荡的顺序,在3 pF的范围内- 33 pF左右,仅供参考。
 
		

 
 
                         Abracon晶振,贴片晶振,ABM7晶振
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西铁城晶振,贴片晶振,CS10晶振 加高晶振,贴片晶振,HSX630G晶振,SMD石英晶振
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