IDT领先的串行RapidIO®,PCI Express®,电源管理,和先进的时机解决方案包括网络同步产品超越竞争,使客户开发最先进的系统。IDT以其有源晶振和行业领先的时间组合来处理汽车应用。IDT在德国的全资子公司- IDT欧洲有限公司(前身为ZMD AG)运营其卓越的汽车中心。本公司卓越的子公司/中心是ts - 16949,根据iso26262的标准,支持功能性安全要求。
由于微电子器件的功率耗散,热能的管理很重要,可以从任何电子产品中获得最好的性能。一种微电子设备的工作温度决定了石英晶体振荡器产品的速度和可靠性。IDT开发了与数字系统相结合的半导体解决方案,例如处理器和内存,彼此之间,以及物理世界。在IDT,我们认为作为一个行业领导者,我们在解决我们星球上一些最伟大的社会和环境挑战方面发挥了关键作用。
IDT晶振,XO晶振,8N4Q001晶振.采用小型无铅(RoHS 6)10引脚陶瓷5mm x 7mm x 1.55mm封装封装。除了由FSEL0和FSEL1引脚设置的四个默认上电频率之外,IDT8N4Q001可以通过I2C接口进行编程,以15.476MHz至866.67MHz和975MHz至1,300MHz之间的时钟频率输出,具有非常高的精确度频率步长为435.9Hz÷N(N为PLL输出分频器)。
由于FSEL0和FSEL1引脚被映射到四个独立的PLL分频器寄存器(P,MINT,MFRAC和N),因此支持在FSEL0和FSEL1控制下将这些寄存器重新编程到其他频率。扩展的温度范围支持无线基础设施,电信和网络终端设备要求。
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IDT晶振 |
标示 |
8N4Q001晶振 |
晶振基本信息对照表 |
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标准范围 |
f0 |
15.476MHz~1300.000MHz |
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電源電圧 |
Vcc |
+2.5V、+2.8V、+3.3V |
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输出电流 |
Icc |
3.5 mA max. |
Vcc=3.3V |
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频率负载 |
L_CMOS |
15pF |
CMOS出力 |
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标准频率偏差 |
f_tol |
±10×10-6 max.
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初期偏差、 |
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输出电压 |
V |
VOH:Vcc×90% min.VOL:Vcc×10% max. |
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对称 |
SYM |
40%~60% |
50% Vcc |
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标准时间 |
tr/tf |
12 ns max.(1.8~80MHz) |
10%Vcc~90%、L_CMOS=15pF |
噪音
在电源或输入端上施加执行级别(过高)的不相干(外部的)噪音,可能导致会引发功能失常或击穿的闭门或杂散现象。IDT晶振,XO晶振,8N4Q001晶振
电源线路
电源的线路阻抗应尽可能低。
输出负载
建议将输出负载安装在尽可能靠近石英晶体振荡器的地方(在20 mm范围之间)。
未用输入终端的处理
未用针脚可能会引起噪声响应,从而导致非正常工作。同时,当P通道和N通道都处于打开时,电源功率消耗也会增加;因此,请将未用输入终端连接到VCC 或GND。
热影响
重复的温度巨大变化可能会降低受损害的SMD振荡器的产品特性,并导致塑料封装里的线路击穿。必须避免这种情况。
安装方向
进口晶体振荡器的不正确安装会导致故障以及崩溃,因此安装时,请检查安装方向是否正确。
通电
不建议从中间电位和/或极快速通电,否则会导致六脚有源晶振无法产生振荡和/或非正常工作。
输出波形与测试电路
1.时序表
2.测试条件
(1)电源电压
超过 150µs,直到电压级别从 0 %达到 90 % 。
电源电压阻抗低于电阻 2Ω。IDT晶振,XO晶振,8N4Q001晶振
(2)其他
输入电容低于 15 pF
5倍频率范围或更多测量频率。
铅探头应尽可能短。
测量频率时,探头阻抗将高于 1MΩ。当波形经过振荡器的放大器时,可同时进行测量。
(3)其他
CL包含探头电容。
应使用带有小的内部阻抗的电表。
使用微型插槽,以观察波形。
(请勿使用该探头的长接地线。)
3.测试电路




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