全球咨询热线 : 0755-27837162

首页 新闻动态

IDT有源晶体代码XLH335024.000000X与MEMS系列对比结论

2019-10-15 10:54:59 

IDT有源晶体代码XLH335024.000000XMEMS系列对比结论

美国Integrated Device Technology,Inc.公司总部位于加州圣何塞市,1980年才成立的石英晶振,MEMS晶振,时钟时序,存储器/逻辑,接口/连接,电源管理,传感器,RF,无线电源等电子产品制造商.其核心的技术是频率控制、RF、高性能定时、存储接口、实时互联、光互联、无线电源、及智能传感器.IDT晶振在行业里具有不错的口碑和知名度,IDT公司虽然不是专门只做频率元件的,但是这个模块的产品却成功销往世界范围内的50多个国家.

XLH335024.000000XIDT公司旗下一款有源晶体的原厂代码,近年来在网络上出现得比较频繁,因为现在大多数客户,都习惯使用编码或者代码来咨询供应商订购.这条代码的组合方式相对来说算是比较简单的,开关的字母代表的是系列型号,后面的24.0000则指的是频率,其他主要参数如电源电压,输出逻辑,频率稳定度等都是用后面的数字和字母表示.

IDT有源晶体代码XLH335024.000000X与MEMS系列对比结论

IDT提供石英晶体振荡器(XO)FemtoClock®NG可编程振荡器IC,可满足几乎任何应用的需求.XLXAXUXFXP系列晶体振荡器产品属于高性能、低抖动时钟源,具有低至120fs的典型RMS相位抖动,可提供各种频率、性能等级、输出类型、稳定性、输入电压、封装、引脚配置和温度等级选项.FemtoClockNG器件是高级系统设计人员的首选,可满足高性能时钟源需求,采用与标准石英晶体振荡器同样的占板面积,却能发挥无与伦比的灵活性.以下是IDT有源晶体系列的原厂代码数据信息表.

XLH335036.000000X

HCMOS

3.3V

(3.30mmx2.60mm)

XLH335033.333000X

HCMOS

3.3V

(3.30mmx2.60mm)

XLH335024.000000X

HCMOS

3.3V

(3.30mmx2.60mm)

XLH335022.400000X

HCMOS

3.3V

(3.30mmx2.60mm)

XLH335012.000000X

HCMOS

3.3V

(3.30mmx2.60mm)

XLH335074.250000I

HCMOS

3.3V

(3.30mmx2.60mm)

XLH335070.000000I

HCMOS

3.3V

(3.30mmx2.60mm)

XLH335036.864000I

HCMOS

3.3V

(3.30mmx2.60mm)

XLH335029.491200I

HCMOS

3.3V

(3.30mmx2.60mm)

XLH335019.440000I

HCMOS

3.3V

(3.30mmx2.60mm)

XLH335008.000000I

HCMOS

3.3V

(3.30mmx2.60mm)

XLH335014.318180I

HCMOS

3.3V

(3.30mmx2.60mm)

XLH335106.250000I

HCMOS

3.3V

(3.30mmx2.60mm)

XLH335156.250000I

HCMOS

3.3V

(3.30mmx2.60mm)

XLH335033.000000I

HCMOS

3.3V

(3.30mmx2.60mm)

IDT8102-25VPCNSG

CMOS

1.8V~3.3V

(5.00mmx3.20mm)

IDT8102-25VPCNVG

CMOS

1.8V~3.3V

(2.50mmx2.00mm)

IDT8102-40VPCNSG

CMOS

1.8V~3.3V

(5.00mmx3.20mm)

IDT8102-50VPCNVG

CMOS

1.8V~3.3V

(2.50mmx2.00mm)

4MA125000Z4AACTGI

LVDS

3.3V

(5.00mmx3.20mm)

4MA148500Z3AACTGI

LVPECL

3.3V

(5.00mmx3.20mm)

4MA148500Z4AACTGI

LVDS

3.3V

(5.00mmx3.20mm)

4MA150000Z4AACTGI

LVDS

3.3V

(5.00mmx3.20mm)

4MA155520Z4AACTGI

LVDS

3.3V

(5.00mmx3.20mm)

4MA156250Z4AACTGI

LVDS

3.3V

(5.00mmx3.20mm)

IDT4MA100000Z3AACUGI8

LVPECL

3.3V

(7.00mmx5.00mm)

IDT4MA100000Z3AACUGI8

LVPECL

3.3V

(7.00mmx5.00mm)

IDT4MA125000Z3AACUGI8

LVPECL

3.3V

(7.00mmx5.00mm)

IDT4MA125000Z3AACUGI8

LVPECL

3.3V

(7.00mmx5.00mm)

IDT4MA133333Z3AACUGI8

LVPECL

3.3V

(7.00mmx5.00mm)

IDT4MA133333Z3AACUGI8

LVPECL

3.3V

(7.00mmx5.00mm)

IDT4MA150000Z3AACUGI8

LVPECL

3.3V

(7.00mmx5.00mm)

IDT4MA150000Z3AACUGI8

LVPECL

3.3V

(7.00mmx5.00mm)

IDT4MA156250Z3AACUGI8

LVPECL

3.3V

(7.00mmx5.00mm)

IDT4MA156250Z3AACUGI8

LVPECL

3.3V

(7.00mmx5.00mm)

IDT4MA200000Z3AACUGI8

LVPECL

3.3V

(7.00mmx5.00mm)

IDT4MA200000Z3AACUGI8

LVPECL

3.3V

(7.00mmx5.00mm)

IDT4MA200000Z3AACUGI8

LVPECL

3.3V

(7.00mmx5.00mm)

4MA050000Z4AACTGI

LVDS

3.3V

(5.00mmx3.20mm)

4MA050000Z4AACUGI

LVDS

3.3V

(7.00mmx5.00mm)

4MA050000Z4BACTGI

LVDS

2.5V

(5.00mmx3.20mm)

4MA050000Z4BACUGI

LVDS

2.5V

(7.00mmx5.00mm)

4MA066000Z3AACTGI

LVPECL

3.3V

(5.00mmx3.20mm)

4MA066000Z3AACUGI

LVPECL

3.3V

(7.00mmx5.00mm)

4MA100000Z3AACTGI

LVPECL

3.3V

(5.00mmx3.20mm)

4MA100000Z3AACUGI

LVPECL

3.3V

(7.00mmx5.00mm)

4MA100000Z4AACTGI

LVDS

3.3V

(5.00mmx3.20mm)

4MA100000Z4AACUGI

LVDS

3.3V

(7.00mmx5.00mm)

4MA125000Z3AACTGI

LVPECL

3.3V

(5.00mmx3.20mm)

4MA125000Z3AACUGI

LVPECL

3.3V

(7.00mmx5.00mm)

4MA125000Z4AACTGI8

LVDS

3.3V

(5.00mmx3.20mm)

4MA125000Z4AACUGI

LVDS

3.3V

(7.00mmx5.00mm)

4MA125000Z4AACUGI8

LVDS

3.3V

(7.00mmx5.00mm)

4MA125000Z4BACTGI

LVDS

2.5V

(5.00mmx3.20mm)

4MA125000Z4BACTGI8

LVDS

2.5V

(5.00mmx3.20mm)

4MA133000Z3AACTGI

LVPECL

3.3V

(5.00mmx3.20mm)

4MA133000Z3AACTGI8

LVPECL

3.3V

(5.00mmx3.20mm)

4MA133000Z3AACUGI

LVPECL

3.3V

(7.00mmx5.00mm)

4MA133000Z3AACUGI8

LVPECL

3.3V

(7.00mmx5.00mm)

4MA133330Z4AACTGI

LVDS

3.3V

(5.00mmx3.20mm)

4MA133330Z4AACTGI8

LVDS

3.3V

(5.00mmx3.20mm)

4MA133330Z4BACTGI

LVDS

2.5V

(5.00mmx3.20mm)

4MA133330Z4BACTGI8

LVDS

2.5V

(5.00mmx3.20mm)

当使用MEMS谐振器时,关于提高振动灵敏度,降低制造成本以及提高可靠性有许多要求.但是,一旦您开始研究这些领域,数据有时就无法呈现现实情况.例如,基于MEMS的设备的平均无故障间隔时间(MTBF)130,000,而基于夸脱的解决方案的平均无故障间隔时间(MTBF)30,000,对于任何设计人员而言,都不是主要问题.但是,当以两次故障之间的平均改善时间来表示时,这会在不影响零件的长期可靠性的情况下,在设计人员的思维中产生不同的印象.

设计师认为30,000年是可接受的MTBF水平,因此无法提出这一主张.MEMS谐振器的关键特性之一是振动灵敏度(有时称为重力灵敏度或振动引起的相位偏移).这在2001年左右就得到了认可,并已作为谐振器的关键破坏特征进行销售.但是,一旦我们开始查看数据,就可以开始质疑是否存在任何真正的优势.考虑以下:

1.典型的振动范围规定为从Hz级到2kHz.

2.在大多数应用中,振动密度水平会停止或大大降低至2kHz以上.

根据相位噪声测量,相位抖动通常具有12kHz20MHz的积分范围,该范围是任何客户指定的最大振动水平的六倍,振动敏感度的度量单位是每十亿分之一振动的十亿分之一(ppb/g),MEMS振动灵敏度基于谐振器方向在0.01ppg/g1ppb/g的范围内,石英振动灵敏度基于谐振器方向在0.1ppb/g1ppb/g的范围内,石英制造商在过去20年中已大大提高了对MEMS的振动灵敏度.

毛坯尺寸的变化,更高频率的应用以及毛坯对齐的精度提高是主要改进,这些变化大大改善了石英振荡器的振动敏感性和冲击敏感性.XTXP现场可编程时钟振荡器的IDTProXO系列使用这些石英工艺改进来获得较低的冲击和振动敏感度,振动引起的相位偏移(增加的相位噪声水平)与温度和网络引起的相位噪声互斥,振动引起的噪声是温度和网络引起的噪声的均方根值.

在振动引起的噪声等于或高于温度和网络噪声引起的噪声的水平之前,可以忽略振动引起的噪声.如果我们以156.25MHz的频率在10gs的振动下查看基于MEMS的振荡器和基于石英的振荡器的典型相位噪声电平,则会发现:

1.在静态条件下,石英振荡器通常比MEMS振荡器低40db.

2.连续振动水平高时,石英振荡器的振动灵敏度等于MEMS振荡器的静态振动水平.

3.由于基于MEM的振荡器的静态和动态电平几乎相等,因此在此范围内其相位噪声电平几乎没有增加.

IDT有源晶体代码XLH335024.000000X与MEMS系列对比结论

当在10Hz2kHz的振动范围内发生10gs的连续振动时,基于石英的振荡器和基于MEMS的振荡器的相位噪声电平相等.但是,由于印刷电路板和系统中其他更大,更重的部件的重量增加,在此频率范围内连续出现10g的振动水平将导致长期可靠性降低和产品损坏.假设10gs只会在很小的时间内发生,基于石英的振荡器将具有较低的相位噪声性能,使其成为现实条件下的更好解决方案.

IDT有源晶体代码XLH335024.000000X与MEMS系列对比结论

通过此处查看的数据,我们发现使用MEMS谐振器振荡器与更常见且稳定的石英振荡器相比并没有真正的优势.因此,IDT几年前就从我们的产品组合中删除了该产品,并继续专注于石英谐振器,并改进了我们提供的集成了内部谐振器的器件,包括新的ProXO系列可编程时钟振荡器.

IDT有源晶体代码XLH335024.000000XMEMS系列对比结论

返回头部